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a) 중성입자빔을 소정의 패턴이 형성된 마스크를 통과시키는 단계와,b) 상기 마스크를 통과한 중성입자빔을 포토레지스트로 도포되지 아니한 기판과 직접 접촉시키는 단계와, 그리고c) 상기 중성입자빔과 접촉한 기판표면으로부터 기판을 형성하는 물질을 직접 에칭에 의해 제거하여, 상기 중성입자빔과 접촉한 영역에 네가티브 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 중성입자빔을 이용한 직접 에칭에 의해 기판 상에 소정의 패턴을 형성하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 a)의 중성입자빔이,a-1) 플라즈마 방전공간에서 플라즈마 방전에 의해 처리가스의 플라즈마를 생성하는 단계와,a-2) 상기 플라즈마 방전공간에서 생성된 플라즈마의 양이온을 상기 플라즈마 방전공간의 상부에 위치한 금속판과 충돌시켜 중성입자를 생성하는 단계와, 그리고a-3) 생성된 중성입자를, 상기 플라즈마 방전공간의 하부에 위치한, 슬릿 또는 홀을 갖는 플라즈마 리미터를 통과시켜, 상기 플라즈마 방전공간에서 생성된 플라즈마 이온 또는 전자의 간섭을 배제하는 단계에 의해 생성되는, 중성입자빔을 이용한 직접 에칭에 의해 기판 상에 소정의 패턴을 형성하는 방법
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제2항에 있어서, 상기 단계 a-1)의 플라즈마 방전을 수행하면서, 상기 금속판을 가로질러 플라즈마 방전공간에 자기장을 인가하여, 금속판 근방에서의 플라즈마 이온의 분포를 증가시키는 단계를 포함하는, 중성입자빔을 이용한 직접 에칭에 의해 기판 상에 소정의 패턴을 형성하는 방법
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제3항에 있어서, 상기 단계 a-1)의 플라즈마 방전을 수행하면서, 중앙폴과 상기 중앙폴을 둘러싸는 사이드폴로 이루어진 레이스 트랙 배열을 갖는 마그네트론 유닛에 의해 상기 금속판을 가로질러 플라즈마 방전공간에 자기장을 인가하는, 중성입자빔을 이용한 직접 에칭에 의해 기판 상에 소정의 패턴을 형성하는 방법
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제2항에 있어서, 상기 단계 a-3)의 플라즈마 리미터를 통과한 중성입자빔을, 상기 플라즈마 리미터의 하부에 위치한, 홀을 갖는 칼러메이터를 통과시켜 칼러메이팅하는 단계를 추가로 포함하는, 중성입자빔을 이용한 직접 에칭에 의해 기판 상에 소정의 패턴을 형성하는 방법
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제5항에 있어서, 상기 칼러메이터에 형성된 홀의 길이는 중성입자빔의 평균자유이동거리로 설정되고, 상기 홀의 직경은 상기 홀의 길이를 기판에 형성하고자 하는 패턴형상의 깊이와 넓이의 비로 나눈 값으로 설정되는, 중성입자빔을 이용한 직접 에칭에 의해 기판 상에 소정의 패턴을 형성하는 방법
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제2항에 있어서, 상기 금속판은 오목거울 형상을 갖고, 상기 마스크와 기판의 사이에 애퍼츄어를 갖는 판을 위치시켜, 상기 금속판에 의해 반사된 중성입자빔을 상기 애퍼츄어의 중심에 집속하는 단계를 추가적으로 포함하는, 중성입자빔을 이용한 직접 에칭에 의해 기판 상에 소정의 패턴을 형성하는 방법
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제2항에 있어서, 상기 기판이 실리콘 기판이고, 상기 처리가스가 불소 또는 염소-함유 기체인, 중성입자빔을 이용한 직접 에칭에 의해 기판 상에 소정의 패턴을 형성하는 방법
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제2항에 있어서, 상기 기판과 직접 접촉하지 아니한 채, 1 - 20 범위 내의 배율을 갖는 마스크를 사용하는, 중성입자빔을 이용한 직접 에칭에 의해 기판 상에 소정의 패턴을 형성하는 방법
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제9항에 있어서, 상기 기판과 직접 접촉하지 아니한 채, 상기 기판의 상부에서, 근접 배치된 배율이 1인 스텐실 마스크를 사용하는, 중성입자빔을 이용한 직접 에칭에 의해 기판 상에 소정의 패턴을 형성하는 방법
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