1 |
1
플라즈마 발생용 가스의 공급을 위한 가스 공급구, 상부에 피처리물의 공급을 위한 피처리물 유입구와 하부에 피처리물 및 플라즈마 가스 유출을 위한 피처리물 유출구를 포함한 하우징;상기 하우징을 수직으로 관통하며 상기 하우징 내에 배치되며 상기 피처리물 유입구 및 피처리물 유출구와 소통하는 관형 제 1 전극;상기 관형 제 1 전극의 외부 둘레 방향을 따라 상기 관형 제 1 전극과 마주보도록 상기 관형 제 1 전극으로부터 일정한 거리만큼 이격되어 배치되어 플라즈마 발생 공간을 형성하는, 전도성 소재 또는 소재막 재질로 된 관형 제 2 전극;상기 관형 제 2 전극의 관 둘레의 내부면을 따라 배치된 관형 유전체; 및상기 관형 제 1 전극 및 상기 관형 제 2 전극에 교류 전압을 인가하기 위한 교류 전원을 포함하고,상기 관형 제 1 전극의 상기 관형 유전체 및 상기 관형 제 2 전극이 둘러싸고 있는 영역에서 상기 관형 제 1 전극에 개구가 형성되어 있으며, 상기 개구를 통해 상기 플라즈마 발생 공간에서 발생된 플라즈마가 상기 관형 제 1 전극 내부로 유입될 수 있는,관형 플라즈마 표면 처리 장치
|
2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 관형 제 1 전극에 형성되어 있는 개구는 하나 이상의 슬릿 형상 또는 구멍 형상인 것을 특징으로 하는,관형 플라즈마 표면 처리 장치
|
3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 관형 제 1 전극의 상기 관의 길이 방향에 수직한 단면의 형상이 원형, 사각형, 삼각형, 또는 타원형인 것을 특징으로 하는,관형 플라즈마 표면 처리 장치
|
4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 교류 전원의 주파수가 50Hz 내지 200MHz이고, 전압이 1kV 내지 40kV인 것을 특징으로 하는,관형 플라즈마 표면 처리 장치
|
5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 교류 전원의 주파수가 5kHz 내지 100kHz이고, 전압이 2kV 내지 10kV인 것을 특징으로 하는,관형 플라즈마 표면 처리 장치
|
6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 발생용 가스는 질소, 산소, 불활성 기체, 이산화탄소, 산화질소, 플루오르화 기체, 수소, 암모니아, 염소계 기체, 탄화수소, 오존 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는,관형 플라즈마 표면 처리 장치
|
7 |
7
플라즈마 발생용 가스의 공급을 위한 가스 공급구를 포함한 하우징;상기 하우징을 수직으로 관통하며, 상부에 피처리물의 공급을 위한 피처리물 유입구와 하부에 피처리물 및 플라즈마 가스 유출을 위한 피처리물 유출구를 포함한 관형 제 1 전극;상기 관형 전극의 외부 둘레 방향을 따라 상기 관형 전극과 마주보도록 상기 관형 전극으로부터 일정한 거리만큼 이격되어 배치되어 플라즈마 발생 공간을 형성하는 관형 제 2 전극;상기 관형 제 2 전극의 관 둘레의 내부면을 따라 배치된 관형 유전체; 및상기 관형 제 1 전극 및 상기 관형 제 2 전극에 교류 전압을 인가하기 위한 교류 전원을 포함하고,상기 관형 제 1 전극의 상기 관형 유전체 및 상기 관형 제 2 전극이 둘러싸고 있는 영역에서 상기 관형 제 1 전극에 개구가 형성되어 있으며, 상기 개구를 통해 상기 플라즈마 발생 공간에서 발생된 플라즈마가 상기 관형 제 1 전극 내부로 유입될 수 있는,관형 플라즈마 표면 처리 장치
|