| 1 |
1
전이 금속 배위결합에 의해 표면이 개질된 탄소나노튜브로서,π-전자가 존재하는 표면을 갖는 탄소나노튜브; 및상기 탄소나노튜브의 상기 표면에 존재하는 상기 π-전자의 전자공여에 의해 배위결합되는 전이 금속 이온을 포함하는 탄소나노튜브
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서, 상기 전이 금속 이온에 배위결합되는 유기물을 더 포함하는 탄소나노튜브
|
| 3 |
3
제 2항에 있어서, 상기 유기물은 카르복실기를 포함하는 화합물인 탄소나노튜브
|
| 4 |
4
제 3항에 있어서, 상기 카르복실 화합물은 EDTA 또는 스테아르산인 탄소나노튜브
|
| 5 |
5
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 전이 금속 이온은 Cu1+, Cu2+, Fe2+, Fe3+, Ru2+, Ru3+, Cr2+, Cr3+, Mo0, Mo+, Mo2+, Mo3+, W2+, W3+, Rh3+, Rh4+, Co+, Co2+, Re2+, Re3+, Ni0, Ni+, Ni2+, Mn3+, Mn4+, V2+, V3+, Pd2+, Pt2+, Zn+, Zn2+, Au+, Au2+, Ag+ 및 Ag2+로 이루어지는 군으로부터 선택된 어느 하나인 탄소나노튜브
|
| 6 |
6
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브 또는 다중벽 탄소나노튜브인 탄소나노튜브
|
| 7 |
7
전이 금속 배위결합에 의해 탄소나노튜브를 화학적으로 개질하는 방법으로서, a) 전이 금속 이온을 용매 속에 도입하는 단계; 및b) 상기 전이 금속 이온이 도입된 용매 속에 탄소나노튜브를 함침시켜, 상기 탄소나노튜브와 상기 전이금속 이온 사이의 배위결합에 의한 탄소나노튜브-전이금속 복합체를 형성하는 단계를 포함하는 방법
|
| 8 |
8
제 7항에 있어서, 상기 방법은,c) 유기물을 용매 속에 도입하는 단계;d) 상기 유기물이 도입된 용매 속에 b)단계에서 형성된 상기 탄소나노튜브-전이금속 복합체를 함침시켜, 상기 탄소나노튜브-전이금속 복합체와 상기 유기물 사이의 배위결합에 의한 탄소나노튜브-전이금속-유기물 복합체를 형성하는 단계를 더 포함하는 방법
|
| 9 |
9
제 8항에 있어서, 단계 c) 및 d)에서의 상기 유기물은 카르복실기를 포함하는 화합물인 방법
|
| 10 |
10
제 9항에 있어서, 상기 카르복실 화합물은 EDTA 또는 스테아르산인 방법
|
| 11 |
11
제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 전이 금속 이온은 Cu1+, Cu2+, Fe2+, Fe3+, Ru2+, Ru3+, Cr2+, Cr3+, Mo0, Mo+, Mo2+, Mo3+, W2+, W3+, Rh3+, Rh4+, Co+, Co2+, Re2+, Re3+, Ni0, Ni+, Ni2+, Mn3+, Mn4+, V2+, V3+, Pd2+, Pt2+, Zn+, Zn2+, Au+, Au2+, Ag+ 및 Ag2+로 이루어지는 군으로부터 선택된 어느 하나인 방법
|
| 12 |
12
제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브 또는 다중벽 탄소나노튜브인 방법
|
| 13 |
13
제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 용매는 유기용매 또는 수성 용매인 방법
|
| 14 |
14
제 7항 또는 제 8항에 있어서, b) 및 d) 단계에서 상기 용매 속에 각각 상기 탄소나노튜브 및 상기 탄소나노튜브-전이금속 복합체를 함침 시킨 후 분산 수단을 이용하여 균일하게 분산 시키는 방법
|
| 15 |
15
제 14항에 있어서, 상기 분산수단을 이용한 분산은, 초음파에 의한 처리, 용기 내에서 교반과 가열하며 환류처리 및 균질기에 의한 처리로 이루어지는 군에서 선택된 어느 하나인 방법
|
