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육방정계의 공간군 P3이고, 비대칭 단위 속에 서열 번호 1의 LsrK 단백질과 HPr 단백질을 포함하며 격자 단위가 a = 100 Å, b =100 Å, c = 353 Å, 삼축의 각이 α=β=90°이며 γ=120°인 LsrK의 결정
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육방정계의 공간군 P21212이고, 비대칭 단위 속에 서열 번호 1의 LsrK 단백질과 HPr 단백질을 포함하며 격자 단위가 a = 100 Å, b =173 Å, c = 352 Å, 삼축의 각이 α=β=γ=90°인 LsrK의 결정
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 결정은 비대칭 단위 속에 AMP-PNP 또는 4,5-디히드록시펜탄-2,3-디온을 더 함유하는 것을 특징으로 하는 LsrK의 결정
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LsrK의 결정화 방법으로서, 상기 방법이LsrK가 5~20 mg/mL 농도로 분산된 LsrK 저장액을 제조하는 단계;상기 LsrK 저장액과 결정화 완충 용액을 혼합하여 혼합 방울을 얻는 단계; 및상기 혼합 방울과 상기 결정화 완충 용액을 담은 용기 사이에서 증기 확산 평형이 이루어지도록 상기 용기를 포함하는 밀폐된 공간 속에 상기 혼합 방울을 위치시키는 단계를 포함하고,이때 상기 결정화 완충 용액은 아래 (가) 내지 (다) 조건 중 어느 하나에 나타낸 물질들을 함유하는 조성의 수용액인 LsrK의 결정화 방법:(가) pH 4
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제 5항에 있어서, 상기 LsrK 저장액은 pH 7 내지 8이고 50 mM 농도 이상의 암모늄 이온, LsrK 몰 농도의 1 내지 3배의 HPr 단백질과 선택 성분을 함유하며, 상기 선택 성분은 0
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제 5항에 있어서, 상기 LsrK의 결정화 방법은 발현 과정을 더 포함하고,상기 발현 과정은 LsrK를 암호화하는 세균의 배양 배지에 염화나트륨을 250~500 mM 첨가하는 삼투압 쇼크 단계;상기 배양 배지의 온도보다 높은 고온에서 상기 LsrK를 암호화하는 세균에 열 쇼크를 준 다음, 급속도로 배지의 온도를 낮추는 단계; 상기 LsrK를 암호화하는 세균을 0℃ 내지 4℃의 조건으로 옮겨 급랭하는 단계와상기 LsrK를 암호화하는 세균에서 LsrK 유전자 전사를 15℃~25℃에서 유도하여 가용성 형태로 발현되는 단백질 양을 증대시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 LsrK의 결정화 방법
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