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환원 분위기 하에서 은 나노입자를 150℃ 이하의 온도로 가열하는 단계를 포함하는 은 나노입자의 저온 소결 방법
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청구항 1에 있어서, 환원 분위기는 99% 수소 분위기, 5% 수소 및 95% 질소 분위기 또는 히드라진 분위기인 것을 특징으로 하는 은 나노입자의 저온 소결 방법
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청구항 1에 있어서, 환원 분위기는 99% 수소 분위기인 것을 특징으로 하는 은 나노입자의 저온 소결 방법
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청구항 1에 있어서, 은 나노입자를 80～150℃의 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 은 나노입자의 저온 소결 방법
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청구항 1에 있어서, 은 나노입자를 80～100℃의 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 은 나노입자의 저온 소결 방법
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기판상에 은 나노입자의 분산액을 이용하여 배선 패턴을 인쇄하는 단계; 및환원 분위기 하에서 은 나노입자를 150℃ 이하의 온도로 가열하여 소결시키는 단계를 포함하는 기판상에 은 패턴을 형성시키는 방법
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청구항 6에 있어서,상기 기판은 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에테르 설폰(PES), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리 카보네이트(PC), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리노보넨(PNB), 사이클로올레핀 폴리머(COP), 사이클로올레핀 코폴리머(COC), 올리고페닐렌 설파이드(OPS), 폴리페닐렌 설파이드(PPS) 및 산화 다공성 실리콘(OPS)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 플렉시블 기판인 것을 특징으로 하는 기판상에 은 패턴을 형성시키는 방법
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청구항 6에 있어서, 환원 분위기가 99% 수소 분위기, 5% 수소 및 95% 질소 분위기 또는 히드라진 분위기인 것을 특징으로 하는 기판상에 은 패턴을 형성시키는 방법
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청구항 8에 있어서, 환원 분위기가 99% 수소 분위기인 것을 특징으로 하는 기판상에 은 패턴을 형성시키는 방법
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청구항 6에 있어서, 은 나노입자를 80～150℃의 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 기판상에 은 패턴을 형성시키는 방법
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청구항 6에 있어서, 은 나노입자를 80～100℃의 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 기판상에 은 패턴을 형성시키는 방법
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