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TSV 홀이 형성된 웨이퍼를 지지하는 열방출부;상기 열방출부에 전원을 공급하는 전원 공급부;상기 전원 공급부에 인가되는 신호를 생성하는 신호 생성부;상기 웨이퍼의 표면에서 방출되는 빛을 집광하는 대물렌즈부; 상기 웨이퍼를 투과하여 방출되는 전자기파를 제거하는 필터부;상기 대물렌즈부에서 집광된 빛을 데이터로 전환하는 검출부; 및상기 검출부에서 이미지화된 데이터를 광학적 상관관계를 이용하여 상기 웨이퍼의 두께 또는 상기 TSV 홀의 깊이를 판독하는 비교 판독부를 포함하는 웨이퍼 열특성 분석 장치
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제 1 항에 있어서,상기 신호 생성부는, 상기 열방출부가 일정한 주파수와 진폭을 갖는 열을 방출하도록 조절하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 열특성 분석 장치
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제 2 항에 있어서,상기 열 방출부는 상기 웨이퍼 전체 면에 동일한 열량을 제공하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 열특성 분석 장치
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제 2 항에 있어서,상기 웨이퍼는, 실리콘(Si) 재질로 형성되고,상기 신호 생성부는, 상기 웨이퍼에서 방출되는 전자기파의 파장이 실리콘 최소 투과 파장보다 짧은 파장을 갖도록, 상기 열방출부의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 열특성 분석 장치
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제 2 항에 있어서,상기 열방출부의 온도를 감지하는 온도 센서;를 더 포함하고,상기 신호 생성부는, 상기 온도 센서에서 감지된 온도가 설정값 미만이면, 상기 열방출부에 공급되는 전원을 증가시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 열특성 분석 장치
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제 1 항에 있어서,상기 열방출부를 지지하는 스테이지를 더 포함하고,상기 스테이지는, 상기 웨이퍼가 상기 검출부의 측정 방향에 대하여 직교하는 방향으로 이동되게 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 열특성 분석 장치
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제 1 항에 있어서,상기 대물렌즈부 및 검출부 사이에 구비되며, 상기 웨이퍼의 표면에서 직접 방출되는 1
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TSV 홀이 형성된 웨이퍼를 지지하는 열방출부로 전원을 공급하여, 상기 열방출부에 열을 발생시키는 단계;상기 웨이퍼의 상단 표면에 초점이 맞추어진 대물 렌즈를 이용하여, 검출부에서 상기 웨이퍼 상단 표면의 전자기파 위상을 측정하는 단계;상기 열방출부로 공급되는 전원의 위상을 측정하는 단계; 및상기 웨이퍼 상단 표면의 전자기파 위상과 상기 열방출부로 공급되는 전원의 위상의 차이를 이용하여, 상기 웨이퍼에 형성된 TSV 홀의 깊이를 계산하는 단계를 포함하는 열특성 분석 장치의 제어 방법
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제 8 항에 있어서,상기 열방출부로 공급되는 전원의 시작시점과, 상기 검출부에서 측정하는 시작시점을 동기화 시키는 단계를 더 포함하는 열특성 분석 장치의 제어 방법
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제 8 항에 있어서,상기 열방출부에 열을 발생시키는 단계는,상기 웨이퍼가 일정한 파장을 갖는 전자기파를 방출하도록 전원을 공급하는 것을 특징으로 하는 열특성 분석 장치의 제어 방법
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제 10 항에 있어서,상기 웨이퍼에서 방출되는 전자기파의 파장은 실리콘의 최소 투과 파장보다 짧은 파장을 갖도록 상기 열방출부의 온도를 조절하는 단계를 더 포함하고, 상기 웨이퍼는, 실리콘(Si) 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 열특성 분석 장치의 제어 방법
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제 11 항에 있어서,상기 열방출부의 온도를 감지하는 온도 센서에서 감지된 온도가 설정값 미만이면, 상기 열방출부에 공급되는 전원을 증가시키는 단계를 더 포함하는 열특성 분석 장치의 제어 방법
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제 8 항에 있어서,상기 웨이퍼를 상기 검출부의 측정 방향에 대하여 직교하는 방향으로 이동시키는 단계를 더 포함하고, 상기 웨이퍼의 모든 영역에 대하여 상기한 제어 방법을 반복적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 열특성 분석 장치의 제어 방법
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