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자기장 안에서 사이클로트론 운동(회전 운동)하고 있는 전자에 대하여 사이클로트론 주파수와 동일한 전자파(Microwave)를 주어 발생하는 전자 사이클로트론 공명(ECR:Electron Cyclotron Resonance)상태에 가스를 도입하여 플라즈마를 발생시키는 ECR 플라즈마 발생장치로서,전자파(Microwave)가 유입되는 제 1 도파관;상기 도파관의 개방단으로부터 연장되고, 상기 도파관의 개방단을 부채꼴 형상으로 확개하여 상기 전자파를 전송하기 위한 혼 안테나;상기 혼 안테나의 전방에 배치되고, 상기 혼 안테나와 연통되어 내부로 상기 전자파가 전송되고, 저면부가 개방된 제 2 도파관;상기 제 2 도파관의 개방된 저면부를 밀폐하고, 상기 제 2 도파관의 내부로 전송된 전자파를 하측 방향으로 전달시키는 유전체창;상기 유전체창을 통해 전달된 전자파가 통과되기 위한 복수의 슬릿이 배치되고, 서로 이웃하는 슬릿들 사이에 자석이 배치되며, 상기 슬릿을 통과하는 전자파에 대응하는 공진 자기장을 형성하기 위한 자석 배치 구조물; 및 상기 자석 배치 구조물의 하부 위치한 ECR 플라즈마 발생 영역을 포함하고,상기 슬릿들은 제1 방향으로 연장되어 있는 제1 슬릿들 및 상기 제1 방향에 수직하는 제2 방향으로 연장되어 있는 제2 슬릿들을 포함하고,상기 제2 슬릿들은 각각의 제1 슬릿들의 일측 말단 및 타측 말단을 번갈아 잇도록 상기 제1 슬릿들 사이에 배치되어 있고,상기 자석은 상기 제1 슬릿 및 상기 제2 슬릿의 사이에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는, ECR 플라즈마 발생장치
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제1항에 있어서,상기 자석 배치 구조물은,케이스로서, 상기 케이스의 상면부 및 하면부를 수직으로 관통하는 하나 이상의 슬릿, 서로 이웃하는 슬릿들 사이에 형성된 복수의 수용공간을 포함하는 케이스;상기 각 수용공간들의 내부에 설치되는 다수의 자석; 및상기 각 수용공간들의 내부에 설치되고, 냉각수가 순환되면서 상기 자석을 냉각시키기 위한 다수의 냉각수 라인을 포함하는,ECR 플라즈마 발생장치
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제2항에 있어서,상기 각각의 수용공간 내에 수용되어 있는 자석들은 서로 다른 자기극(magnetic pole)을 갖되,상기 제1 슬릿을 사이에 두고 이웃하는 수용공간들 내에 수용된 자석들은 서로 다른 자기극을 가지며,상기 제2 슬릿을 사이에 두고 이웃하는 수용공간들 내에 수용된 자석들은 서로 다른 자기극을 갖도록 배치되는 것을 특징으로 하는,ECR 플라즈마 발생장치
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제2항에 있어서,상기 수용공간 내에 위치하여 있는 상기 자석들 둘레를 덮도록 상기 수용공간들 내에 설치되어, 상기 자석들에 의한 자기장이 상기 케이스의 상부로 형성되는 것을 차단하기 위한 자석덮개부를 포함하는,ECR 플라즈마 발생장치
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제4항에 있어서,상기 자석덮개부는 자화되는 성질을 가지는, ECR 플라즈마 발생장치
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제1항 또는 제4항에 있어서,상기 제1 도파관, 상기 혼 안테나 및 상기 제2 도파관의 내부로 삽입되고, 상기 전자파의 진행 방향과 평행하게 배치되는 적어도 하나의 삽입체를 추가로 포함하는,ECR 플라즈마 발생장치
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제6항에 있어서,상기 삽입체는 원기둥 형상인,ECR 플라즈마 발생장치
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제6항에 있어서,상기 삽입체는 원기둥 형상의 종방향에 따라 간격을 이뤄 기둥의 외면에 위치한 환형부재를 포함하는,ECR 플라즈마 발생장치
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제6항에 있어서,상기 삽입체는 길이 방향에 따라 길이 조절 가능하도록 구성된,ECR 플라즈마 발생장치
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제1항 또는 제4항에 있어서,상기 자석 배치 구조물의 하부에 배치되고, 내부가 진공이며, 플라즈마로 처리될 대상이 위치하는 공정 챔버 및 상기 자석 배치 구조물과 상기 공정 챔버를 나누는 경계막을 포함하고,상기 경계막은 다수의 개구를 가지고, 상기 다수의 개구를 통해 상기 ECR 플라즈마가 상기 공정 챔버로 전달되는, ECR 플라즈마 발생장치
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제1항에 있어서,상기 전자파는 2
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제10항에 있어서,상기 공정 챔버는 공정가스가 주입될 수 있는 주입구를 포함하는,ECR 플라즈마 발생장치
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제12항에 있어서,상기 공정 가스는 박막 증착을 위해서, SiH4, SiH2Cl2, SiHCl3, SiCl4, GeH4, B2H6, BBr3, BCl3, AsH3, PH3, TeH2, SnCl4, GeCl4, WF6, NH3, CH4, Cl2, 및 MoF6으로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 가스이고,식각이나 세정을 위해서, SiF4, CF4, C3F8, C2F6, CHF3, CClF3, NF3, CF4, C2F6, C3F8, 및 SF6으로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 가스인, ECR 플라즈마 발생장치
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