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냉전자 소스원을 이용한 이온트랩 질량분석기

  • 기술번호 : KST2015199430
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 냉전자 소스원을 이용한 이온트랩 질량분석기에 관한 것으로, 휴대용 질량분석기를 제작하는데 있어서, 마이크로채널 플레이트(MCP)모듈을 사용하되 자외선 다이오드에서 방출하는 자외선 광자를 MCP모듈 전면에 주사하여 초기전자를 유발하고, 이 전자들로부터 증폭된 전자빔을 채널트론 전자증배관(CEM)을 사용하여 증폭시키며, 증폭된 전자빔이 이온트랩에 정확히 조절되어 주입되도록 하므로, 증폭율을 높이고, 이온필터로 사중극장을 사용하므로, 초기 주입된 전자들을 다시 이온트랩 질량분리기 안으로 전자가 되돌아가도록 하여 이온화율을 높이도록 하는 것이다.
Int. CL H01J 49/26 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130150883 (2013.12.05)
출원인 한국기초과학지원연구원
등록번호/일자 10-1547210-0000 (2015.08.19)
공개번호/일자 10-2015-0065493 (2015.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20150825) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.05)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김승용 대한민국 대전 유성구
2 양모 대한민국 대전 유성구
3 김현식 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 이노 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 ***, *층 (서초동, 신한국빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-1116298-95
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.12.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1129390-92
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.12.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1159997-32
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2014-0074581-02
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0675474-93
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-1163891-86
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2014-1286031-44
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0105756-93
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.01.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0105767-95
11 등록결정서
Decision to grant
2015.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0393217-74
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2020-5135881-88
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번호 청구항
1 1
고진공 상태의 질량분석기 진공챔버 내부에서 조사된 자외선 광자들이 초기 전자방출을 유도하고, 이 전자들을 증폭하여 획득된 전자빔에 의해 기체분자를 이온화 및 이온을 검출하는 냉전자 소스원을 이용한 이온트랩 질량분석기에 있어서,상기 질량분석기 진공챔버 내부에 자외선을 방출하는 자외선 다이오드;상기 자외선 다이오드로부터 방출된 자외선 광자들의 초기 전자방출을 유도 및 증폭하여 후면판에서 전자빔을 획득하는 MCP(Micro Channel Plate)모듈;상기 MCP모듈로부터 방출된 전자빔을 증폭하여 전자빔을 획득하는 CEM(Channeltron Electron Multiplier)모듈;상기 CEM모듈을 통해 증폭된 전자빔을 집적(focusing)하는 전자집적렌즈;상기 전자집적렌즈를 통해 주입된 전자빔에 의해 기체시료 분자들을 이온화하고 일정공간에 가두는 이온트랩 질량분리기; 상기 전자집적렌즈를 통해 주입된 전자빔이 이온트랩 질량분리기를 통과하여 진행할 때 전자손실을 방지하는 이온필터; 및상기 이온트랩 질량분리기로부터 분리된 이온을 질량스펙트럼에 의해 검출하는 이온검출기;를 포함하되상기 이온필터는 상기 이온트랩질량분리기의 질량분리기 후면전극, 사중극장 이온필터전극 및 출구(Exit)전극을 포함하며,상기 이온검출기는 이온필터를 통과한 이온들을 검출 및 증폭하는 채널트론 전자증배관(CEM)모듈로 이루어진 것을 특징으로 하는 냉전자 소스원을 이용한 이온트랩 질량분석기
2 2
제 1 항에 있어서,상기 자외선 다이오드의 온/오프 펄스신호에 따라 자외선방출 시간 및 강도를 조절하는 것을 특징으로 하는 냉전자 소스원을 이용한 이온트랩 질량분석기
3 3
제 1 항에 있어서,상기 MCP모듈은 MCP전면판에 상기 자외선 다이오드에서 방출된 자외선 광자를 주사하고, 상기 자외선광자들이 초기화 전자방출을 유도하고, 상기 CEM모듈은 상기 MCP후면판에서 증폭된 전자빔이 주입되어 고증폭된 전자빔을 획득하는 것을 특징으로 하는 냉전자 소스원을 이용한 이온트랩 질량분석기
4 4
제 1 항에 있어서,상기 MCP모듈은 MCP전면판에 "-2800V ~ -4000V"의 전압이 인가되고, MCP후면판은 상기 CEM모듈의 전면전극과 함께 동일한 "-2000V ~ -3000V" 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 냉전자 소스원을 이용한 이온트랩 질량분석기
5 5
제 1 항에 있어서,상기 CEM모듈은 이온소스원 CEM전면전극 및 이온소스원 CEM후면전극을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 냉전자 소스원을 이용한 이온트랩 질량분석기
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제 1 항에 있어서,상기 전자집적렌즈는 MCP후면판에 인가되는 음전압보다 높은 전압으로 인가하고, MCP후면판은 CEM의 전면전극과 같은 전압이 인가되고 CEM의 후면전극에 인가되는 음전압보다 낮은 전압으로 인가되는 것을 특징으로 하는 냉전자 소스원을 이용한 이온트랩 질량분석기
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제 1 항에 있어서,상기 이온트랩 질량분리기는 이온화원으로 구성된 이온화 소스가 주입되어 기체시료를 이온화하며 이온화된 이온들이 트래핑 RF전압에 의하여 트랩되는 것을 특징으로 하는 냉전자 소스원을 이용한 이온트랩 질량분석기
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제 1 항 또는 제 7 항에 있어서,상기 이온트랩 질량분리기에서 RF전압이 점차 증가하여 질량값에 비례하는 RF전압에 대응하여 상기 이온트랩 질량분리기를 벗어나 이온검출기에 의하여 이온이 검출되는 것을 특징으로 하는 냉전자 소스원을 이용한 이온트랩 질량분석기
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제 1 항에 있어서,상기 이온트랩 질량분리기는 질량분리기 전면전극, 질량분리기 RF전극 및 질량분리기 후면전극이 순차적으로 구성된 것을 특징으로 하는 냉전자 소스원을 이용한 이온트랩 질량분석기
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 이온필터의 이온필터전극은 상기 이온트랩 질량분리기를 통과한 전자가 진행할 때 트랩 질량분리기 상기 이온외부에서 이차 이온화 현상을 방지하는 것을 특징으로 하는 냉전자 소스원을 이용한 이온트랩 질량분석기
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삭제
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삭제
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삭제
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제 1 항에 있어서, 상기 이온검출기는 이온검출기용 CEM 전면전극, 이온검출기용 CEM 후면전극 및 이온신호 검출전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 냉전자 소스원을 이용한 이온트랩 질량분석기
15 15
제 14 항에 있어서,상기 이온검출기는 상기 이온신호 검출전극을 통해 검출된 전류신호를 증폭하는 프리앰프;를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 냉전자 소스원을 이용한 이온트랩 질량분석기
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제 1 항에 있어서,상기 자외선 다이오드, MCP모듈, CEM모듈, 전자집적렌즈, 이온필터 및 이온검출기는 10-4 ~ 10-10 Torr의 진공챔버 안에 구성된 것을 특징으로 하는 냉전자 소스원을 이용한 이온트랩 질량분석기
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1 US2015162178 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9412576 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국기초과학지원연구원 미래전략연구 고감도 휴대용 질량분석기 개발