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MRFM용 자기팁에 있어서,상기 자기팁은 원기둥 형상으로 이루어지며 표면에 산화 방지막이 코팅된 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁
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제 1항에 있어서,상기 자기팁은 코발트화 철(FeCo), 코발트화 이트륨(YCo), 코발트화 사마륨(SmCo), 백금화 철(FePt), 백금화 코발트(CoPt)를 포함하는 금속 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁
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제 1항에 있어서,상기 산화 방지막은 루테늄(Ru), 탄탈럼(Ta), 금(Au), Ag(은), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 주석(Sn)을 포함하는 금속 또는 금속 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁
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제 1항에 있어서,상기 산화 방지막은 1 ~ 5nm의 두께로 코팅되는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁
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복수개의 나노기공이 포함된 실린더형 멤브레인의 하단에 전극물질을 코팅하여 상기 멤브레인 하단에 전극을 형성하는 전극 형성 단계;상기 전극 상에 금속 화합물을 증착하여 각각의 나노기공 내부에 나노막대를 형성하는 나노막대 형성 단계;상기 멤브레인을 멤브레인 제거제로 제거하여 나노막대 집합체를 형성하는 나노막대 집합체 형성 단계;상기 나노막대 집합체에 금속 또는 금속 산화물을 코팅하여 각각의 나노막대 표면에 산화 방지막을 형성하는 산화 방지막 형성 단계; 및상기 나노막대 집합체에 포함된 전극을 전극 제거제로 제거하여 복수개의 자기팁을 형성하는 자기팁 형성 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁 제조 방법
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복수개의 나노기공이 포함된 실린더형 멤브레인의 하단에 전극물질을 코팅하여 상기 멤브레인 하단에 전극을 형성하는 전극 형성 단계;상기 전극 상에 금속물질을 증착하여 각각의 나노기공 내부에 금속층을 형성하는 금속층 형성 단계;상기 금속층 상에 금속 화합물을 증착하여 각각의 나노기공 내부에 나노막대를 형성하는 나노막대 형성 단계;상기 멤브레인을 멤브레인 제거제로 제거하여 나노막대 집합체를 형성하는 나노막대 집합체 형성 단계;상기 나노막대 집합체에 금속 또는 금속 산화물을 코팅하여 각각의 나노막대 표면에 산화 방지막을 형성하는 산화 방지막 형성 단계; 및상기 나노막대 집합체에 포함된 금속층을 금속층 제거제로 제거하여 복수개의 자기팁을 형성하는 자기팁 형성 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁 제조 방법
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7
제 5항 또는 제 6항에 있어서,상기 전극 형성 단계에서,상기 멤브레인은 산화알루미늄 나노기공성 멤브레인(AAO membrane)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁 제조 방법
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8
제 7항에 있어서,상기 전극 형성 단계에서,상기 전극물질은 백금(Pt) 또는 금(Au)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁 제조 방법
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9
제 5항 또는 제 6항에 있어서,상기 나노막대 형성 단계에서,상기 금속 화합물은 코발트화 철(FeCo), 코발트화 이트륨(YCo), 코발트화 사마륨(SmCo), 백금화 철(FePt), 백금화 코발트(CoPt)를 포함하는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁 제조 방법
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제 5항 또는 제 6항에 있어서,상기 나노막대 집합체 형성 단계에서,상기 멤브레인 제거제는 수산화나트륨(NaOH) 또는 염화수소(HCl)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁 제조 방법
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11
제 5항 또는 제 6항에 있어서,상기 산화 방지막 형성 단계에서,상기 금속 또는 금속 산화물은 루테늄(Ru), 탄탈럼(Ta), 금(Au), Ag(은), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 주석(Sn)을 포함하는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁 제조 방법
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제 11항에 있어서,상기 산화 방지막 형성 단계에서,상기 산화 방지막은 전기화학적 증착방법(electrochemical deposition)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁 제조 방법
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13
제 11항에 있어서,상기 산화 방지막 형성 단계에서,상기 산화 방지막은 원자층 증착방법(atomic layer deposition)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁 제조 방법
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제 6항에 있어서,상기 금속층 형성 단계에서,상기 금속물질은 은(Ag)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁 제조 방법
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제 6항에 있어서,상기 자기팁 형성 단계에서,상기 금속층 제거제는 질산(HNO3)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 MRFM용 자기팁 제조 방법
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