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중성자 발생원

  • 기술번호 : KST2015199501
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 타겟 부근에 고밀도 플라즈마 형성하고, 타겟의 표면 과열을 방지하여 높은 플럭스로 중성자를 생성할 수 있는 중성자 발생원을 제공함을 목적으로 하여, 상기 목적 달성을 위해, 타겟 근처에 자기장을 형성하고, 상기 자기장이 형성된 공간 내부에서 플라즈마를 발생시켜 타겟 근처에 고밀도 플라즈마를 형성함으로써 타겟으로부터 중성자를 높은 플럭스로 방출하게 하였다. 또한, 플라즈마를 펄스로 발생시킴과 동시에 타겟 전압을 펄스로 인가하여 타겟의 표면 과열을 방지하였고, 반응 진행 중 흡착원소가 소진된 타겟은 타겟 바이어스 전압을 조절하여 재흡착으로 지속적인 공정을 진행할 수 있게 하였다. 또한, 본 발명의 중성자 발생원은 타겟의 형상을 평판형, 원통형, 선형 등으로 자유로이 변형할 수 있게 하여 대면적형, 포터블형 등으로 다양한 응용에 활용되게 하였다.
Int. CL G21G 4/02 (2006.01) G21K 7/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120033751 (2012.04.02)
출원인 한국기초과학지원연구원
등록번호/일자 10-1305588-0000 (2013.09.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130909) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.02)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유 석재 대한민국 대전광역시 유성구
2 김 성봉 대한민국 대전 유성구
3 윤 정식 대한민국 대전광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주은희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** 선릉엘지에클라트 B-***(아이디어로특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0261088-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5184331-50
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5184293-13
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.11.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.12.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0095472-91
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0120549-12
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2013-5058386-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2013-5058545-81
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0332599-10
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0332648-59
11 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0592781-91
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2020-5135881-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플라즈마 발생용 챔버;상기 플라즈마 발생용 챔버 내에 배치되는, 중성자 발생 원소 또는 감마선 발생 원소가 흡착되어 있는 타겟;상기 타겟의 주위에 설치되어 타겟 주위에 자기장을 형성하는 자석 구조물;상기 자기장이 형성된 공간 내부에 플라즈마를 발생시키기 위해 입사되는 마이크로파를 조사하는 마이크로파 발생기;및상기 타겟에 전압을 인가하는 전원장치;를 포함하여, 상기 자기장이 형성된 공간에서 플라즈마를 발생시켜 상기 타겟 근처에 플라즈마를 형성함과 동시에 플라즈마와 타겟 사이에 형성되는 플라즈마 쉬스(plasma sheath)를 이용하여 이온을 인출함으로써 타겟으로부터 중성자 또는 감마선을 방출하게 하는 것을 특징으로 하는 중성자 또는 감마선 발생원
2 2
제1항에 있어서, 상기 마이크로파 발생기로 마이크로파를 펄스로 상기 플라즈마 발생 챔버에 조사하여 플라즈마를 펄스 모드로 발생시키는 것을 특징으로 하는 중성자 또는 감마선 발생원
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 타겟에 인가되는 전압은 펄스 전압인 것을 특징으로 하는 중성자 또는 감마선 발생원
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 타겟은 평판형으로 형성되고, 상기 자석 구조물은, 상기 타겟을 중심으로 하여 브릿지 형태의 자기력선을 형성하도록 상기 타겟 윗 편에 배치되는 다수의 단편 자석 배열을 포함하는 것을 특징으로 하는 중성자 또는 감마선 발생원
5 5
제4항에 있어서, 상기 타겟에 인가되는 전압은 펄스 전압인 것을 특징으로 하는 중성자 또는 감마선 발생원
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 타겟은 원통형으로 형성되고, 상기 자석 구조물은, 상기 타겟을 중심으로 하여 브릿지 형태의 자기력선을 형성하도록 타겟 외측에 타겟의 일부를 둘러싸는 형태로 배열되며 쌍을 이루는 원통형 또는 고리형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 중성자 또는 감마선 발생원
7 7
제6항에 있어서, 상기 타겟에 인가되는 전압은 펄스 전압인 것을 특징으로 하는 중성자 또는 감마선 발생원
8 8
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 자석 구조물은 쌍을 이루는 원통형 또는 고리형으로 배열되고, 상기 타겟은 상기 원통형 또는 고리형으로 배열된 자석 구조물의 중심축에 선형 또는 평판형으로 배치하여, 브릿지(bridge) 형태의 자기력선이 상기 타겟을 포위하게 하는 것을 특징으로 하는 중성자 또는 감마선 발생원
9 9
제8항에 있어서, 상기 타겟에 인가되는 전압은 펄스 전압인 것을 특징으로 하는 중성자 또는 감마선 발생원
10 10
제8항에 있어서, 상기 자석 구조물은, 다중의 쌍을 이루는 원통형 또는 고리형으로 배열되고, 상기 타겟은 상기 원통형 또는 고리형으로 배열된 자석 구조물의 중심축에 선형 또는 평판형으로 배치하여, 멀티 모드(multi mode)의 브릿지 형태의 자기력선이 상기 타겟을 포위하게 하는 것을 특징으로 하는 중성자 또는 감마선 발생원
11 11
제10항에 있어서, 상기 타겟에 인가되는 전압은 펄스 전압인 것을 특징으로 하는 중성자 또는 감마선 발생원
12 12
플라즈마를 발생시킬 챔버 안에 핵융합 원소가 흡착된 타겟을 배치하고, 핵융합 원소를 포함한 가스를 유입하고, 상기 타겟을 둘러싸는 자기력선을 이루는 자기장을 형성하고, 상기 자기장이 형성된 공간 내부에 플라즈마를 발생시켜 타겟 주위에 플라즈마를 형성함과 동시에 플라즈마와 타겟 사이에 형성된 플라즈마 쉬스를 이용하여 이온을 가속시켜 타겟으로부터 중성자 또는 감마선을 방출하게 하는 것을 특징으로 하는 중성자 또는 감마선 발생방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 플라즈마의 발생을 위해, 상기 자기장이 형성된 공간 내부에 마이크로파를 조사하는 것을 특징으로 하는 중성자 또는 감마선 발생방법
14 14
제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 타겟에 바이어스 전압을 인가하여 플라즈마를 타겟 쪽으로 가속하는 것을 특징으로 하는 중성자 또는 감마선 발생방법
15 15
제14항에 있어서, 펄스 모드의 플라즈마를 발생하게 하고, 타겟에 인가되는 바이어스 전압을 펄스 전압 또는 직류전압을 인가하거나, 비 펄스 모드인 연속 모드의 플라즈마를 발생하게 하고, 타겟에 인가되는 바이어스 전압을 펄스 전압 또는 직류전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 중성자 또는 감마선 발생방법
16 16
플라즈마 챔버 안에 핵융합 원소가 흡착된 타겟을 배치하고, 핵융합 원소를 포함한 가스를 유입하여 플라즈마를 발생시켜 중성자 또는 감마선을 발생시키는 플라즈마 핵융합 공정에 있어서, 타겟의 바이어스 전압을 조절하여 핵융합 원소를 타겟에 흡착시켜 별도의 타겟 교체를 요하지 않고 지속적으로 핵융합 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 타겟에 핵융합 원소를 흡착시키는 방법
17 17
제16항에 있어서, 타겟의 바이어스 전압은 직류전압으로 인가하고, 핵융합 반응을 일으켜 중성자 또는 감마선을 발생시킬 때 인가하는 바이어스 전압에 비해 더 낮은 전압으로 인가되는 것을 특징으로 하는 타겟에 핵융합 원소를 흡착시키는 방법
18 18
제14항에 있어서, 중성자 또는 감마선을 발생시키는 공정을 진행하다가, 상기 타겟에 인가된 바이어스 전압을, 중성자 또는 감마선을 발생시키기 위해 인가하는 바이어스 전압에 비해 더 낮은 전압으로 인가하여 핵융합 원소를 타겟에 흡착시켜 별도의 타겟 교체를 요하지 않고 지속적으로 핵융합 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 중성자 또는 감마선 발생방법
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3 WO2013151284 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CA2868796 CA 캐나다 DOCDBFAMILY
2 CA2868796 CA 캐나다 DOCDBFAMILY
3 US2015063518 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9805830 US 미국 DOCDBFAMILY
5 WO2013151284 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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1 교육과학기술부 국가핵융합연구소 플라즈마기술연구센터 플라즈마 융복합기술 연구기반 구축사업 플라즈마를 활용한 융복합 연구사업