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고압 전자파 플라즈마 토치를 이용한 반응 장치 및 이를 이용한 질소산화물생산

  • 기술번호 : KST2015199511
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마 토치를 이용한 반응 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 고압 조건에서 플라즈마를 발생시키고 반응할 시킬 수 있는 반응 장치에 관한 것이며, 이 장치를 이용한 질소산화물의 합성 방법에 관한 것이다.
Int. CL C01B 21/24 (2006.01) H05H 1/44 (2006.01) B01J 19/12 (2006.01)
CPC B01J 19/12(2013.01) B01J 19/12(2013.01) B01J 19/12(2013.01) B01J 19/12(2013.01)
출원번호/일자 1020140031266 (2014.03.17)
출원인 한국기초과학지원연구원
등록번호/일자 10-1480096-0000 (2014.12.31)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150107) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020140169597;
심사청구여부/일자 Y (2014.03.17)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍용철 대한민국 대전광역시 유성구
2 최대현 대한민국 대전광역시 유성구
3 김지훈 대한민국 대전광역시 유성구
4 김강일 대한민국 대전광역시 유성구
5 마숙활 대한민국 대전광역시 유성구
6 김예진 대한민국 대전광역시 유성구
7 허진영 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0256369-99
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0347682-87
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2014.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2014.04.21 수리 (Accepted) 9-1-2014-0033813-05
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0474725-44
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0859108-11
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.09.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0859107-76
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0743024-90
9 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2014.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-1164876-79
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.12.01 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-1164855-10
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-1164856-66
12 등록결정서
Decision to Grant Registration
2014.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0868194-85
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2020-5135881-88
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
플라즈마 발생부, 상기 플라즈마 발생부로 마이크로웨이브를 전송하는 마이크로웨이브 발생부, 및 상기 플라즈마 발생부로 플라즈마 소스 가스를 주입하는 플라즈마 소스 가스 주입부를 포함하고,상기 플라즈마 발생부의 플라즈마 토치 발생 영역의 출구 측에 제1 압력 밸브를 포함하고,상기 플라즈마 소스 가스의 주입을 위한 입구 측에 제2 압력 밸브를 포함하며,상기 플라즈마 발생부 내는 플라즈마 발생시 대기압 초과의 압력을 유지하도록 구성되는, 고압 전자파 플라즈마 토치를 이용한 반응 장치로서,상기 플라즈마 발생부는 상기 플라즈마 소스 가스가 주입되고 상기 마이크로웨이브 발생부로부터의 마이크로웨이브의 유입영역인 제1입구측영역 및 상기 플라즈마 토치가 발생되는 측의 제1출구측영역을 포함하고,상기 제1입구측영역 내의 가스의 선속도는 상기 제1출구측영역 내의 선속도보다 큰,고압 전자파 플라즈마 토치를 이용한 반응 장치
3 3
제2항에 있어서,상기 제1출구측영역 내의 직경이 상기 제1입구측영역의 직경보다 큰,고압 전자파 플라즈마 토치를 이용한 반응 장치
4 4
플라즈마 발생부, 상기 플라즈마 발생부로 마이크로웨이브를 전송하는 마이크로웨이브 발생부, 및 상기 플라즈마 발생부로 플라즈마 소스 가스를 주입하는 플라즈마 소스 가스 주입부를 포함하고,상기 플라즈마 발생부의 플라즈마 토치 발생 영역의 출구 측에 제1 압력 밸브를 포함하고,상기 플라즈마 소스 가스의 주입을 위한 입구 측에 제2 압력 밸브를 포함하며,상기 플라즈마 발생부 내는 플라즈마 발생시 대기압 초과의 압력을 유지하도록 구성되는, 고압 전자파 플라즈마 토치를 이용한 반응 장치로서,상기 플라즈마 발생부는 상기 플라즈마 소스 가스가 주입되는 측의 제2입구측영역; 상기 플라즈마 토치가 발생되는 측의 제2출구측영역; 및 상기 제2입구측영역과 상기 제2출구측영역 사이의 플라즈마중간영역을 포함하고,상기 중간영역은 상기 마이크로웨이브 발생부로부터의 마이크로웨이브의 유입영역이며, 상기 제2입구측영역 및 상기 제2출구측영역 내의 가스의 선속도는 상기 플라즈마중간영역 내의 선속도보다 작은,고압 전자파 플라즈마 토치를 이용한 반응 장치
5 5
제4항에 있어서,상기 제2입구측영역 및 상기 제2출구측영역 내의 직경이 상기 플라즈마중간영역 내의 직경보다 큰,고압 전자파 플라즈마 토치를 이용한 반응 장치
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플라즈마 발생부, 상기 플라즈마 발생부로 마이크로웨이브를 전송하는 마이크로웨이브 발생부, 및상기 플라즈마 발생부로 플라즈마 소스 가스를 주입하는 플라즈마 소스 가스 주입부를 포함하며,상기 플라즈마 발생부의 플라즈마 토치 발생 영역의 출구 측에 제1 압력 밸브를 포함하고,상기 플라즈마 소스 가스의 주입을 위한 입구 측에 제2 압력 밸브를 포함하며,상기 플라즈마 발생부 내는 플라즈마 발생시 대기압 초과의 압력을 유지하도록 구성되는, 고압 전자파 플라즈마 토치를 이용한 반응 장치의 소스가스주입부로 질소 및 산소를 포함한 가스를 주입하고, 상기 플라즈마발생부 내의 압력을 대기압 이상으로 구성시켜 질소산화물을 포함하는 가스를 생산함을 포함하는, 고압 플라즈마를 이용한 질소산화물의 생산 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 질소산화물은 NO, NO2, N2O2, N2O3 및 N2O4로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상임을 특징으로 하는,고압 플라즈마를 이용한 질소산화물의 생산 방법
12 12
제10항에 있어서,상기 플라즈마 발생부 내의 압력을 1
13 13
제10항에 있어서,상기 플라즈마 발생부 내의 압력이 증가함에 따라, 질소산화물의 생산이 지수적으로(exponentially) 증가됨을 특징으로 하는,고압 플라즈마를 이용한 질소산화물의 생산 방법
14 14
삭제
15 15
제10항에 있어서,상기 플라즈마 발생부 내의 압력을 2
16 16
플라즈마 발생부, 상기 플라즈마 발생부로 마이크로웨이브를 전송하는 마이크로웨이브 발생부, 및상기 플라즈마 발생부로 플라즈마 소스 가스를 주입하는 플라즈마 소스 가스 주입부를 포함하며,상기 플라즈마 발생부의 플라즈마 토치 발생 영역의 출구 측에 제1 압력 밸브를 포함하고,상기 플라즈마 소스 가스의 주입을 위한 입구 측에 제2 압력 밸브를 포함하며,상기 플라즈마 발생부 내는 플라즈마 발생시 대기압 초과의 압력을 유지하도록 구성되는, 고압 전자파 플라즈마 토치를 이용한 반응 장치의 소스가스주입부로 질소 및 산소를 포함한 가스를 주입하고, 상기 플라즈마발생부 내의 압력을 대기압 이상으로 구성시켜 질소산화물을 포함하는 가스를 생산하며, 상기 질소산화물을 포함하는 가스를 수용액에 용해시킴을 포함하는, 고압 플라즈마를 이용한 질소 함유 이온 수용액 생산 방법
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제16항에 있어서,상기 수용액은 NO3-이온(nitrate anion), NO2-(nitrite anion), NO2+(nitronium cation), NO- (nitroxyl anion), NO+ (nitrosonium cation), NO·(nitric monoxide free radical), 및 NO2·(nitric dioxide free radical)로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상을 함유함을 특징으로 하는,고압 플라즈마를 이용한 질소 함유 이온 수용액 생산 방법
18 18
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1 KR101548603 KR 대한민국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
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