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유연한(flexible) 하부 기판에 형성된 하부 전극 상에 하부 그래핀 패턴을 전사하는 단계;상기 하부 그래핀 패턴 상에, 상기 하부 그래핀 패턴의 결정 방향과 실질적으로 동일한 결정 방향을 갖는 제1 도전형의 하부 열전 패턴을 기상합성법을 이용하여 성장시키는 단계;유연한(flexible) 상부 기판에 형성된 상부 전극 상에 상부 그래핀 패턴을 전사하는 단계;상기 상부 그래핀 패턴 상에, 상기 상부 그래핀 패턴의 결정 방향과 실질적으로 동일한 결정 방향을 가지며, 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형의 상부 열전 패턴을 기상합성법을 이용하여 성장시키는 단계;상기 하부 및 상부 그래핀 패턴들이 서로 마주보도록 배치하는 단계;상기 하부 열전 패턴을 상기 상부 전극에, 상기 상부 열전 패턴을 상기 하부 전극에 각각 접촉시키는 단계를 포함하는 열전 소자 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 하부 열전 패턴은 Bi2Te3, Bi2Se3, Sb2Te3, Sb2Se3으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 열전 소자 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 하부 열전 패턴의 제1 도전형이 n형일 경우,상기 하부 열전 패턴을 기화합성법으로 형성하는 동안 Se, La, Yb, Co 및 In 중 적어도 하나를 인-시튜로 도핑하는 열전 소자 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 하부 열전 패턴의 제1 도전형이 p형일 경우,상기 하부 열전 패턴을 기화합성법으로 형성하는 동안 Sb를 인-시튜로 도핑하는 열전 소자 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 상부 열전 패턴은 Bi2Te3, Bi2Se3, Sb2Te3, Sb2Se3으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 열전 소자 형성 방법
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제5항에 있어서,상기 상부 열전 패턴의 제2 도전형이 n형일 경우,상기 상부 열전 패턴을 기화합성법으로 형성하는 동안 Se, La, Yb, Co 및 In 중 적어도 하나를 인-시튜로 도핑하는 열전 소자 형성 방법
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제5항에 있어서,상기 상부 열전 패턴의 제2 도전형이 p형일 경우,상기 상부 열전 패턴을 기화합성법으로 형성하는 동안 Sb를 인-시튜로 도핑하는 열전 소자 형성 방법
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서로 마주하는 유연한 하부 기판 및 유연한 상부 기판;상기 하부 및 상부 기판들 사이에서, 상기 하부 기판 상에 배치되는 하부 전극;상기 하부 전극 상에 전사된 하부 그래핀 패턴;상기 하부 및 상부 기판들 사이에서, 상기 상부 기판 상에 배치되는 상부 전극;상기 상부 전극 상에 전사된 상부 그래핀 패턴;상기 하부 그래핀 패턴 및 상기 상부 전극 사이를 연결하며, 상기 하부 그래핀 패턴의 결정 방향과 실질적으로 동일한 결정 방향을 갖는 제1 도전형의 하부 열전 패턴; 및상기 상부 그래핀 패턴 및 상기 하부 전극 사이를 연결하며, 상기 상부 그래핀 패턴의 결정 방향과 실질적으로 동일한 결정 방향을 가지며, 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형의 상부 열전 패턴을 포함하는 열전 소자
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제8항에 있어서,상기 하부 열전 패턴 또는 상기 상부 열전 패턴은 Bi2Te3, Bi2Se3, Sb2Te3, Sb2Se3으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 열전 소자
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제8항에 있어서,상기 하부 열전 패턴 또는 상기 상부 열전 패턴은 단결정인 열전 소자
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