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기판상에 제1희생막을 형성하는 단계;상기 제1희생막 상에 제1고분자막과 제2고분자막이 결합된 블럭공중합체로 이루어진 제2희생막을 형성하는 단계;상기 제2희생막에서 상기 제2고분자막을 선택적으로 제거하여 제2희생패턴을 형성하는 단계;상기 제2희생패턴을 식각장벽으로 상기 제1희생막을 식각하여 제1희생패턴을 형성하는 단계;상기 제1희생패턴 사이를 매립하도록 물질막을 증착하는 단계; 및상기 제1 및 제2희생패턴을 제거하는 단계를 포함하며,상기 제1희생패턴은 측벽이 음의 기울기를 갖도록 형성되는 양자점 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 제2희생막을 형성하는 단계는, 상기 제1고분자막 내에 상기 제2고분자막이 구형태로 매트릭스 배열을 갖도록 형성하는 양자점 형성방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1고분자막 및 상기 제2고분자막은 폴리스틸렌(PS), 폴리카본에스테르(PC), 폴리메틸메타크릴레이드(PMMA), 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리이미드(PI), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에스테르(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리부타디엔(PB), 폴리에틸렌프로필렌(PEP), 폴리4비닐피리딘(P4VP), 폴리비닐피리딘(PVP), 폴리이소플렌(PI) 및 폴리시나모일에틸메타에크릴에트(PCEMA)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 양자점 형성방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2희생막은 폴리스틸렌-블럭-폴리메틸메타크릴레이드(PS-b-PMMA), 폴리메틸스틸렌-블럭-폴리하이드록시스틸렌(PMS-b-PHOST), 폴리스틸렌-블럭-폴리에틸렌프로필렌(PS-b-PEP), 폴리스틸렌-블럭-폴리이소플렌(PS-b-PI), 폴리스틸렌-블럭-폴리부타디엔(PS-b-PBD), 폴리스틸렌-블럭-폴리4비밀피리딘(PS-b-P4VP), 폴리스틸렌-블럭-폴리시나모일에틸메타에크릴에트(PS-b-PCEMA) 및 폴리스틸렌-블럭-폴리에테르설폰(PS-b-PFS)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 양자점 형성방법
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제2항에 있어서, 상기 제1고분자막은 폴리스틸렌(PS)를 포함하고, 상기 제2고분자막은 폴리부타디엔(PB)을 포함하며, 상기 제2희생막은 폴리스틸렌-블럭-폴리부타디엔(PS-b-PBD)을 포함하는 양자점 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 제2희생막을 형성하는 단계는, 상온 내지 300℃ 범위의 온도에서 실시하는 양자점 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 제1희생막은 고분자막을 포함하는 양자점 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 제2희생패턴을 형성하는 단계, 상기 제1희생패턴을 형성하는 단계 및 상기 제1 및 제2희생패턴을 제거하는 단계는, 습식식각법, 건식식각법, 산소 플라즈마 처리법 및 자외선방사법으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 한 방법을 사용하여 실시하는 양자점 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 제1희생막과 상기 제2희생막 사이에 하드마스크막을 형성하는 단계를 더 포함하는 양자점 형성방법
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