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콘택트 홀 바닥에 실리사이드가 형성된 금속 배선 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015199657
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 습식 무전해 증착법에 의한 코발트-니켈 합금 박막 형성공정을 포함하는 금속 배선 형성 방법이 제공된다. 본 발명에서는 실리콘 기판 상에 콘택트 홀이 형성된 실리콘 산화물층을 형성하는 단계; 습식 무전해 증착에 의해서 상기 콘택트 홀의 바닥면에만 코발트-니켈 합금 박막으로 도전 접촉층을 형성하는 단계; 상기 도전 접촉층이 바닥에만 형성된 콘택트 홀의 내부에 장벽층을 형성하는 단계; 및 상기 장벽층이 형성된 콘택트 홀에 배선물질을 매몰하는 단계를 포함하고, 상기 도전 접촉층을 형성하는 단계는 습식 무전해 증착에 의해서 코발트-니켈 합금을 증착함으로써 실리콘 산화물 재질인 상기 콘택트 홀의 측면에는 증착되지 않으며, 실리콘 재질의 상기 콘택트 홀의 바닥면과 상기 도전 접촉층의 접촉면에 실리사이드층이 형성되는 것을 특징으로 하는 콘택트 홀 바닥에 실리사이드가 형성된 금속 배선 형성 방법을 제공한다. 이에 의해, 실리콘으로 이루어진 콘택트 홀의 바닥에서부터 성장하는 선택적 증착이 가능하고, 낮은 저항과 열적 안정성을 가지는 도전성 접촉을 형성하며, 공정 단가를 줄일 수 있다.
Int. CL H01L 21/288 (2006.01)
CPC H01L 21/288(2013.01) H01L 21/288(2013.01) H01L 21/288(2013.01)
출원번호/일자 1020110067506 (2011.07.07)
출원인 한양대학교 에리카산학협력단
등록번호/일자 10-1389983-0000 (2014.04.22)
공개번호/일자 10-2013-0005860 (2013.01.16) 문서열기
공고번호/일자 (20140502) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.27)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유봉영 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김동욱 대한민국 경기도 안산시 상록구
3 이동규 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 경기도 안산시 상록구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0522184-53
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0626321-28
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0512640-27
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2012.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0647412-56
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.05.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0321931-65
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0621209-20
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.07.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0621208-85
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0791768-64
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.11.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-1054079-60
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-1054080-17
11 등록결정서
Decision to grant
2014.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0171526-92
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번호 청구항
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실리콘 기판 상에 콘택트 홀이 형성된 실리콘 산화물층을 형성하는 단계;습식 무전해 증착에 의해서 상기 콘택트 홀의 바닥면에만 코발트-니켈 합금 박막으로 도전 접촉층을 형성하는 단계;상기 도전 접촉층이 바닥에만 형성된 콘택트 홀의 내부에 장벽층을 형성하는 단계; 및상기 장벽층이 형성된 콘택트 홀에 배선물질을 매몰하는 단계를 포함하고,상기 도전 접촉층을 형성하는 단계는 습식 무전해 증착에 의해서 코발트-니켈 합금을 증착함으로써 실리콘 산화물 재질인 상기 콘택트 홀의 측면에는 코발트-니켈 합금이 증착되지 않으며,실리콘 재질의 상기 콘택트 홀의 바닥면과 상기 도전 접촉층의 접촉면에 실리사이드층이 형성되는 것을 특징으로 하는 콘택트 홀 바닥에 실리사이드가 형성된 금속 배선 형성 방법
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청구항 1에 있어서,상기 습식 무전해 증착 공정에 사용되는 전해질 용액은,황산코발트일수화물, 황산니켈일수화물, 시트르산 나트륨 및 붕산을 포함하고 환원제로서 하이드라진을 포함하는 것을 특징으로 하는 콘택트 홀 바닥에 실리사이드가 형성된 금속 배선 형성 방법
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청구항 2에 있어서,상기 전해질 용액의 조성은,황산코발트일수화물 0
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청구항 2에 있어서,상기 전해질 용액은,코발트-니켈 합금 박막과 상기 실리콘 웨이퍼 표면의 부착력을 향상시키기 위한 불화암모늄을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 콘택트 홀 바닥에 실리사이드가 형성된 금속 배선 형성 방법
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청구항 4에 있어서,상기 불화암모늄이 0
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청구항 2에 있어서,상기 전해질 용액이, pH=10 내지 12를 유지하는 것을 특징으로 하는 콘택트 홀 바닥에 실리사이드가 형성된 금속 배선 형성 방법
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청구항 6에 있어서,상기 pH 범위를 수산화나트륨(NaOH)을 이용하여 유지하는 것을 특징으로 하는 콘택트 홀 바닥에 실리사이드가 형성된 금속 배선 형성 방법
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청구항 2에 있어서,상기 습식 무전해 증착이 70 내지 90℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 콘택트 홀 바닥에 실리사이드가 형성된 금속 배선 형성 방법
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청구항 2에 있어서,상기 습식 무전해 증착이 5분 내지 15분 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 콘택트 홀 바닥에 실리사이드가 형성된 금속 배선 형성 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한양대학교 산학협력단 일반연구자지원사업(기본연구지원사업) 휴먼센싱용 고특이성 나노바이오 소자 개발 및 집적화