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전하트랩형 비휘발성 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2015199338
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 기록/소거 특성이 좋은 트랜치 구조를 갖는 비휘발성 반도체 소자가 제공된다. 이 반도체 소자는 반도체 기판, 상기 기판 상에 소스 및 드레인 영역을 형성하고 상기 기판을 식각하여 상기 소스 및 드레인 영역보다 낮게 형성된 트랜치 채널을 포함하는 트랜치형 게이트 구조체를 포함하는 반도체 메모리 소자로서, 상기 트랜치형 게이트 구조체는 상기 식각된 트랜치 채널의 사이드 벽면에 사이드월 스페이서(sidewall spacer) 구조의 소스 및 드레인 확장(Source Drain Extension : SDE) 영역, 상기 트랜치 채널 상에 2±0.1 nm 두께의 실리콘 산화막(SiO2)으로 형성되는 제 1 터널링 절연막, 상기 제 1 터널링 절연막 상에 상기 제 1 터널링 절연막보다 유전율은 더 크고 전도대 에너지는 더 낮으면서 3±0.1 nm 두께의 지르코늄 옥사이드 (ZrO2)으로 형성되는 제 2 터널링 절연막, 상기 제 2 터널링 절연막 상에 상기 실리콘 질화막보다 전도대 에너지 준위가 높으며 유전율은 더 큰 10 nm 이하 두께의 하프늄 산화막(HfO2)으로 형성되는 전하 트랩층, 상기 전하 트랩층 상에 상기 하프늄 산화막보다 전도대의 에너지 준위가 높으며 가전자대 에너지 준위가 낮은 20 nm 이하 두께의 알루미늄 산화막(Al2O3)으로 형성되는 블로킹 절연막, 및 상기 블로킹 절연막 상에 형성되면서 4.5 eV 이상의 일함수를 갖는 게이트 전극층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01)
출원번호/일자 1020110075573 (2011.07.29)
출원인 한국기초과학지원연구원, 광운대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0013777 (2013.02.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.29)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조영훈 대한민국 서울특별시 중구
2 조원주 대한민국 서울특별시 노원구
3 유희욱 대한민국 경기도 부천시 오정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이승한 대한민국 대전 유성구 대학로**, ***호(봉명동)(특허법인스마트)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0587093-53
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2011-5173743-65
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.21 수리 (Accepted) 4-1-2011-5212108-42
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.06.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0048379-51
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5184331-50
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5184293-13
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0160511-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2013-5058386-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2013-5058545-81
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0406744-03
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.05.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0406707-13
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0672100-84
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-5067673-62
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5074994-12
16 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2015.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0178496-09
17 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2016.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0004958-45
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.05.09 수리 (Accepted) 4-1-2016-5056854-41
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2017-5046666-19
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2020-5135881-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판, 상기 기판 상에 소스 및 드레인 영역을 형성하고 상기 기판을 식각하여 상기 소스 및 드레인 영역보다 낮게 형성된 트랜치 채널을 포함하는 트랜치형 게이트 구조체를 포함하는 반도체 메모리 소자에 있어서,상기 트랜치형 게이트 구조체는,상기 식각된 트랜치 채널의 사이드 벽면에 사이드월 스페이서(sidewall spacer) 구조의 소스 및 드레인 확장(Source Drain Extension : SDE) 영역; 상기 트랜치 채널 상에 2±0
2 2
제 1 항에 있어서,상기 트랜치 채널은 상기 사이드월 스페이서(sidewall spacer) 구조의 소스 및 드레인 확장(Source Drain Extension : SDE) 영역보다 더 낮게 형성되고 상기 제 1 터널링 절연막과 제 2 터널링 절연막은 비대칭 배리어 구조인 것을 특징으로 하는 전하트랩형 비휘발성 메모리 소자
3 3
제 1 항에 있어서,상기 전하 트랩층은,폴리실리콘을 이용한 부유 게이트, 금속, 반도체 또는 산화물 나노결정을 가지는 나노 부유 게이트, 또는 HfO2, HfAlO 및 Si3N4 중 적어도 하나를 포함하는 전하 트랩층 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 전하트랩형 비휘발성 메모리 소자
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전극층은 TiN, TaN, Ni, Ir 또는 Pt의 재료를 사용하는 것을 특징으로 하는 전하트랩형 비휘발성 메모리 소자
5 5
반도체 기판 상에 소스와 드레인을 형성한 후 상기 반도체 기판을 식각하여 트랜치 채널을 형성하는 단계;상기 식각된 트랜치 채널의 사이드 벽면에 사이드월 스페이서(sidewall spacer) 구조의 소스 및 드레인 확장(Source Drain Extension : SDE) 영역을 형성하는 단계;상기 트랜치 채널 상에 2±0
6 6
제 5 항에 있어서,상기 트랜치 채널을 상기 사이드월 스페이서(sidewall spacer) 구조의 소스 및 드레인 확장(Source Drain Extension : SDE) 영역보다 더 낮게 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전하트랩형 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
7 7
제 5 항에 있어서,상기 전하 트랩층을 형성하는 단계는,폴리실리콘을 이용한 부유 게이트, 금속, 반도체 또는 산화물 나노결정을 가지는 나노 부유 게이트, 또는 HfO2, HfAlO 및 Si3N4 중 적어도 하나를 포함하는 전하 트랩층 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 전하트랩형 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
8 8
제 5 항에 있어서,상기 게이트 전극층은 TiN, TaN, Ni, Ir 또는 Pt의 재료를 사용하는 것을 특징으로 하는 전하트랩형 비휘발성 메모리 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.