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자외광을 발광하는 자외선(UV) 발광 다이오드 제조 방법으로서, 기판 상에 n형 화합물 반도체층, 다중 양자 우물(Multi Quantum Well)층, p형 화합물 반도체층을 차례로 형성하는 단계; 상기 p형 화합물 반도체층 상에 Ag, Ag-계 합금, Zn-계 합금, Ni-계 합금, La-계 합금, Mg-계 합금, 첨가원소가 함유된 인듐산화물 및 첨가원소가 함유된 SnO2으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나로 형성되는 오믹콘택트층을 형성하는 단계; 상기 오믹콘택트층 상에 In, Sn, Zn, Ga, Al, Cd, Mg, Be, Ag, Mo, V, Cu, Ir, Rh, Ru, W, Co, Ni, Ti, Mn, Sb 및 La으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 한 원소를 포함하는 산화물로 이루어진 투명전극층을 형성하는 단계; 및 상기 투명전극층에 전자빔 (electron beam)을 조사하는 단계를 포함하고, 상기 첨가원소는 Mg, Ag, Zn, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Mn, Hg, Pr, Sb 및 La으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나인 자외선(UV) 발광 다이오드 제조 방법
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