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(A) 상부 기판과 하부 기판을 준비하는 단계;(B) 상기 상부 기판 또는 하부 기판의 대향하는 일측 또는 양측 표면 상에 마이크로 채널 패턴부를 형성하는 단계;(C) 3 회 이상 상기 마이크로 채널 패턴부를 에칭하여 마이크로 채널을 형성하는 단계;(D) 상기 마이크로 채널 패턴부가 형성된 기판 표면의 반대쪽 표면에 가스 공급 연결부를 형성하는 단계;(E) 상기 마이크로 채널 패턴부가 형성된 기판 표면의 반대쪽 표면, 또는 상기 마이크로 채널 패턴부가 형성되지 않은 대향 기판의 반대쪽 표면 상에 가스 배출 연결부를 형성하는 단계;(F) 상기 마이크로 채널 패턴부가 형성된 기판의 내측 표면 상에 스핀 코팅법에 의해서 고정상을 도포하는 단계; 및(G) 상기 고정상이 도포된 기판의 도포면과, 상기 고정상이 도포되지 않은 기판의 대향면을 맞대어 접합하여 다중 에칭을 통한 가스 크로마토그래피 칩을 제조하는 단계를 포함하며,상기 마이크로 채널 패턴부는, 단면이 원형 형상이고, 상기 가스 공급 연결부로부터 상기 가스 배출 연결부까지 연속적으로 연장되는 마이크로 채널로 이루어지며;상기 가스 공급 연결부는, 가스 공급구측이 넓고, 상기 마이크로 채널로 진행함에 따라서 그 폭이 좁아지는 테이퍼 형상으로 형성되며;상기 상부 기판 또는 하부 기판의 대향 내측 표면 상에는 하나 이상의 위치 정렬 마커가 형성되며;상기 가스 공급 연결부 및 상기 가스 배출 연결부는, EDM 방식 또는 샌드블래스트(sandblast) 방식으로 형성되며;상기 다중 에칭을 통한 가스 크로마토그래피 칩을, 선행하는 가스 크로마토그래피 칩의 가스 배출 연결부와 후행하는 가스 크로마토그래피 칩의 가스 공급 연결부를 서로 연결하여 상기 마이크로 채널의 길이를 연장한 다중 에칭을 통한 가스 크로마토그래피 칩 적층체의 제조 방법에 있어서,고정상에 더 코팅되는 고정상은 가스 크로마토그래피 칩 적층체의 각 층마다 서로 다를 수 있는 것을 특징으로 하는,다중 에칭을 통한 가스 크로마토그래피 칩 적층체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판의 소재는,글래스 웨이퍼, 석영 웨이퍼, 폴리디메틸실록산 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼, 실리케이트 웨이퍼, 보로실리케이트 웨이퍼 및 용융 실리카 웨이퍼 중에서 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는,다중 에칭을 통한 가스 크로마토그래피 칩 적층체의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 (F) 단계에서 상기 고정상은 PDMS이며,상기 마이크로 채널의 극성을 조절하기 위해서, 상기 고정상에 더 코팅되는 고정상으로서, 실리카겔, 알루미나, 숯, 분자체, 및 다공성 중합체 중 선택된 하나가 더 코팅되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,다중 에칭을 통한 가스 크로마토그래피 칩 적층체의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 (F) 단계는, 상부 기판과 하부 기판을 접합하였을 때, 상기 고정상이 상기 기판의 접합면을 밀봉(sealing)하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,다중 에칭을 통한 가스 크로마토그래피 칩 적층체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판의 온도를 제어하기 위한 열 전달부 및 온도 제어 장치;를 더 포함하며;상기 온도 제어 장치는, 상기 기판의 온도 조절을 수행함과 동시에 상기 기판에 열압력을 가하여 상기 기판에 형성된 상기 마이크로 채널 내의 가스 손실을 방지하는 것을 특징으로 하는,다중 에칭을 통한 가스 크로마토그래피 칩 적층체의 제조 방법
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