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비전도성 기판에 상기 기판의 표면이 노출되도록 마주하여 이격된 전극들을 형성하는 단계; 및상기 이격된 전극들을 사용하여 칼코지나이드 화합물을 습식 전해 도금하는 단계를 포함하여 구성되며,상기 습식 전해 도금하는 단계에서, 칼코지나이드 화합물이 상기 전극 각각의 측면부터 상기 이격된 전극들의 사이에 노출된 비전도성 기판의 표면을 따라서 수평방향으로 성장하여 상기 비전도성 기판 표면에 직접 칼코지나이드 화합물계 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 칼코지나이드 화합물계 박막 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 이격된 전극들을 형성하는 단계가,적어도 비전도성 기판에 적어도 하나의 금속 전극을 형성하는 단계; 및 비전도성 기판 표면의 일부가 이격된 금속 전극들의 사이에 노출되도록, 소정의 패턴이 형성된 포토레지스트막을 형성하는 단계로 구성되고,상기 칼코지나이드 화합물계 박막이 상기 포토레지스트막의 패턴에 의해서 노출된 기판 표면에 형성되는 것을 특징으로 하는 칼코지나이드 화합물계 박막 제조 방법
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청구항 2에 있어서,칼코지나이드 화합물을 습식 전해 도금하는 단계 이후에 상기 포토레지스트막을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 칼코지나이드 화합물계 박막 제조 방법
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청구항 1에 있어서,칼코지나이드 화합물을 습식 전해 도금하는 단계 이후에 상기 전극을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 칼코지나이드 화합물계 박막 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 비전도성 기판이 Si/SiO2, SiO2, Si3N4, 및 TiO2 중 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 칼코지나이드 화합물계 박막 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 전극이 Au, Cu, Ni, Ag, Mo, Al, Cr 및 Pt로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 칼코지나이드 화합물계 박막 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 칼코지나이드 화합물이 텔루륨(Te) 화합물 또는 셀레늄(Se) 화합물인 것을 특징으로 하는 칼코지나이드 화합물계 박막 제조 방법
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8
청구항 7에 있어서,상기 텔루륨(Te) 화합물은 ZnTe, Sb2Te3 및 CdTe 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 칼코지나이드 화합물계 박막 제조 방법
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9
청구항 7에 있어서,상기 셀레늄(Se) 화합물은 ZnSe, Sb2Se3 및 CdSe 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 칼코지나이드 화합물계 박막 제조 방법
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비전도성 기판; 및상기 비전도성 기판 표면상에 부착된 칼코지나이드 화합물계 박막;을 포함하고,상기 칼코지나이드 화합물계 박막이 청구항 1 내지 청구항 9 중 하나의 방법으로 형성되어 상기 비전도성 기판 표면상에 습식 전해 도금으로 직접 형성된 것을 특징으로 하는 칼코지나이드 화합물계 박막이 증착된 기판
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