1 |
1
다수의 플라즈마 주입구 및 다수의 가스 주입구을 포함한 공정 챔버;상기 플라즈마 주입구를 통해 래디컬을 상기 공정 챔버로 공급하는 원격 플라즈마 주입부;상기 가스 주입구를 통해 가스를 상기 공정 챔버로 공급하는 가스 주입부;기판이 상면에 위치할 수 있는 기판 지지부; 및상기 기판 지지부의 상면으로부터 이격되어 있는 마스크를 포함하고,상기 가스 주입구는 상기 플라즈마 주입구들 사이에 위치하며,상기 마스크는 가스 주입부 안내 개구를 가지며, 상기 가스 주입부 안내 개구를 통해 상기 가스 주입부가 가스를 상기 기판 지지부 및 상기 마스크 사이로의 주입을 가능하게 되고,상기 마스크에는 래디컬이 주입되는 위치에 기판으로의 래디컬의 주입을 위한 개방부가 형성되어 있고,상기 마스크의 가스 주입부 안내 개구는 상기 마스크의 래디컬 주입을 위한 개방부 사이에 위치하며,기판의 양 끝단 사이에 위치한 래디컬 주입부의 해당 플라즈마 소스로부터 래디컬이 주입되는 위치의 상기 마스크의 개방부에는 상기 개방부로부터 윗 방향으로 제 1 측벽이 개방부의 양단에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는,원격 플라즈마 소스 에싱 장치
|
2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 래디컬 주입부의 끝단 위치는 상기 마스크의 위치에 또는 상기 마스크와 기판 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는,원격 플라즈마 소스 에싱 장치
|
3 |
3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 1 측벽이 형성되어 있는 개방부에 위치한 래디컬 주입부는 상기 제 1 측벽으로부터 간격을 갖는 것을 특징으로 하는,원격 플라즈마 소스 에싱 장치
|
4 |
4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 가스 주입부의 끝단 위치는 상기 마스크의 위치에 또는 상기 마스크와 기판 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는,원격 플라즈마 소스 에싱 장치
|
5 |
5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 공정 챔버의 내부 공간으로 나오는 에싱 후의 불순물 및 가스를 빼내기 위한 배출 펌프를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는,원격 플라즈마 소스 에싱 장치
|
6 |
6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 기판 지지부의 하부에는 상기 마스크와 상기 기판 지지부 사이의 거리를 조절할 수 있는 구동부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는,원격 플라즈마 소스 에싱 장치
|
7 |
7
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 마스크의 상부에는 상기 마스크와 상기 기판 지지부 사이의 거리를 조절할 수 있는 구동부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는,원격 플라즈마 소스 에싱 장치
|
8 |
8
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 기판 지지부의 양 끝단에는 윗 방향으로 제 2 측벽이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는,원격 플라즈마 소스 에싱 장치
|
9 |
9
제 8 항에 있어서,상기 제 1 측벽 및 상기 제 2 측벽은 모두 윗 방향으로의 가스의 흐름을 유도할 수 있도록 비스듬한 경사면을 이루며 윗 방향으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는,원격 플라즈마 소스 에싱 장치
|
10 |
10
제 9 항에 있어서,상기 공정 챔버의 내부 공간으로 나오는 에싱 후의 불순물 및 가스를 빼내기 위한 배출 펌프를 추가로 포함하고,상기 배출 펌프는 상기 공정 챔버의 양 측면에 각각 설치되어 불순물 및 가스의 배출을 용이하게 하는 것을 특징으로 하는,원격 플라즈마 소스 에싱 장치
|
11 |
11
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 기판 지지부는 정전 척인 것을 특징으로 하는,원격 플라즈마 소스 에싱 장치
|
12 |
12
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 주입되는 가스는 불활성 가스인 것을 특징으로 하는,원격 플라즈마 소스 에싱 장치
|