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플라즈마 발생부;상기 플라즈마 발생부로 마이크로웨이브를 전송하는 마이크로웨이브 발생부; 및상기 플라즈마 발생부로 플라즈마 소스 가스를 주입하는 플라즈마 소스 가스 주입부를 포함하며,상기 마이크로웨이브 발생부는 상기 플라즈마 발생부로 마이크로웨이브를 전송하기 위한 도파관을 포함하고, 상기 플라즈마 발생부는 방전관을 포함하고, 상기 방전관은 상기 도파관에 수직으로 관통하고 있으며,상기 마이크로웨이브 발생부로부터 발진되는 특정 주파수의 전자파의 전송을 위한 도미넌트 모드(dominant mode)의 도파관의 폭이 a인 경우, 상기 도파관의 폭은 na이고(n은 2이상의 정수),상기 방전관은 방전관의 중심에 전기장 분포(electric field distribution)의 길이방향 널(null) 라인이 지나가도록 설치되며,상기 방전관은 방전관의 중심에 전기장 분포의 도파관의 폭 방향을 따라서 이루는 세로방향 널(null) 라인이 지나가도록 설치됨을 특징으로 하는,전자파 플라즈마 토치
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플라즈마 발생부;상기 플라즈마 발생부로 마이크로웨이브를 전송하는 마이크로웨이브 발생부; 및상기 플라즈마 발생부로 플라즈마 소스 가스를 주입하는 플라즈마 소스 가스 주입부를 포함하며,상기 마이크로웨이브 발생부는 상기 플라즈마 발생부로 마이크로웨이브를 전송하기 위한 도파관을 포함하고, 상기 플라즈마 발생부는 방전관을 포함하고, 상기 방전관은 상기 도파관에 수직으로 관통하고 있으며,상기 마이크로웨이브 발생부로부터 발진되는 특정 주파수의 전자파의 전송을 위한 도미넌트 모드(dominant mode)의 도파관의 폭이 a인 경우, 상기 도파관의 폭은 na이고(n은 2이상의 정수),상기 방전관이 길이방향 및 도파관의 폭 방향을 따라서 이루는 세로방향의 전기장 분포의 (2n+1)λ/2에 걸쳐 설치되는 경우, 방전관의 중심에 전기장 분포의 피크가 위치하도록 설치됨을 특징으로 하는,전자파 플라즈마 토치
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제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 플라즈마 가스 주입부는 주입되는 가스가 방전관 내의 전기장 분포의 길이방향 또는 도파관의 폭 방향을 따라서 이루는 세로방향의 널(null) 라인을 향하도록 배치되는,전자파 플라즈마 토치
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제 6 항에 있어서,상기 플라즈마 가스는 스월 형태로 주입되는 것을 특징으로 하는,전자파 플라즈마 토치
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제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,피처리물질 주입부를 추가로 포함하고,상기 피처리물질 주입부는 주입되는 피처리물이 방전관 내의 전기장 분포의 길이방향 또는 도파관의 폭 방향을 따라서 이루는 세로방향의 널(null) 라인을 향하도록 배치되는,전자파 플라즈마 토치
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제 5 항에 있어서,상기 플라즈마 가스 주입부가 복수개인 경우,상기 플라즈마 가스 주입부는 주입되는 가스가 방전관 내의 전기장 분포의 길이방향 또는 도파관의 폭 방향을 따라서 이루는 세로방향의 널(null) 라인을 향하도록 배치되며,널 라인 마다 주입되는 가스가 상이한 것을 특징으로 하는,전자파 플라즈마 토치
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제 9 항에 있어서,상기 플라즈마 가스는 스월 형태로 주입되는 것을 특징으로 하는,전자파 플라즈마 토치
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제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 도파관은 상기 마이크로웨이브 발생부의 반대편 말단에 플런저(plunger)를 포함하는,전자파 플라즈마 토치
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제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,점화부를 추가로 포함하고,상기 점화부는 상기 방전관 내의 전기장 분포의 피크 부분에 점화되도록 배치되는 것을 특징으로 하는,전자파 플라즈마 토치
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제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,피처리물질 주입부를 추가로 포함하고,상기 피처리물질 주입부에서 주입되는 피처리물이 상기 방전관 내의 전기장 분포의 피크 부분의 압력(PH)보다 큰 힘으로 주입되는 경우 시간이 지남에 따라 플라즈마 토치의 고온 불꽃과 반응 시간이 길어지는 것을 특징으로 하는,전자파 플라즈마 토치
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제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,피처리물질 주입부를 추가로 포함하고,상기 피처리물질 주입부에서 주입되는 피처리물이 상기 방전관 내의 전기장 분포의 피크 부분의 압력(PH)보다 작은 힘으로 주입되는 경우 플라즈마 토치의 고온 불꽃과 반응 시간이 최대인 것을 특징으로 하는,전자파 플라즈마 토치
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