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플라즈마 발생 공간을 형성하는 플라즈마 챔버;상기 플라즈마 챔버 외벽을 둘러싸는 형태로 배치되는 한 쌍 이상의 벨트형 자석;및상기 플라즈마 발생공간에 마이크로파를 조사하는 마이크로파 조사장치;를 포함하고,상기 벨트형 자석은 틈새 없이 연속된 자석배열을 통해, 원형, 타원트랙, 또는 임의의 폐 다각형으로 구성되어 상기 벨트형 자석에 의한 자기장은 끊어짐이 없이 연속되며,상기 마이크로파 조사장치는, 플라즈마 챔버 상단에 배치되고, 조사 방향을 조절하여, 마이크로파의 전기장이 한 쌍 이상의 벨트형 자석에 의해 플라즈마 발생 공간에 형성되는 자기장과 수직이 되도록 마이크로파를 조사하여 자기장 분포를 따라 플라즈마 밀도를 높일 수 있는 플라즈마 발생원;을 구비하고,상기 플라즈마 발생원의 플라즈마 챔버 안에, 하나 이상의 타겟을 설치하고, 상기 타겟들에 바이어스 전압을 인가하여 스퍼터링을 일으키며, 상기 타겟은 상기 벨트형 자석에 의해 플라즈마 발생 공간에 형성되는 자기장에 포위되도록 플라즈마 챔버의 내측벽을 따라 하나 이상 부착되고, 상기 플라즈마 챔버의 상면에 나란한 방향으로 배치되는 하나 이상의 타겟을 더 설치하여, 하나 이상의 물질을 기판에 동시 증착할 수 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치
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제1항에 있어서, 상기 플라즈마 발생원에서, 상기 플라즈마 챔버와 마이크로파 조사장치는 마이크로파가 조사되는 개구부로 서로 소통되고, 상기 플라즈마 챔버와 마이크로파 조사장치는 함께 진공화될 수 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치
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제1항에 있어서, 상기 플라즈마 발생원에서, 상기 플라즈마 챔버는 실린더형, 타원 트랙의 밑면을 가진 실린더형, 또는 다각형 밑면의 다각기둥 중 어느 하나로 구성되고, 상기 마이크로파 조사장치는 사각 도파관, 실린더형 도파관, 고리형 도파관, 토러스형 도파관, 트랙형 도파관 또는 상기 도파관들에 슬릿을 형성한 슬릿형 도파관을 포함하고, 상기 마이크로파 조사장치는 마이크로파를 펄스 모드 또는 연속 모드로 조사하는 플라즈마 발생원을 구비한 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치
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제1항에 있어서, 상기 타겟에 인가되는 바이어스 전압은 직류전압, 교류전압, 펄스, 또는 이들의 혼합으로 이루어지는 전압인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치
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플라즈마 발생 공간을 형성하는 플라즈마 챔버;상기 플라즈마 챔버 외벽을 둘러싸는 형태로 배치되는 한 쌍 이상의 벨트형 자석;및상기 플라즈마 발생공간에 마이크로파를 조사하는 마이크로파 조사장치;를 포함하고,상기 벨트형 자석은 틈새 없이 연속된 자석배열을 통해, 원형, 타원트랙, 또는 임의의 폐 다각형으로 구성되어 상기 벨트형 자석에 의한 자기장은 끊어짐이 없이 연속되며,상기 마이크로파 조사장치는, 플라즈마 챔버 상단에 배치되고, 조사 방향을 조절하여, 마이크로파의 전기장이 한 쌍 이상의 벨트형 자석에 의해 플라즈마 발생 공간에 형성되는 자기장과 수직이 되도록 마이크로파를 조사하여 자기장 분포를 따라 플라즈마 밀도를 높일 수 있는 플라즈마 발생원;을 구비하고,상기 플라즈마 발생원의 플라즈마 챔버 안에, 하나 이상의 전기 전도성이 있는 물질로 구성된 중성화 반사판을 설치하고, 상기 중성화 반사판들에 바이어스 전압을 인가하여 중성입자 빔을 생성하며, 상기 중성화 반사판은 상기 벨트형 자석에 의해 플라즈마 발생 공간에 형성되는 자기장에 포위되도록 플라즈마 챔버의 내측벽을 따라 하나 이상 부착되고, 상기 플라즈마 챔버의 상면에 나란한 방향으로 배치되는 하나 이상의 중성화 반사판을 더 설치하여, 중성입자 빔을 발생시키는 것을 특징으로 하는 중성입자 빔 발생원
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하나 이상의 스퍼터링 장치를 설치하고, 하나 이상의 중성입자 빔 발생원을 조합하여 구성되는 박막 증착 시스템으로서,상기 스퍼터링 장치는, 플라즈마 발생 공간을 형성하는 플라즈마 챔버;상기 플라즈마 챔버 외벽을 둘러싸는 형태로 배치되는 한 쌍 이상의 벨트형 자석;및상기 플라즈마 발생공간에 마이크로파를 조사하는 마이크로파 조사장치;를 포함하고,상기 벨트형 자석은 틈새 없이 연속된 자석배열을 통해, 원형, 타원트랙, 또는 임의의 폐 다각형으로 구성되어 상기 벨트형 자석에 의한 자기장은 끊어짐이 없이 연속되며,상기 마이크로파 조사장치는, 플라즈마 챔버 상단에 배치되고, 조사 방향을 조절하여, 마이크로파의 전기장이 한 쌍 이상의 벨트형 자석에 의해 플라즈마 발생 공간에 형성되는 자기장과 수직이 되도록 마이크로파를 조사하여 자기장 분포를 따라 플라즈마 밀도를 높일 수 있는 플라즈마 발생원;을 구비하고,상기 플라즈마 발생원의 플라즈마 챔버 안에, 하나 이상의 타겟을 설치하고, 상기 타겟들에 바이어스 전압을 인가하여 스퍼터링을 일으키며, 상기 타겟은 상기 벨트형 자석에 의해 플라즈마 발생 공간에 형성되는 자기장에 포위되도록 플라즈마 챔버의 내측벽을 따라 하나 이상 부착되고, 상기 플라즈마 챔버의 상면에 나란한 방향으로 배치되는 하나 이상의 타겟을 더 설치하여, 하나 이상의 물질을 기판에 동시 증착할 수 있는 스퍼터링 장치이며,상기 중성입자 빔 발생원은, 상기 플라즈마 발생원의 플라즈마 챔버 안에, 하나 이상의 전기 전도성이 있는 물질로 구성된 중성화 반사판을 설치하고, 상기 중성화 반사판들에 바이어스 전압을 인가하여 중성입자 빔을 생성하며, 상기 중성화 반사판은 상기 벨트형 자석에 의해 플라즈마 발생 공간에 형성되는 자기장에 포위되도록 플라즈마 챔버의 내측벽을 따라 하나 이상 부착되고, 상기 플라즈마 챔버의 상면에 나란한 방향으로 배치되는 하나 이상의 중성화 반사판을 더 설치하여, 중성입자 빔을 발생시키는 중성입자 빔 발생원인 것을 특징으로 하는 박막 증착 시스템
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제6항에 있어서, 상기 타겟 또는 중성화 반사판에 인가되는 바이어스 전압은 직류전압, 교류전압, 펄스, 또는 이들의 혼합으로 이루어지는 전압인 것을 특징으로 하는 박막 증착 시스템
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제6항에 있어서, 상기 중성화 반사판은 금속, 실리콘 또는 그라파이트 중 하나로 구성하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 시스템
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