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표면에 피라미드 형태의 요철이 형성된 실리콘 기판; 및수분 흡착을 위해 상기 피라미드 형태의 요철 단차를 따라 덮여있는 다공성 알루미나층을 포함하며,상기 다공성 알루미나층은 상기 피라미드 형태의 요철 높이보다 낮은 100nm∼10㎛의 두께를 갖고,상기 다공성 알루미나층의 상부 표면은 피라미드 형태로 요철되어 있으며,상기 다공성 알루미나층의 기공은 기공 확장되어 30∼400nm의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 수분 흡착을 위한 게터
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제1항에 있어서, 수소 흡착을 위해 상기 다공성 알루미나층 상부에 상기 다공성 알루미나층의 단차를 따라 분포된 산화팔라듐 나노 입자를 더 포함하며,상기 산화팔라듐 나노 입자는 효율적인 수소 흡착과 상기 다공성 알루미나층에 의한 수분 흡착을 위해 상기 피라미드 형태의 요철 높이보다 작고 상기 다공성 알루미나층의 기공 크기보다 작은 1∼10nm의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 수분 흡착을 위한 게터
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제1항에 있어서, 상기 피라미드 형태의 요철은 밑면의 대각선 길이가 1
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제1항에 있어서, 상기 다공성 알루미나층은 10∼35%의 기공율을 갖는 것을 특징으로 하는 수분 흡착을 위한 게터
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 기판과 상기 다공성 알루미나층 사이에 상기 피라미드 형태의 요철 단차를 따라 덮여있는 알루미늄막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수분 흡착을 위한 게터
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실리콘 기판을 텍스쳐링하여 표면에 피라미드 형태의 요철을 형성하는 단계;상기 실리콘 기판 상부에 알루미늄을 증착하여 상기 피라미드 형태의 요철 단차를 따라 덮여있는 알루미늄막을 형성하는 단계;상기 알루미늄막을 양극 산화하여 수분 흡착을 위한 다공성 알루미나층을 형성하는 단계; 및상기 다공성 알루미나층의 기공에 대하여 기공 확장시키는 단계를 포함하며,상기 다공성 알루미나층은 상기 피라미드 형태의 요철 높이보다 낮은 100nm∼10㎛의 두께로 형성하고,상기 다공성 알루미나층의 상부 표면은 피라미드 형태로 요철되어 있으며,상기 다공성 알루미나층의 기공이 상기 기공 확장에 의해 30∼400nm의 크기를 갖게 하는 것을 특징으로 하는 수분 흡착을 위한 게터의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 다공성 알루미나층 상부에 팔라듐을 증착하는 단계; 및상기 팔라듐을 열처리하여 수소 흡착을 위한 산화팔라듐 나노 입자를 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 산화팔라듐 나노 입자는 효율적인 수소 흡착과 상기 다공성 알루미나층에 의한 수분 흡착을 위해 상기 피라미드 형태의 요철 높이보다 작고 상기 다공성 알루미나층의 기공 크기보다 작은 1∼10nm의 크기를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 수분 흡착을 위한 게터의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 열처리는 알루미늄의 용융 온도보다 낮은 400∼650℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 수분 흡착을 위한 게터의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 텍스쳐링은 수산화칼륨(KOH), 수산화나트륨(NaOH), 사메틸수산화암모늄(tetramethyl ammonium hydroxide), 인산나트륨(Na3PO4) 및 탄산나트륨(Na2CO3) 중에서 선택된 1종 이상의 알칼리성 용액에 상기 실리콘 기판을 담그는 방법으로 이루어지고, 상기 텍스쳐링에 의해 밑면의 대각선 길이가 1
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제6항에 있어서, 상기 양극 산화 시에 황산, 옥살산, 인산 또는 이들의 혼합 용액을 사용하고, 상기 양극 산화 시에 전류 밀도는 10∼20 mA/cm2로 조절하여 균일한 다공성 알루미나층이 형성되게 하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 수분 흡착을 위한 게터의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 기공 확장은 수산화나트륨(NaOH) 용액, 인산(H3PO4) 용액 또는 인산(H3PO4)과 크롬산(H2CrO4)의 혼합용액에 다공성 알루미나층이 형성된 결과물을 담그는 방법으로 이루어지고,상기 기공 확장에 의해 상기 다공성 알루미나층이 10∼35%의 기공율을 갖도록 조절하는 것을 특징으로 하는 수분 흡착을 위한 게터의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 기공 확장은 상기 다공성 알루미나층의 다공성 구조의 벽면이 무너지지 않게 90분보다 작은 시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 수분 흡착을 위한 게터의 제조방법
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