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제 1 기판, 제 2 기판, 및 제 3 기판을, 이 순서대로 접합하여 이루어지는 칩 본체;상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판의 마주보는 양측 표면 상에 형성되는 제 1 마이크로 채널, 및 상기 제 1 마이크로 채널로 이루어지는 제 1 마이크로 채널 패턴부;상기 제 2 기판 및 상기 제 3 기판의 마주보는 양측 표면 상에 형성되는 제 2 마이크로 채널, 및 상기 제 2 마이크로 채널로 이루어지는 제 2 마이크로 채널 패턴부;상기 제 1 기판의 상기 제 1 마이크로 채널이 형성된 반대측 표면의 일측 표면 상에 형성되는 이동상을 공급하기 위한 가스 유입구;상기 제 1 기판의 상기 제 1 마이크로 채널이 형성된 반대측 표면의 타측 표면 상에 형성되는 이동상이 유출되는 가스 유출구;상기 제 1 기판의 제 1 마이크로 채널이 형성되는 일측 표면, 상기 제 2 기판의 양측 표면, 및 상기 제 3 기판의 제 2 마이크로 채널이 형성되는 일측 표면 상에 각각 형성되는 위치 정렬 마커;상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 스핀 코팅되는 제 1 고정상, 및 상기 제 2 기판과 상기 제 3 기판 사이에 스핀 코팅되는 제 2 고정상; 및상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판에 형성된 상기 제 1 마이크로 채널 패턴의 유출측이면서 동시에 상기 제 2 기판과 상기 제 3 기판에 형성된 상기 제 2 마이크로 채널 패턴의 유입측에 형성되는 모듈레이터;를 포함하며,상기 제 1 마이크로 채널 패턴부의 패턴 폭과 상기 제 2 마이크로 채널 패턴부의 패턴 폭은 서로 다르며,상기 제 1 마이크로 채널 패턴부에 도포된 제 1 고정상과 상기 제 2 마이크로 채널 패턴부에 도포된 제 2 고정상은 서로 다른 것을 특징으로 하는,모듈레이터를 구비한 다차원 가스 크로마토그래피 칩
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 기판, 제 2 기판, 및 제 3 기판의 소재는,글래스 웨이퍼, 석영 웨이퍼, 폴리디메틸실록산 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼, 실리케이트 웨이퍼, 보로실리케이트 웨이퍼 및 용융 실리카 웨이퍼로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는,모듈레이터를 구비한 다차원 가스 크로마토그래피 칩
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제 1 항에 있어서,상기 가스 유입구는, 가스 공급측이 넓고, 상기 제 1 마이크로 채널 패턴부로 진행함에 따라서 그 폭이 좁아지는 테이퍼 형상으로 형성되며;상기 제 1 마이크로 채널 패턴부 및 상기 제 2 마이크로 채널 패턴부는, 3 회 이상 에칭을 행하는 다중 에칭을 통해서 형성되며;상기 다차원 가스 크로마토그래피 칩의 온도 제어를 위한 열 전달 접촉부 및 그 열 전달 접촉부를 제어하기 위한 온도 제어 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,모듈레이터를 구비한 다차원 가스 크로마토그래피 칩
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제 3 항에 있어서,상기 모듈레이터는, 냉각된 헬륨 가스 또는 가열된 헬륨 가스를 단속적으로 주입하여 열 펄스(heat pulse)를 생성하는 냉각 액화 트랩인 것을 특징으로 하는,모듈레이터를 구비한 다차원 가스 크로마토그래피 칩
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삭제
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제 1 항에 있어서,상기 가스 유입구는, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이의 제 1 마이크로 채널 패턴부를 통과하고, 상기 제 2 기판을 관통하여 형성된 제 1 관통홀과 연결되는 상기 제 2 기판과 상기 제 3 기판 사이의 제 2 마이크로 채널 패턴부를 유동하고 상기 제 2 마이크로 채널 패턴부의 유출측에서 상기 제 2 기판을 관통하여 형성된 제 2 관통홀과 상기 제 2 관통홀에 대응하는 위치에 형성된 상기 제 1 기판의 상기 가스 유출구까지 연결되어 있으며,상기 가스 유입구, 상기 가스 유출구, 및 제 1 및 제 2 관통홀은, EDM 방식 또는 샌드블래스트(sandblast) 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는,모듈레이터를 구비한 다차원 가스 크로마토그래피 칩
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