맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

태양 전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015199861
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양 전지가 제공된다. 상기 태양 전지는, 제1 도전형의 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 상에 배치된 제2 도전형의 제2 반도체층, 상기 제2 반도체층 상의 반사 방지막, 및 상기 반사 방지막 및 상기 제2 반도체층 사이의 음 전하층(negative charge layer)을 포함한다.
Int. CL H01L 31/054 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0392 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020140137690 (2014.10.13)
출원인 한양대학교 에리카산학협력단
등록번호/일자 10-1541252-0000 (2015.07.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150804) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.10.13)
심사청구항수 17

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박태주 대한민국 경기 안산시 상록구
2 김대웅 대한민국 경기도 안산시 상록구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)
2 최내윤 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 ** *동 ***호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0972122-24
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-1019250-41
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2014.10.27 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2014.11.03 수리 (Accepted) 9-1-2014-0085563-37
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.03.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0159115-93
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2015-0428316-59
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2015-0534086-51
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.07.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0646375-90
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2015-0646392-66
10 등록결정서
Decision to grant		 2015.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0492720-73
11 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-0893683-74
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전형의 제1 반도체층;상기 제1 반도체층 상에 배치된 제2 도전형의 제2 반도체층;상기 제2 반도체층 바로 위에(directly on) 배치되어 상기 제2 반도체층과 접촉하고, 황화물, 셀렌화물, 또는 텔루르화물 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 음 전하층(negative charge layer); 및상기 음 전하층 상의 반사 방지막을 포함하는 태양 전지
2 2
제1 항에 있어서, 상기 음 전하층은, 금속 황화물, 금속 셀렌화물, 또는 금속 텔루르화물 중에서 적어도 어느 하나로 형성된 것을 포함하는 태양 전지
3 3
제1 항에 있어서, 상기 음 전하층의 두께는 상기 반사 방지막의 두께보다 얇은 것을 포함하는 태양 전지
4 4
제1 항에 있어서, 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층은 실리콘을 포함하는 태양 전지
5 5
제1 항에 있어서, 상기 제2 반도체층, 상기 음 전하층, 및 상기 반사 방지막 각각은, 볼록부 및 오목부를 포함하는 요철 구조를 갖는 것을 포함하는 태양 전지
6 6
제1 항에 있어서, 상기 반사 방지막을 관통하여, 상기 음 전하층과 접촉되는 전극 패턴을 더 포함하는 태양 전지
7 7
제1 항에 있어서, 상기 음 전하층은, 상기 반사 방지막을 구성하는 원소들 중에서 어느 하나와 동일한 제1 원소 및 황을 포함하는 화합물, 상기 제1 원소와 셀레늄을 포함하는 화합물, 또는 상기 제1 원소와 텔루륨(Te)를 포함하는 화합물 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 태양 전지
8 8
제1 도전형의 제1 반도체층, 및 상기 제1 도전형의 제1 반도체층 상의 제2 도전형의 제2 반도체층을 준비하는 단계;상기 제2 반도체층 상에 반사 방지막을 형성하는 단계; 및상기 제2 반도체층 상에, 황화물, 셀렌화물, 또는 텔루르화물 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 음 전하층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 음 전하층은, 상기 제2 반도체층 바로 위에 제공되어, 상기 제2 반도체층과 접촉되고, 상기 반사 방지막은, 상기 음 전하층 상에 제공되는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
9 9
제8 항에 있어서, 상기 음 전하층은, 상기 반사 방지막을 형성한 후에 형성되는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
10 10
제9 항에 있어서, 상기 음전하층을 형성하는 것은, 황, 셀레늄, 또는 텔루륨 중에서 어느 하나를 포함하는 소스를 이용하여, 상기 반사 방지막을, 열처리 하는 것, 또는 플라즈마 처리하는 것 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
11 11
제8 항에 있어서, 상기 음 전하층은, 상기 반사 방지막을 형성하기 전에 형성되는 것을 포함하고, 상기 음 전하층을 형성하는 것은, 상기 제2 반도체층을, 황, 셀레늄, 또는 텔루륨 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 소스를 이용하여 열처리 하는 것, 황, 셀레늄, 또는 텔루륨 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 소스를 이용하여 플라즈마 처리하는 것, 황, 셀레늄, 또는 텔루륨 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 용액을 상기 제2 반도체층에 제공하는 것, 또는 황, 셀레늄, 또는 텔루륨 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 소스를 이용하여 원자층 증착법을 수행하는 것 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
12 12
제10 항 또는 제11 항에 있어서, 황, 셀레늄, 또는 텔루륨 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 소스를 이용하여 열처리하는 것은, 550~700℃ 에서 수행되는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
13 13
제8 항에 있어서, 상기 음 전하층을 형성하는 단계는, 상기 제2 반도체층 상에, 상기 반사 방지막을 구성하는 원소들 중에서 어느 하나와 동일한 제1 원소를 포함하는 제1 소스, 상기 반사 방지막을 구성하는 원소들 중에서 다른 하나와 동일한 제2 원소를 포함하는 제2 소스, 및 황, 셀레늄, 또는 텔루륨 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 제3 소스를 제공하는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
14 14
제13 항에 있어서, 상기 반사 방지막을 형성하는 단계는, 상기 음 전하층 상에 상기 제1 소스 및 상기 제2 소스를 제공하는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
15 15
제8 항에 있어서, 상기 음 전하층을 형성하는 단계는, 상기 제2 반도체층 상에, 상기 반사 방지막을 구성하는 원소들 중에서 어느 하나와 동일한 제1 원소를 포함하는 제1 소스, 및 황, 셀레늄, 또는 텔루륨 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 제3 소스를 제공하는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
16 16
제15 항에 있어서, 상기 반사 방지막을 형성하는 단계는, 상기 음전하층 상에, 상기 제1 소스, 및 상기 반사 방지막을 구성하는 원소들 중에서 다른 하나와 동일한 제2 원소를 포함하는 제2 소스를 제공하는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
17 17
반도체층;상기 반도체층 바로 위에 배치되어 상기 반도체층과 접촉하고, 황화물, 셀렌화물, 또는 텔루르화물 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 음전하층; 상기 음 전하층 상의 페시베이션막(passivation layer); 및상기 페시베이션막 상의 전극을 포함하는 태양 전지
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10074751 US 미국 FAMILY
2 US20160104811 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10074751 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2016104811 US 미국 DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한양대학교(ERICA캠퍼스) 중견연구자지원 난(難)코팅성 기저재료 표면의 박막 코팅 기술 개발
2 미래창조과학부 한양대학교(ERICA캠퍼스) 신재생에너지 융합원천기술 개발 사업 플라즈모닉기반 초박형 실리콘-금속 이종접합태양전지 개발