| 1 |
1
플라즈마 방전에 의해 처리가스의 플라즈마를 생성하는 플라즈마 방전공간과, 상기 플라즈마 방전공간에서 생성된 플라즈마 이온과 충돌하여 플라즈마 이온을 중성입자로 변환시키는 금속판과, 중성입자로 전환되지 아니한 플라즈마 이온 및 전자의 통과를 방해하는 플라즈마 리미터와, 상기 플라즈마 방전공간에 자기장을 인가하는 마그네트론 유닛을 포함하여 이루어지되, 여기서 상기 플라즈마 방전공간은 상기 금속판과 플라즈마 리미터의 사이에 샌드위치되고, 상기 마그네트론 유닛은 상기 금속판을 가로질러 상기 플라즈마 방전공간에 자기장을 인가하고 플라즈마 분포를 제어하는 것을 특징으로 하는, 향상된 중성입자 플럭스를 갖는 중성입자빔 생성장치
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 금속판의 하부에 플라즈마 방전공간이 위치하며, 상기 플라즈마 방전공간의 하부에 플라즈마 리미터가 위치하며, 상기 마그네트론 유닛은 상기 금속판의 상부에 위치하는, 중성입자빔 생성장치
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 마그네트론 유닛은 중앙폴과 상기 중앙폴을 둘러싸는 사이드폴로 이루어진 레이스 트랙 배열을 갖는, 중성입자빔 생성장치
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 마그네트론 유닛에 의해 플라즈마 방전공간으로 인가되는 자기장의 세기를 보다 강화시키기 위해, 상기 마그네트론 유닛은 자기장 차폐제에 의해 형성된 덮개에 의해 밀봉된, 중성입자빔 생성장치
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 장치가 플라즈마 리미터를 통과한 중성입자를 칼러메이팅하는 칼러메이터를 추가로 포함하는 중성입자빔 생성장치
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 장치가, 상기 플라즈마 방전공간으로 기상의 중성원자를 공급하는 스퍼터링 유닛을 추가적으로 포함하는 중성입자빔 생성장치
|
| 7 |
7
제5항에 있어서, 상기 플라즈마 리미터는 홀 또는 슬릿을 갖고, 상기 칼러메이터는 홀을 갖는, 중성입자빔 생성장치
|
| 8 |
8
a) 내부공간과 측벽에 배치된 가스 유입구를 포함하는 반응 챔버, 여기서 상기 반응챔버의 내부 공간은 플라즈마 방전공간이며, 상기 플라즈마 방전공간의 상부에 금속판이 배치되며, 상기 금속판의 상부에 마그네트론 유닛이 배치되며, 상기 가스 유입구를 통해 상기 플라즈마 방전공간으로 유입된 처리가스는 상기 플라즈마 방전공간에서 플라즈마 방전에 의해 플라즈마로 변환되고, 상기 마그네트론 유닛에 의해 상기 금속판을 가로질러 플라즈마 방전공간으로 자기장이 인가되고, 상기 자기장에 의해 상기 금속판의 인접 영역이 높은 플라즈마 이온 밀도를 갖고, 상기 금속판과 플라즈마 이온과의 충돌에 의해 플라즈마 이온이 중성입자로 변환됨,b) 플라즈마 이온 및 전자의 통과를 방해하고, 상기 금속판과 플라즈마 이온과의 충돌에 의해 생성된 중성입자만 선택적으로 통과시키는, 상기 반응 챔버의 하부에 위치한 플라즈마 리미터, 및c) 상기 플라즈마 리미터의 하부에, 상기 중성입자에 의해 표면처리가 수행되는 기판을 수납하는 처리실을 포함하는 중성입자빔 생성장치
|
| 9 |
9
제8항에 있어서, 상기 마그네트론 유닛은 중앙폴과 상기 중앙폴을 둘러싸는 사이드폴로 이루어진 레이스 트랙 배열을 갖는, 중성입자빔 생성장치
|
| 10 |
10
제8항에 있어서, 상기 플라즈마 리미터를 통과한 중성입자를 칼러메이팅하는 칼러메이터를 상기 플라즈마 리미터와 상기 처리실 사이에 추가로 포함하는 중성입자빔 생성장치
|
| 11 |
11
제8항에 있어서, 상기 장치가, 상기 플라즈마 방전공간으로 기상의 중성원자를 공급하는 스퍼터링 유닛을 상기 반응챔버의 측벽에 추가적으로 포함하는 중성입자빔 생성장치
|
