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관통전극 형성 방법 및 그 방법에 의해 제조된 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2015199681
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 관통전극 형성 방법 및 그 방법에 의해 제조된 반도체 소자에 관한 발명이다. 반도체 소자의 관통전극 형성 방법은, 비아의 내부에 미세 입자를 충전하는 1차 충전 단계; 및 상기 미세 입자가 충전되고 남은 상기 비아의 나머지 공간에 대해 2차 충전하는 단계를 포함하여 이루어진다.
Int. CL H01L 23/48 (2006.01)
CPC H01L 23/481(2013.01) H01L 23/481(2013.01) H01L 23/481(2013.01)
출원번호/일자 1020110058980 (2011.06.17)
출원인 한양대학교 에리카산학협력단
등록번호/일자 10-1409402-0000 (2014.06.12)
공개번호/일자 10-2012-0139265 (2012.12.27) 문서열기
공고번호/일자 (20140623) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.12)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유봉영 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 좌용호 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 진상현 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 경기도 안산시 상록구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0459862-33
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0464449-42
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2012.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0646963-12
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2012.08.13 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2012-0647219-40
5 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2012.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0106726-81
6 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2012.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0120227-38
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0557363-54
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0918525-20
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0918526-76
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0073784-88
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.02.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0195427-85
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0195428-20
13 등록결정서
Decision to Grant Registration
2014.04.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0230193-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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비아의 내부에 나노 단위의 미세 구리 입자들을 충전하여 충전층을 형성하는 충전 단계;상기 충전층을 형성하는 상기 미세 구리 입자들을 고온 처리하여 소결 충전층을 형성하는 소결 단계; 및 상기 미세 입자가 충전 및 소결되고 남은 상기 비아의 나머지 공간에 대해 CVD 공정으로 구리 도금층을 형성하는 도금 단계 포함하는 것을 특징으로 하는 관통전극 형성 방법
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 지식경제부(한국과학기술연구원) 기술혁신사업(소재원천기술개발사업) 플렉시블 바이오 센서용 결정질 칼코지나이드 소재 기술 개발