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자외선 센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015199942
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 자외선 센서는, 서로 이격되어 배치된 2개의 전극; 상기 전극들의 표면에 형성된 Zn금속층; 및 상기 Zn금속층의 표면에서 ZnO 재질의 나노와이어가 성장하여 형성된 것으로서, 상기 2개의 전극에 형성된 Zn금속층 각각에 양단이 연결된 나노브릿지를 포함한다.본 발명의 자외선 센서 및 그 제조방법은, 이격된 전극의 표면에 증착된 Zn금속층에서 성장한 ZnO 나노와이어로 구성된 나노브릿지를 구비함으로써, ZnO 나노와이어를 수직한 방향으로 성장시키는 것이 필수적이지 않기 때문에 저비용의 제조공정을 적용할 수 있는 효과가 있다.또한 상술한 구조의 자외선 센서 및 그 제조방법은, 나노브릿지를 미리 줄 히팅함으로써, 반응속도가 향상된 자외선 센서를 얻을 수 있는 효과가 있다.나아가 상술한 구조의 자외선 센서를 사용하는 방법은, 사용에 앞서 나노브릿지를 줄 히팅시킴으로써, 자외선 센서의 반응 속도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/09 (2006.01) G01J 1/02 (2006.01)
CPC G01J 1/02(2013.01) G01J 1/02(2013.01) G01J 1/02(2013.01)
출원번호/일자 1020130118313 (2013.10.04)
출원인 한양대학교 에리카산학협력단
등록번호/일자 10-1552098-0000 (2015.09.04)
공개번호/일자 10-2015-0041206 (2015.04.16) 문서열기
공고번호/일자 (20150914) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.10.04)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유봉영 대한민국 경기 성남시 분당구
2 윤상화 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0899091-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.06.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0059404-32
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0118428-73
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0392286-99
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.04.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0392270-69
7 등록결정서
Decision to grant
2015.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0593125-18
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번호 청구항
1 1
서로 이격되어 배치된 2개의 전극;상기 전극들의 표면에 형성된 Zn금속층; 및상기 Zn금속층의 표면에서 ZnO 재질의 나노와이어가 성장하여 형성된 것으로서, 상기 2개의 전극에 형성된 Zn금속층 각각에 양단이 연결된 나노브릿지를 포함하며,상기 2개의 전극 사이에 전압을 인가하고 전류량의 변화를 측정하여 자외선을 감지하는 것을 특징으로 하는 자외선 센서
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청구항 1에 있어서,상기 나노브릿지의 두께가 20~150nm 인 것을 특징으로 하는 자외선 센서
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청구항 1에 있어서,상기 나노브릿지가 줄 히팅(Joule heating)되어 반응속도가 향상된 것을 특징으로 하는 자외선 센서
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자외선 조사에 따른 2개 전극 사이의 전류량 변화를 측정하여 자외선을 감지하는 자외선 센서의 제조방법으로서,서로 이격된 2 개의 전극을 형성하는 단계;상기 전극들의 표면에 Zn금속층을 증착하는 단계; 및상기 Zn금속층이 형성된 전극을 열처리하는 단계를 포함하며,상기 열처리하는 단계 중에, 상기 Zn금속층의 표면에서 ZnO 나노와이어가 성장하여 상기 전극 각각에 형성된 Zn금속층 사이에 연결된 나노브릿지를 형성하는 것을 특징으로 하는 자외선 센서의 제조방법
5 5
청구항 4에 있어서,상기 나노브릿지가 형성된 상기 전극 사이에 소정 전압 이상을 인가하여, 상기 나노브릿지를 줄 히팅(Joule heating)하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 센서의 제조방법
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청구항 5에 있어서,상기 나노브릿지를 줄 히팅하는 단계가, 3~5 V 범위의 전압을 인가하여 수행되는 것을 특징으로 하는 자외선 센서의 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 열처리하는 단계가, 400~550℃의 온도범위로 수행되는 것을 특징으로 하는 자외선 센서의 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 Zn금속층을 증착하는 단계가, 습식전해증착공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 자외선 센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.