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대물렌즈부(100)를 구비하는 반도체 웨이퍼 열특성 분석 장치에 있어서, 상기 대물렌즈부(100)는,검사대상(2)으로부터 방출되는 빛을 반사시켜 집광하는 포물선 거울(110);상기 포물선 거울(110)로부터 반사된 빛을 반사하는 평거울(120); 및상기 평거울(120)에서 반사된 빛을 모아 광점을 만드는 제1 비구면 렌즈(130A);를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 열특성 분석 장치
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제 1항에 있어서, 상기 대물렌즈부(100)는,상기 평거울(120)과 제1 비구면 렌즈(130A) 사이에 분광기(140)가 더 구비되어 상기 평거울(120)로부터 상기 제1 비구면 렌즈(130A)로 이동하는 빛에서 가시광선을 분리하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 열특성 분석 장치
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제 1항에 있어서, 상기 대물렌즈부(100)는,상기 검사대상(2)의 중심축과 상기 포물선 거울(110)의 중심축이 어긋나게 배치되는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 열특성 분석 장치
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제 3항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼 열특성 분석 장치는,상기 검사대상(2)이 위치되는 스테이지(300)의 일면을 'XY평면'이라 정의하고, 상기 XY평면과 수직을 이루는 직선을 'Z축'이라고 정의할 시,서로 인접한 상기 포물선 거울(110)의 원주방향 일측 단부를 Z축과 평행하게 연장한 선과, 상기 평거울(120)의 원주방향 타측 단부를 Z축과 평행하게 연장한 선이 서로 이격된 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 열특성 분석 장치
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제 1항에 있어서, 상기 대물렌즈부(100)는,상기 검사대상(2)과, 상기 포물선 거울(110)과, 상기 평거울(120), 및 상기 제1 비구면 렌즈(130A)가 'Z'구조로 배치된 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 열특성 분석 장치
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제 1항 내지 제 5항 중 선택되는 어느 하나의 항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼 열특성 분석 장치는,외부 자극이 없는 상기 검사대상(2)이 방출하는 빛을 이용하여 상기 검사대상(2)의 열특성을 분석하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 열특성 분석 장치
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제 1항 내지 제 5항 중 선택되는 어느 하나의 항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼 열특성 분석 장치는,상기 검사대상(2)을 자극하여 상기 검사대상(2)에서 방출되는 빛을 증가시키는 외부 에너지원(200)이 더 구비되는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 열특성 분석 장치
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제 7항에 있어서, 상기 외부 에너지원(200)은,상기 검사대상(2)에 빛을 가하는 광 출력부(200A)인 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 열특성 분석 장치
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제 7항에 있어서, 상기 외부 에너지원(200)은,상기 검사대상(2)에 전류를 입력하는 전기신호 출력부(200B)인 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 열특성 분석 장치
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제 7항에 있어서, 상기 외부 에너지원(200)은,상기 검사대상(2)에 열 에너지를 전달하는 열 방출부(200C)인 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 열특성 분석 장치
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