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전면, 후면 및 측면을 포함하고 상기 전면 및 상기 후면을 관통하는 복수 개의 기공이 구비된 다공성 알루미나 템플레이트;상기 다공성 알루미나 템플레이트 후면에 구비되고 복수 개의 기공을 덮는 전기전도성을 갖는 씨드층;상기 다공성 알루미나 템플레이트 전면의 상기 복수 개의 기공을 통해 노출된 씨드층에 접촉하고 상기 복수 개의 기공 내에 구비된 복수 개의 칼코지나이드계 나노선;상기 칼코지나이드계 나노선과 접촉하면서 상기 다공성 알루미나 템플레이트의 전면에 구비된 전극; 상기 전극과 전기적으로 연결되는 전극선; 및상기 전극 상부에 구비되고 감지하려는 가스와 접촉하여 발열 반응을 일으키는 다공성 백금-알루미나 복합체 또는 다공성 팔라듐-알루미나 복합체를 포함하며,상기 칼코지나이드계 나노선은 BixTey(1
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전면, 후면 및 측면을 포함하고 상기 전면 및 상기 후면을 관통하는 복수 개의 기공이 구비된 다공성 알루미나 템플레이트;상기 다공성 알루미나 템플레이트의 후면에 구비되고 복수 개의 기공을 덮는 전기전도성을 갖는 씨드층;상기 다공성 알루미나 템플레이트 전면의 상기 복수 개의 기공을 통해 노출된 씨드층에 접촉하고 상기 복수 개의 기공 내에 구비된 복수 개의 P형 칼코지나이드계 나노선;상기 다공성 알루미나 템플레이트 전면의 상기 복수 개의 기공을 통해 노출된 씨드층에 접촉하고 상기 복수 개의 기공 내에 구비된 복수 개의 N형 칼코지나이드계 나노선;상기 P형 칼코지나이드계 나노선 및 상기 N형 칼코지나이드계 나노선과 접촉하면서 상기 다공성 알루미나 템플레이트의 전면에 구비된 전극; 상기 전극과 전기적으로 연결되는 전극선; 및상기 전극 상부에 구비되고 감지하려는 가스와 접촉하여 발열 반응을 일으키는 다공성 백금-알루미나 복합체 또는 다공성 팔라듐-알루미나 복합체를 포함하며,상기 P형 칼코지나이드계 나노선은 SbxTey(1
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 씨드층은 10∼1000㎚의 두께를 가지며, 금(Au), 은(Ag) 및 구리(Cu) 중에서 선택된 1종 이상의 금속으로 이루어지고, 상기 기공은 10∼1000㎚의 평균 지름을 가지며, 칼코지나이드계 나노선은 상기 기공의 평균 지름 보다 작은 1∼500㎚의 평균 직경을 가지며, 상기 칼코지나이드계 나노선의 길이는 상기 기공의 깊이와 같거나 작으며,상기 다공성 백금-알루미나 복합체 또는 다공성 팔라듐-알루미나 복합체는 복수 개의 매크로기공과 복수 개의 메조기공을 갖는 다공성 물질인 것을 특징으로 하는 열화학 가스 센서
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전면, 후면 및 측면을 포함하고 상기 전면 및 상기 후면을 관통하는 복수 개의 기공이 구비된 다공성 알루미나 템플레이트를 준비하고, 상기 다공성 알루미나 템플레이트의 후면에 복수 개의 기공을 덮는 전기전도성을 갖는 씨드층을 형성하는 단계;상기 다공성 알루미나 템플레이트 전면의 상기 복수 개의 기공을 통해 노출된 씨드층에 습식 전해 증착을 이용하여 복수 개의 칼코지나이드계 나노선을 성장시켜 형성하는 단계;상기 다공성 알루미나 템플레이트의 전면에 상기 칼코지나이드계 나노선과 접촉하는 전극을 형성하는 단계; 상기 전극과 전기적으로 연결되는 전극선을 형성하는 단계; 및상기 다공성 알루미나 템플레이트의 전면에 형성된 상기 전극 상부에 감지하려는 가스와 접촉하여 발열 반응을 일으키는 다공성 백금-알루미나 복합체 또는 다공성 팔라듐-알루미나 복합체를 형성하는 단계를 포함하며,상기 칼코지나이드계 나노선은 BixTey(1
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전면, 후면 및 측면을 포함하고 상기 전면 및 상기 후면을 관통하는 복수 개의 기공이 구비된 다공성 알루미나 템플레이트를 준비하고, 상기 다공성 알루미나 템플레이트의 후면에 대하여 칼코지나이드계 나노선을 형성할 부분 이외의 영역을 마스킹하고 노출된 부분에 복수 개의 기공을 덮는 전기전도성을 갖는 씨드층을 형성하는 단계;상기 다공성 알루미나 템플레이트의 전면에 N형 칼코지나이드계 나노선이 형성될 영역을 제1 마스크로 차폐하고, 상기 다공성 알루미나 템플레이트 전면의 상기 복수 개의 기공을 통해 노출된 씨드층에 습식 전해 증착을 이용하여 복수 개의 P형 칼코지나이드계 나노선을 성장시켜 형성하는 단계;상기 P형 칼코지나이드계 나노선이 형성된 영역을 제2 마스크로 차폐하고, 상기 제1 마스크가 제거되어 상기 복수 개의 기공을 통해 노출된 씨드층에 습식 전해 증착을 이용하여 복수 개의 N형 칼코지나이드계 나노선을 성장시켜 형성하는 단계;상기 다공성 알루미나 템플레이트의 전면에 상기 P형 칼코지나이드계 나노선 및 상기 N형 칼코지나이드계 나노선과 접촉하는 전극을 형성하는 단계; 상기 전극과 전기적으로 연결되는 전극선을 형성하는 단계; 및상기 다공성 알루미나 템플레이트의 전면에 형성된 상기 전극 상부에 감지하려는 가스와 접촉하여 발열 반응을 일으키는 다공성 백금-알루미나 복합체 또는 다공성 팔라듐-알루미나 복합체를 형성하는 단계를 포함하며,상기 P형 칼코지나이드계 나노선은 SbxTey(1
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제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 비스무트(Bi) 전구체는 Bi(NO3)3·5H2O 이고, 상기 안티모니(Sb) 전구체는 Sb2O3 이며, 상기 텔루륨(Te) 전구체는 TeO2 이고, 상기 산(acid)은 HNO3인 것을 특징으로 하는 열화학 가스 센서의 제조방법
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제4항 또는 제5항에 있어서, 칼코지나이드계 나노선이 SbxTey(1
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제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 씨드층은 10∼1000㎚의 두께로 형성하고, 금(Au), 은(Ag) 및 구리(Cu) 중에서 선택된 1종 이상의 금속을 사용하는 것을 특징으로 하는 열화학 가스 센서의 제조방법
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제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 전극은 금(Au), 은(Ag) 및 구리(Cu) 중에서 선택된 1종 이상의 금속을 전기 도금하여 형성하고, 상기 전기 도금은 마그네틱 바를 이용하여 교반하면서 정류기를 이용하여 2전극 시스템에 전류를 인가하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열화학 가스 센서의 제조방법
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10
제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 기공은 10∼1000㎚의 평균 지름을 가지며, 칼코지나이드계 나노선은 상기 기공의 평균 지름 보다 작은 1∼500㎚의 평균 직경을 갖게 형성되고,칼코지나이드계 나노선의 길이는 상기 기공의 깊이와 같거나 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 열화학 가스 센서의 제조방법
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제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 다공성 백금-알루미나 복합체 또는 다공성 팔라듐-알루미나 복합체의 제조는, 스티렌과 증류수의 혼합 용액을 형성하는 단계; 상기 혼합 용액에 포타슘퍼설페이트를 추가하여 폴리스티렌 용액을 합성하는 단계; 상기 폴리스티렌 용액을 건조하여 콜로이드 결정 형태로 형성하는 단계;백금-알루미나 복합체 또는 팔라듐-알루미나 복합체의 전구체 용액을 합성하는 단계; 건조하여 형성된 콜로이드 결정을 백금-알루미나 복합체 또는 팔라듐-알루미나 복합체의 전구체 용액에 침지하는 단계; 및백금-알루미나 복합체 또는 팔라듐-알루미나 복합체의 전구체 용액에 침지한 콜로이드 결정을 건조 및 하소하여 폴리스티렌 콜로이드 결정을 제거하는 단계를 포함하며,상기 다공성 백금-알루미나 복합체 또는 다공성 팔라듐-알루미나 복합체는 복수 개의 매크로기공과 복수 개의 메조기공을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 열화학 가스 센서의 제조방법
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