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결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계;상기 실리콘 기판에 전해 증착 공정으로 전해 증착 응력이 잔류하는 스트레스층을 형성하는 단계;상기 스트레스층에 잔류하는 전해 증착 응력에 의하여 상기 결정질 실리콘 기판의 표면을 박리하는 단계;상기 박리된 실리콘 박막의 표면에 마스크를 형성하는 단계; 및상기 마스크가 형성된 실리콘 박막을 습식식각하여 하부까지 서로 완전히 분리된 실리콘 나노와이어를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어 어레이의 제조방법
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청구항 3에 있어서,상기 스트레스층이 Ni 또는 Ni합금 재질인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어 어레이의 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 전해 증착 공정으로 상기 스트레스층을 형성하기 위하여 상기 결정질 실리콘 기판에 씨앗층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어 어레이의 제조방법
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청구항 5에 있어서,상기 씨앗층을 형성하는 단계가, 상기 결정질 실리콘 기판에 Ti층과 Ni층을 순차적으로 증착하여 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어 어레이의 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 씨앗층을 형성하는 단계가, 스퍼터링 공정 또는 증발 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어 어레이의 제조방법
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청구항 3에 있어서,상기 스트레스층을 형성하는 단계에서 상기 스트레스층에 잔류하는 잔류 응력과 상기 스트레스층의 두께를 조절하여, 상기 결정질 실리콘 기판의 표면을 박리하는 단계에서 박리되는 실리콘 박막의 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어 어레이의 제조방법
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청구항 3에 있어서,상기 마스크를 형성하는 단계가, 무전해 도금 공정으로 금속 나노입자를 상기 실리콘 박막의 표면에 부착하여 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어 어레이의 제조방법
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청구항 3에 있어서,상기 마스크를 형성하는 단계가, 금속 재질의 마스크를 패터닝하여 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어 어레이의 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 금속 재질의 마스크를 패터닝하는 공정이, PS 나노입자리소그래피(Polystyrene Nanosphere Lithography), 레이저 간섭 리소그래피(Laser Interference Lithography) 및 전자 빔 리소그라피(E-beam lithography) 중에서 선택된 하나의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어 어레이의 제조방법
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청구항 3에 있어서,상기 결정질 실리콘 기판의 표면을 박리하는 단계에서 박리되는 실리콘 박막의 두께와 상기 실리콘 나노와이어를 형성하는 단계에서 습식식각을 수행하는 시간을 조절하여, 상기 실리콘 나노와이어의 길이를 조절하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어 어레이의 제조방법
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청구항 3 내지 청구항 12 중에 하나의 방법으로 실리콘 나노와이어 어레이를 형성하되,하부까지 서로 완전히 분리된 상기 실리콘 나노와이어가 음극재인 리튬 이온 전지용 음극의 제조방법
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청구항 13에 있어서,결정질 실리콘 기판의 표면을 박리하는 단계 이후에, 상기 스트레스층을 제거하고 Cu를 전극으로 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 이온 전지용 음극의 제조방법
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청구항 14에 있어서,상기 Cu를 증착하는 단계가 무전해 증착법 또는 진공 증착법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 리튬 이온 전지용 음극의 제조방법
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