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열원,상기 열원과 연결되고, 상기 열원에 의해 구동되어 제1 기전력을 생성하도록 적용된 열전소자, 및상기 열전소자와 연결되어 상기 제1 기전력을 공급받고, 광을 입사받아 상기 광에 의해 생성된 제2 기전력과 상기 제1 기전력에 의해 수소를 생성하면서 상기 열전소자에 의해 냉각되도록 적용된 광전기화학셀을 포함하고,상기 광전기화학셀은,상기 광을 입사받아 상기 제2 기전력을 생성하는 제1 전극,상기 제1 전극과 접촉하는 전해질, 및상기 전해질과 접촉하는 제2 전극을 포함하고,상기 열전소자는,상기 열원과 연결된 고온부,상기 고온부와 이격되어 상기 고온부와 마주하고 상기 제1 전극과 연결되어 상기 제1 전극을 냉각시키는 저온부, 및상기 고온부 및 상기 저온부 사이에 위치하면서, 상호 이격된 하나 이상의 p형 반도체 소자 및 하나 이상의 n형 반도체 소자를 포함하며,상기 제1 전극은 상기 p형 반도체 소자에 전기적으로 연결되고, 상기 제2 전극은 상기 n형 반도체 소자에 전기적으로 연결된 하이브리드형 디바이스
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제1항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 저온부를 연결하는 냉각선을 더 포함하는 하이브리드형 디바이스
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제1항에 있어서,상기 열원은 자동차에 포함된 하이브리드형 디바이스
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제1 기전력을 생성하도록 적용된 열전소자, 및상기 열전소자와 연결되어 상기 제1 기전력을 공급받고, 광을 입사받아 상기 광에 의해 생성된 제2 기전력과 상기 제1 기전력에 의해 수소를 생성하는 광전기화학셀을 포함하고,상기 광전기화학셀에 대한 상기 열전소자의 저항비는 0
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제5항에 있어서,상기 광전기화학셀에 대한 상기 열전소자의 저항비는 0
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제6항에 있어서,상기 광전기화학셀에 대한 상기 열전소자의 저항비는 0
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제5항에 있어서,상기 열전소자의 저항값은 1
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제5항에 있어서,상기 열전소자의 저항값은 1
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제8항에 있어서,상기 광전기화학셀의 저항값은 80Ω 내지 200Ω인 하이브리드형 디바이스
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제5항에 있어서,상기 광전기화학셀은,상기 광을 입사받아 상기 제2 기전력을 생성하는 제1 전극,상기 제1 전극과 접촉하는 전해질, 및상기 전해질과 접촉하는 제2 전극을 포함하고,상기 열전소자는,고온부,상기 고온부와 이격되어 상기 고온부와 마주하는 저온부, 및상기 고온부 및 상기 저온부 사이에 위치하면서, 상호 이격된 하나 이상의 p형 반도체 소자 및 하나 이상의 n형 반도체 소자를 포함하며,상기 제1 전극은 상기 p형 반도체 소자에 전기적으로 연결되고, 상기 상기 제2 전극은 상기 n형 반도체 소자에 전기적으로 연결된 하이브리드형 디바이스
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제11항에 있어서,상기 고온부는 외부 노출되어 상기 광이 고온부에 입사되도록 적용된 하이브리드형 디바이스
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제11항에 있어서,상기 고온부는 상기 제1 전극과 연결되어 상기 제1 전극으로부터 발생된 열을 전달받는 하이브리드형 디바이스
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제11항에 있어서,상기 광이 상기 전해질로 입사되어 상기 전해질을 가열하고, 상기 고온부는 상기 전해질과 이웃하여 상기 전해질로부터 발생된 열을 전달받는 하이브리드형 디바이스
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제1항 또는 제11항에 있어서,상기 제1 전극은 실리콘을 포함하고, 상기 실리콘은 비코팅 상태로 그 외부와 직접 접하는 하이브리드형 디바이스
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제15항에 있어서,상기 실리콘의 표면은 텍스쳐링(texturing)되거나 상기 실리콘의 표면에 나노 구조체가 형성된 하이브리드형 디바이스
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