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자기장 안에서 사이클로트론 운동(회전 운동)하고 있는 전자에 대하여 사이클로트론 주파수와 동일한 전자파(Microwave)를 주어 발생하는 전자 사이클로트론 공명(ECR:Electron Cyclotron Resonance)상태에 가스를 도입하여 플라즈마를 발생시키는 ECR 플라즈마 발생장치로서,전자파(Microwave)가 유입되는 제 1 도파관;상기 도파관의 개방단으로부터 연장되고, 상기 도파관의 개방단을 부채꼴 형상으로 확개하여 상기 전자파를 전송하기 위한 혼 안테나;상기 혼 안테나의 전방에 배치되고, 상기 혼 안테나와 연통되어 내부로 상기 전자파가 전송되고, 저면부가 개방된 제 2 도파관;상기 제 2 도파관의 개방된 저면부를 밀폐하고, 상기 제 2 도파관의 내부로 전송된 전자파를 하측 방향으로 전달시키는 유전체창;상기 유전체창을 통해 전달된 전자파가 통과되기 위한 복수의 슬릿이 배치되고, 서로 이웃하는 슬릿들 사이에 자석이 배치되며, 상기 슬릿을 통과하는 전자파에 대응하는 공진 자기장을 형성하기 위한 자석 배치 구조물; 및 상기 자석 배치 구조물의 하부 위치한 ECR 플라즈마 발생 영역을 포함하고,상기 플라즈마 발생 영역으로 플라즈마 발생 가스가 주입되고,상기 유전체창을 통해 전달된 전자파, 상기 공진 자기장, 및 상기 주입된 플라즈마 발생 가스에 기초하여, ECR 플라즈마가 상기 ECR 플라즈마 발생 영역에 발생하는,ECR 플라즈마 발생장치
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제1항에 있어서,상기 유전체창은 석영 또는 알루미나 계열의 재질인,ECR 플라즈마 발생장치
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제1항에 있어서,상기 플라즈마 발생 가스는 아르곤 가스(Ar), 질소 가스(N2) 중 어느 하나인,ECR 플라즈마 발생장치
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제1항에 있어서,상기 자석 배치 구조물은:케이스로서, 상기 케이스의 상면부 및 하면부를 수직으로 관통하는 하나 이상의 슬릿, 서로 이웃하는 슬릿들 사이에 형성된 복수의 수용공간을 포함하는 케이스;상기 각 수용공간들의 내부에 설치되는 다수의 자석;상기 각 수용공간들의 내부에 설치되고, 냉각수가 순환되면서 상기 자석을 냉각시키기 위한 다수의 냉각수 라인을 포함하는,ECR 플라즈마 발생장치
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제4항에 있어서,상기 다수의 자석은 상기 각 수용공간들의 내부에서 한 쌍을 이루도록 설치되며, 한 쌍을 이루는 자석들은 서로 상대되는 자기극(magnetic pole)끼리 마주하도록 배치되고, 한 쌍을 이루는 자석들의 사이에는 상기 냉각수 라인이 배치되는,ECR 플라즈마 발생장치
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제4항에 있어서,상기 케이스의 상기 수용공간들 내부에 설치되고, 상기 수용공간 내부의 두 측면부 및 상면부에 배치되며, 상기 자석들 둘레를 덮어서 상기 자석들에 의한 자기장이 상기 케이스의 상부로 형성되는 것을 차단하기 위한 자석덮개부를 포함하는,ECR 플라즈마 발생장치
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제6항에 있어서,상기 자석덮개부는 자화되는 성질을 가지는, ECR 플라즈마 발생장치
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제6항에 있어서,상기 자석덮개부의 재질은 연철인,ECR 플라즈마 발생장치
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제1항 또는 제6항에 있어서,상기 제 1 도파관, 상기 혼 안테나, 상기 제 2 도파관의 내부로 삽입되고, 상기 전자파의 진행 방향과 평행하게 배치되는 적어도 하나의 삽입체를 추가로 포함하는,ECR 플라즈마 발생장치
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제9항에 있어서,상기 삽입체는 원기둥 형상인,ECR 플라즈마 발생장치
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제9항에 있어서,상기 삽입체는 원기둥 형상의 종방향에 따라 간격을 이뤄 기둥의 외면에 위치한 환형부재를 포함하는,ECR 플라즈마 발생장치
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제10항에 있어서,상기 삽입체는 길이 방향에 따라 길이 조절 가능하도록 구성된,ECR 플라즈마 발생장치
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제8항에 있어서,상기 자석 배치 구조물의 하부에 배치되고, 내부가 진공이며, 플라즈마로 처리될 대상이 위치하는 공정 챔버 및 상기 자석 배치 구조물과 상기 공정 챔버를 나누는 경계막을 포함하고,상기 경계막은 다수의 개구를 가지고, 상기 다수의 개구를 통해 상기 ECR 플라즈마가 상기 공정 챔버로 전달되는, ECR 플라즈마 발생장치
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제1항에 있어서,상기 전자파는 2
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제13항에 있어서,상기 공정 챔버는 공정가스가 주입될 수 있는 주입구를 포함하는,ECR 플라즈마 발생장치
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제15항에 있어서,상기 공정 가스는 박막 증착을 위해서, SiH4, SiH2Cl2, SiHCl3, SiCl4, GeH4, B2H6, BBr3, BCl3, AsH3, PH3, TeH2, SnCl4, GeCl4, WF6, NH3, CH4, Cl2, 및 MoF6 으로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 가스이고,식각이나 세정을 위해서, SiF4, CF4, C3F8, C2F6, CHF3, CClF3, NF3, CF4, C2F6, C3F8, 및 SF6 으로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 가스인, ECR 플라즈마 발생장치
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