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분말의 플라즈마 처리를 위한 장치로서, 상기 장치는: 분말의 플라즈마 처리를 위한 챔버; 및 상기 챔버 내에 위치하는 판형 면방전 플라즈마 모듈을 포함하며, 상기 면방전 플라즈마 모듈은: 절연층, 상기 절연층의 일면에 놓인 고전압이 인가되는 고전압 인가 전극; 및 상기 절연층의 타면에 놓인 접지 전극을 포함하고, 상기 고전압 인가 전극 및 상기 접지 전극 중 하나 이상은 바형상으로 서로 이격되어 병렬로 배열되어 있으며,분말은 상기 판형 면방전 플라즈마 모듈 위에 그리고, 상기 바형상 전극 주위에 위치하고,상기 접지 전극과 상기 고전압 인가 전극에 교류 전압이 인가되어, 상기 바형상 전극 전극 주위에 플라즈마가 발생되고, 상기 발생된 플라즈마에 의해 상기 분말이 처리되는, 분말 플라즈마 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 장치는, 상기 챔버 상부에 위치한 분말 공급부를 포함하고,상기 판형 면방전 플라즈마 모듈은 상기 분말 공급부 아래에 위치하며,상기 판형 면방전 플라즈마 모듈의 면은 상기 분말 공급 방향과 수직하지 아니한,분말 플라즈마 처리 장치
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제2항에 있어서,상기 챔버 내에서 상기 면방전 플라즈마 모듈이 소정의 각도로 경사조절 되도록 구성되는, 경사조절부를 포함하는,분말 플라즈마 처리 장치
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제2항에 있어서,상기 면방전 플라즈마 모듈은 상단부가 상기 분말 공급부의 아래에 위치하고, 상기 면방전 플라즈마 모듈의 하단부는 상기 상단부로부터 일측 방향으로 경사지는 방향에 위치하고,상기 분말 공급부를 통해 공급되는 분말은 일측으로 경사진 면방전 플라즈마 모듈의 경사 방향을 따라 낙하되는,분말 플라즈마 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 절연층은 상기 고전압 인가 전극 또는 상기 접지 전극을 에워싸고,상기 절연층 일면에, 상기 절연층이 에워싸지 않는 고전압 인가 전극 또는 접지 전극은 바형상으로 서로 이격되어 병렬로 배열되어 있는,분말 플라즈마 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 절연층은 상기 고전압 인가 전극 또는 상기 접지 전극을 에워싸고,상기 절연층 양면에, 상기 절연층이 에워싸지 않는 고전압 인가 전극 또는 접지 전극은 바형상으로 서로 이격되어 병렬로 배열되어 있는,분말 플라즈마 처리 장치
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제2항에 있어서,상기 바형상 전극은 상기 분말이 상기 면방전 플라즈마 모듈을 따라 낙하되는 방향과 평행하게 배치되어, 분말의 낙하를 유도하는,분말 플라즈마 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 접지 전극 및 상기 고전압 인가 전극은 바형상이고, 상기 면방전 플라즈마 모듈의 단면 형상은 상기 접지 전극 및 상기 고전압 인가 전극이 서로 엇갈리는 위치에 배치되어 있는,분말 플라즈마 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 접지 전극은 바형상이고, 상기 고전압 인가 전극은 기판 형태인,분말 플라즈마 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 접지 전극은 기판 형태이고, 상기 고전압 인가 전극은 바형상인,분말 플라즈마 처리 장치
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제11항에 있어서,상기 장치는 둘 이상의 면방전 플라즈마 모듈을 포함하고,상기 면방전 플라즈마 모듈은 상기 챔버 내에서 동일 전극끼리 마주하도록 배치되는,분말 플라즈마 처리 장치
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