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a) 플라즈마 방전에 의해 플라즈마를 생성하는 플라즈마 방전공간과, b) 상기 플라즈마 방전공간의 측면에 배치되고, 플라즈마 방전공간에서 플라즈마 방전에 의해 생성된 플라즈마 이온을 유도하는 제1 바이어스 전압이 인가된 고체원소 코팅층과, c) 상기 고체원소 코팅층을 가로질러 자기장을 인가하는 제1 마그네트론 유닛과, d) 상기 플라즈마 방전공간의 상부에 배치되고, 상기 플라즈마 이온과 고체원소 코팅층의 충돌에 의해 상기 고체원소 코팅층으로부터 스퍼터된 고체원소 양이온을 유도하는 제2 바이어스 전압이 인가된 금속판을 포함하여 이루어진, 고체원소 중성입자빔 생성장치
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제1항에 있어서, 상기 금속판을 가로질러 자기장을 인가하는 제2 마그네트론 유닛을 추가로 포함하는 고체원소 중성입자빔 생성장치
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제2항에 있어서, 상기 제1 마그네트론 유닛과 제2 마그네트론 유닛은 중앙폴과 상기 중앙폴을 둘러싸는 사이드폴이 레이스 트랙 배열을 갖는 고체원소 중성입자빔 생성장치
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제3항에 있어서, 상기 제1 마그네트론 유닛과 제2 마그네트론 유닛은 플라즈마 방전공간에 인가되는 자기장의 세기를 강화시키기 위해, 자기장 차폐제에 의해 형성된 덮개에 의해 밀봉된 고체원소 중성입자빔 생성장치
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제1항에 있어서, 플라즈마 이온과 전자에 의한 부작용을 방지하기 위해, 상기 고체원소 중성입자빔 생성장치가 상기 플라즈마 방전공간의 하부에 홀 또는 슬릿을 갖는 플라즈마 리미터를 추가로 구비하는 고체원소 중성입자빔 생성장치
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제5항에 있어서, 상기 플라즈마 리미터는, 플라즈마 이온 및 전자의 진행경로를 변경시키기 위해, 상기 홀 또는 슬릿에 전기장 또는 자기장을 인가하는 유닛을 추가로 구비하는, 중성입자빔 생성장치
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제5항에 있어서, 중성입자의 방향성을 추가로 향상시키기 위해, 상기 플라즈마 리미터의 하부에 복수의 홀을 갖는 칼러메이터(collimator)를 추가로 포함하는 고체원소 중성입자빔 생성장치
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a) 플라즈마 방전공간으로 처리가스를 도입하는 단계,b) 상기 플라즈마 방전공간에서 플라즈마 방전으로 처리가스를 플라즈마로 전환시키는 단계,c) 생성된 플라즈마를 상기 플라즈마 방전공간의 측면에 배치된 고체원소 코팅막과 충돌시켜, 고체원소를 상기 고체원소 코팅막으로부터 플라즈마 방전공간으로 스퍼터링하는 단계,d) 상기 고체원소 코팅막으로부터 스퍼티링된 고체원소의 양이온을 상기 플라즈마 방전공간의 상부에 배치된 금속판으로 유도하는 단계,e) 상기 금속판과 고체원소의 양이온의 충돌에 의해 고체원소의 중성입자를 생성하는 단계, 및f) 상기 고체원소의 중성입자를 기판과 접촉시켜 기판 표면을 처리하는 단계를 포함하여 이루어진, 고체원소 중성입자빔을 이용한 기판의 표면처리방법
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제8항에 있어서, 상기 단계 c)의 고체원소 코팅막으로부터 고체원소의 스퍼터링은 상기 고체원소 코팅막을 가로질러 자기장을 인가하는 제1 마그네트론 유닛에 의해 촉진되고, 상기 단계 e)의 고체원소의 중성입자의 생성은 상기 금속판을 가로질러 자기장을 인가하는 제2 마그네트론 유닛에 의해 촉진된 것을 특징으로 하는 표면처리방법
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제9항에 있어서, 상기 제1 마그네트론 유닛과 제2 마그네트론 유닛은 중앙폴과 상기 중앙폴을 둘러싸는 사이드폴이 레이스 트랙 배열을 갖는 것을 특징으로 하는 표면처리방법
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