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도핑된 금속산화물 나노구조체의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015199558
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 의한 도핑된 금속산화물 나노구조체의 제조방법은, (a) 금속산화물 나노구조체를 준비하는 단계, (b) 도핑 원소와 아세닉(As)이 결합된 화합물반도체 기판을 준비하는 단계, (c) 화합물반도체 기판에 금속산화물 나노구조체를 결합하는 단계, (d) 금속산화물 나노구조체와 화합물반도체 기판이 결합된 기판 결합체를 반응챔버에 넣고 가열하여 화합물반도체 기판의 아세닉(As)을 증발시킴으로써 화합물반도체 기판의 도핑 원소를 금속산화물 나노구조체에 도핑하는 단계, (e) 도핑 원소가 도핑된 금속산화물 나노구조체를 상온으로 냉각하는 단계를 포함한다. 본 발명은 도핑 원소와 아세닉(As) 원소가 결합된 화합물반도체 기판에 열을 가하면 아세닉(As)이 우선적으로 증발하고 도핑 원소가 화합물반도체 기판의 표면에서 금속산화물 나노구조체 표면으로 이동하는 특성을 이용함으로써, 종래 방법에 비해 손상 없이 간단하고 재현성 있게 고품질의 도핑된 금속산화물 나노구조체를 제공할 수 있다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020120074656 (2012.07.09)
출원인 한국기초과학지원연구원
등록번호/일자 10-1373128-0000 (2014.03.05)
공개번호/일자 10-2014-0007588 (2014.01.20) 문서열기
공고번호/일자 (20140319) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.09)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍웅기 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 이하진 대한민국 전북 전주시 완산구
3 박종배 대한민국 전북 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이동희 대한민국 서울특별시 송파구 송파대로 ***, *층 (송파동, 옥명빌딩)(플랜국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0547574-10
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2012-0553361-99
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5184293-13
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5184331-50
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2013-5058545-81
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2013-5058386-17
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.07.31 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.08.23 수리 (Accepted) 9-1-2013-0069675-32
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0676098-62
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.12.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1100870-83
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-1100867-45
12 등록결정서
Decision to grant
2013.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0905440-91
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2020-5135881-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 은(Ag), 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 마그네슘(Mg), 인(P) 중에서 선택된 하나 이상의 원소와 산소(O)가 결합된 구조로 만들어진 금속산화물 나노구조체를 준비하는 단계;(b) 갈륨(Ga), 인듐(In), 아연(Zn), 알루미늄(Al) 중에서 선택되는 도핑 원소와 아세닉(As)이 결합된 화합물반도체 기판을 준비하는 단계;(c) 상기 화합물반도체 기판에 상기 금속산화물 나노구조체를 결합하는 단계;(d) 상기 금속산화물 나노구조체와 상기 화합물반도체 기판이 결합된 기판 결합체를 반응챔버에 넣고 가열하여 상기 화합물반도체 기판의 아세닉(As)을 증발시킴으로써 상기 화합물반도체 기판의 도핑 원소를 상기 금속산화물 나노구조체에 도핑하는 단계; 및(e) 상기 도핑 원소가 도핑된 상기 금속산화물 나노구조체를 상온으로 냉각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 도핑된 금속산화물 나노구조체의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 (d) 단계에서 상기 반응챔버 내에서 상기 기판 결합체를 500 ~ 1000℃ 사이의 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 도핑된 금속산화물 나노구조체의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 (d) 단계에서 상기 기판 결합체의 가열 시간은 1분 ~ 1시간인 것을 특징으로 하는 도핑된 금속산화물 나노구조체의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 (d) 단계에서 상기 반응챔버 내에 공기, 산소, 질소, 아르곤 중에서 선택된 하나 이상의 기체를 채우고 상기 기판 결합체를 가열하는 것을 특징으로 하는 도핑된 금속산화물 나노구조체의 제조방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서,상기 금속산화물 나노구조체는 탄소열환원법(carbothermal reduction method), 화학기상증착법(chemical vapor deposition), 습식합성법(wet chemical method) 중에서 선택된 방법을 통해 만들어진 것을 특징으로 하는 도핑된 금속산화물 나노구조체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.