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제1전극; 상기 제1전극의 위로 적층된 제1유전체;상기 제1유전체의 위로 적층된 제2전극; 및 상기 제1전극, 상기 제2전극 및 상기 제1유전체 전체를 관통하는 유로를 포함하고, 상기 제1전극과 상기 제2전극에 전압이 인가되는 경우 상기 유로를 통과하는 전도성 액체를 기초로하여 플라즈마를 발생시키고, 상기 전도성 액체는 상기 유로의 일 측으로 공급되고, 상기 유로의 영역 중 상기 제1유전체를 관통하는 영역에서, 상기 전도성 액체가 기화되어 플라즈마가 발생되고, 발생된 플라즈마는 상기 유로의 타측으로 배출되고,상기 유로의 영역 중 상기 제1유전체를 관통하는 영역에 글로우(glow) 방전 또는 아크(arc) 방전이 일어나도록, 상기 전도성 액체의 전도도, 상기 유로의 단면적, 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이의 거리 및 상기 전압의 크기를 구성하는,액체 플라즈마 토치 발생장치
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제1항에 있어서, 상기 유로로 전도성 액체를 공급하는 액체 공급부; 및상기 제1전극과 상기 제2전극에 전압을 인가하는 전원부를 더 포함하는, 액체 플라즈마 토치 발생장치
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제2항에 있어서, 상기 전원부는 직류, 교류, 양방향 또는 단방향 펄스 전압을 인가할 수 있고, 상기 전압의 크기는 300V 이상인, 액체 플라즈마 토치 발생장치
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제1항에 있어서, 하기 수학식 1을 이용하여, 상기 유로의 영역 중 상기 제1유전체를 관통하는 영역의 저항(R1)이 40옴(Ω) 이상이 되도록 구성된, 액체 플라즈마 토치 발생장치: 수학식 1R1=(1/S)×(L1/A1)상기 수학식 1에서, S는 상기 전도성 액체의 전도도이고, A1은 상기 유로의 단면적이며, L1은 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이의 거리이다
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제1항에 있어서, 상기 전도성 액체의 전도도(conductivity)는 10μS/㎝ 내지 1S/㎝인, 액체 플라즈마 토치 발생장치
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8
제1항에 있어서, 상기 유로는 모세관(capillaty tube)이고, 모세관현상에 의하여 상기 전도성 액체를 공급하는 별도의 액체 공급장치가 없어도 상기 유로에 상기 전도성 액체가 공급되도록 구성된, 액체 플라즈마 토치 발생장치
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제1전극; 상기 제1전극의 위로 적층된 제1유전체;상기 제1유전체의 위로 적층된 제2전극; 상기 제2전극의 위로 적층된 제2유전체;상기 제2유전체의 위로 적층된 제3전극; 및상기 제1전극, 상기 제2전극, 상기 제3전극, 상기 제1유전체 및 상기 제2유전체 전체를 관통하는 유로를 포함하고, 상기 제1전극, 상기 제2전극 및 상기 제3전극에 전압이 인가되는 경우, 상기 유로를 통과하는 전도성 액체를 기초로하여 플라즈마를 발생시키고, 상기 전도성 액체는 상기 유로의 일 측으로 공급되고, 상기 유로의 영역 중 상기 제1유전체를 관통하는 영역에서 상기 유로를 통과하는 전도성 액체를 기화시키고, 상기 제2유전체를 관통하는 영역에서 상기 기화된 액체를 기초로 플라즈마를 발생시켜 발생된 플라즈마는 상기 유로의 타측으로 배출되고,상기 유로의 영역 중 상기 제2유전체를 관통하는 영역에 글로우(glow) 방전 또는 아크(arc) 방전이 일어나도록, 상기 전도성 액체의 전도도(S), 상기 유로의 단면적(A), 상기 제2전극과 상기 제3전극 사이의 거리(L2) 및 상기 전압의 크기를 구성하는,액체 플라즈마 토치 발생장치
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제9항에 있어서, 상기 유로로 전도성 액체를 공급하는 액체 공급부; 및상기 제1전극, 상기 제2전극 및 상기 제3전극에 전압을 인가하는 전원부를 더 포함하는, 액체 플라즈마 토치 발생장치
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제11항에 있어서, 상기 전원부는 직류, 교류, 양방향 또는 단방향 펄스 전압을 인가할 수 있고, 상기 전압의 크기는 300V 이상인, 액체 플라즈마 토치 발생장치
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제9항에 있어서, 상기 유로의 영역 중 상기 제1유전체를 관통하는 영역에 글로우(glow) 방전 또는 아크(arc) 방전이 일어나도록, 상기 전도성 액체의 전도도, 상기 유로의 단면적, 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이의 거리 및 상기 전압의 크기를 구성하는, 액체 플라즈마 토치 발생장치
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제13항에 있어서, 하기 수학식 1을 이용하여, 상기 유로의 영역 중 상기 제1유전체를 관통하는 영역의 저항(R2)이 40옴(Ω) 이상이 되도록 구성된, 액체 플라즈마 토치 발생장치: 수학식 1 R2=(1/S)×(L2/A2) 상기 수학식 1에서, S는 상기 전도성 액체의 전도도이고, A2는 상기 유로의 단면적이며, L2은 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이의 거리이다
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제9항에 있어서, 하기 수학식 2를 이용하여, 상기 유로의 영역 중 상기 제2유전체를 관통하는 영역의 저항(R3)이 40옴(Ω) 이상이 되도록 구성된, 액체 플라즈마 토치 발생장치: 수학식 2 R3=(1/S)×(L3/A2) 상기 수학식 2에서, S는 상기 전도성 액체의 전도도이고, A2는 상기 유로의 단면적이며, L3은 상기 제2전극과 상기 제3전극 사이의 거리이다
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제9항에 있어서, 상기 전도성 액체의 전도도(conductivity)는 10μS/㎝ 내지 1S/㎝인, 액체 플라즈마 토치 발생장치
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제9항에 있어서, 상기 유로는 모세관(capillaty tube)이고, 모세관현상에 의하여 상기 전도성 액체를 공급하는 별도의 액체 공급장치가 없어도 상기 유로에 상기 전도성 액체가 공급되는, 액체 플라즈마 토치 발생장치
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