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갈륨나이트라이드를 기판으로한 페로브스카이트 구조의강유전체 박막트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015199497
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 갈륨나이트라이드를 기판으로한 페로브스카이트 구조의 강유전체 박막트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 갈륨나이트라이드(GaN) 박막 상면에 Ga2O3 박막을 증착시켜 중간층을 형성시키는 중간층 형성단계와; 상기 중간층 상면에 페로브스카이트 구조를 가지는 납(Pb)-란타늄(La)-지르코늄(Zr)-티타늄(Ti) 산화물(PbxLa1-xZryTi1-yO3, PLZT)계 강유전체 박막층을 형성시키는 PLZT 박막층 형성단계와; 상기 PLZT 박막층 상면에 전도성 산화물 LaNiO3(LNO)박막을 형성시키는 상부전극층 형성단계; 그리고, 증착된 박막을 식각공정을 통해 소자 구조를 형성시키는 소자 형성단계;를 포함하여 구성되는 갈륨나이트라이드를 기판으로한 페로브스카이트 구조의 강유전체 박막트랜지스터 및 그 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, PLZT 박막의 물성적인 측면에서 화학량론적인 제어와 대면적 증착, 저온 공정 등이 가능한 졸-겔(Sol-gel) 법으로 강유전체인 PLZT 그리고 산화물 전극으로 LNO, 중간층으로 Ga2O3 박막을 GaN 단결정 기판 위에 성장시켜 강유전성(ferroelectricity)이 향상된 비파괴 독출형(Non-destructive readout-type)의 트랜지스터를 형성시켜 전기-광학 소자 응용은 물론 2T-2C, 1T-1C, MFIS, MFMIS 형의 단일트랜지스터 강유전체 메모리 소자(single transistor ferroelectric memory device)에 응용가능하다는 이점이 있다. 전도성 산화물 박막 PLZT 박막 이종접합
Int. CL H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/78 (2006.01.01) H01L 29/51 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 29/6684(2013.01) H01L 29/6684(2013.01) H01L 29/6684(2013.01) H01L 29/6684(2013.01) H01L 29/6684(2013.01)
출원번호/일자 1020040067716 (2004.08.27)
출원인 한국기초과학지원연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2004-0079884 (2004.09.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.08.27)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조채룡 대한민국 부산광역시 동래구
2 김종필 대한민국 부산광역시 동래구
3 윤장희 대한민국 부산광역시 금정구
4 정세영 대한민국 부산광역시 금정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 구성진 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)(특허법인부경)
2 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-0385183-40
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.02.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2006-0017137-07
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0156574-00
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0354692-21
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0436893-03
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2006.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0444880-99
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.21 수리 (Accepted) 4-1-2011-5212108-42
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5184293-13
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5184331-50
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2013-5058386-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2013-5058545-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2020-5135881-88
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번호 청구항
1 1

갈륨나이트라이드(GaN) 박막 상면에 Ga2O3 박막을 증착시켜 중간층을 형성시키는 중간층 형성단계와;

상기 중간층 상면에 페로브스카이트 구조를 가지는 납(Pb)-란타늄(La)-지르코늄(Zr)-티타늄(Ti) 산화물(PbxLa1-xZryTi1-yO3, PLZT)계 강유전체 박막층을 형성시키는 PLZT 박막층 형성단계와;

상기 PLZT 박막층 상면에 전도성 산화물 LaNiO3(LNO)박막을 형성시키는 상부전극층 형성단계; 그리고,

증착된 박막을 식각공정을 통해 소자 구조를 형성시키는 소자 형성단계;를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드를 기판으로한 페로브스카이트 구조의 강유전체 박막트랜지스터 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 중간층 형성단계후에 상기 중간층 상면에 전도성 산화물 LaNiO3(LNO)박막을 형성시키는 하부전극층 형성단계가 진행됨을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드를 기판으로한 페로브스카이트구조의 강유전체 박막트랜지스터 제조방법

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 갈륨나이트라이드(GaN) 박막은 사파이어(Al2O3)기판 상면에 금속유기화학 증착법에 의해 형성됨을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드를 기판으로한 페로브스카이트구조의 강유전체 박막트랜지스터 제조방법

4 4

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 중간층은, 플라즈마 원자층 증착(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition, PEALD)법 또는 졸겔법을 이용하여 형성됨을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드를 기판으로한 페로브스카이트구조의 강유전체 박막트랜지스터 제조방법

5 5

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 PLZT 박막층 형성단계는,

Pb-아세테이트(acetate), La-2 메톡시에톡사이드(methoxyethoxide), Zr-아이소프록사이드(isopropoxide), Ti-아이소프록사이드(isopropoxide)를 소스로 사용하여 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol; CH3OCH2CH2OH)에 녹여 선구 용액(precursor solution)을 제조하는 제1단계와;

상기 선구물질을 스핑코팅시키는 제2단계와;

상기 스핀 코팅된 선구물질을 건조시키는 제3단계; 그리고,

최종 결정화를 위한 어닐링을 실시하는 제4단계;를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드를 기판으로한 페로브스카이트구조의 강유전체 박막트랜지스터 제조방법

6 6

사파이어(Al2O3)기판 상면에 금속유기화학 증착법에 의해 형성된 GaN 박막층과;

상기 GaN 박막층 상면에 Ga2O3 박막을 증착시킴에 의해 형성된 중간층과;

상기 중간층 상면에 페로브스카이트 구조를 가지는 납(Pb)-란타늄(La)-지르코늄(Zr)-티타늄(Ti) 산화물(PbxLa1-xZryTi1-yO3, PLZT)계 강유전체층을 박막형태로 형성된 PLZT 박막층; 그리고,

상기 PLZT 박막층 상면에 전도성 산화물 LaNiO3(LNO)박막을 증착시킴에 의해 형성된 상부전극층;을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드를 기판으로한 페로브스카이트 구조의 강유전체 박막트랜지스터

7 7

제6항에 있어서, 상기 중간층과 PLZT 박막층 사이에는 전도성 산화물 LaNiO3(LNO)박막을 증착시킴에 의해 형성된 하부전극층이 더 포함됨을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드를 기판으로한 페로브스카이트구조의 강유전체 박막트랜지스터

8 8

제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 갈륨나이트라이드(GaN) 박막은, 사파이어(Al2O3)기판 상면에 금속유기화학 증착법에 의해 형성됨을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드를 기판으로한 페로브스카이트구조의 강유전체 박막트랜지스터

9 9

제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 중간층은, 플라즈마 원자층 증착(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition, PEALD)법 또는 졸겔법을 이용하여 형성됨을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드를 기판으로한 페로브스카이트구조의 강유전체 박막트랜지스터

10 10

제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 PLZT 박막층은, Pb-아세테이트(acetate), La-2 메톡시에톡사이드(methoxyethoxide), Zr-아이소프록사이드(isopropoxide), Ti-아이소프록사이드(isopropoxide)를 소스로 사용하여 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol; CH3OCH2CH2OH)에 녹여 선구 용액(precursor solution)을 제조하여 기판에 스핀 코팅시켜 건조시킨 후 어닐링을 실시하여 형성됨을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드를 기판으로한 페로브스카이트구조의 강유전체 박막트랜지스터

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.