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오믹 접촉(ohmic contact)을 위해 N-페이스 p형(N-face p-type) GaN의 표면을 처리하는 방법에 있어서,
상기 N-페이스 p형 GaN의 표면에 황화암모늄[(NH4)2S] 용액으로 유황화 표면 처리를 실행하고,
상기 유황화 표면 처리가 실행된 N-페이스 p형 GaN 위에, 금속층을 형성하는 것을 특징으로 하는 N-페이스 p형 GaN의 표면 처리 방법
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제1항에 있어서,
상기 황화암모늄 용액은 90 vol% tert-부탄올 [tert-butanol (t-C4H9OH)]과 10 vol% 황화암모늄[Ammonium sulfide ((NH4)2S)]을 함유하는 알코올계 황 용액(alcohol-based sulfur solution)인 것을 특징으로 하는 N-페이스 p형 GaN의 표면 처리 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 유황화 표면 처리는 상기 황화암모늄 용액에 5분 내지 60분간 담가 둠으로써 실행되는 것을 특징으로 하는 N-페이스 p형 GaN의 표면 처리 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 금속층은 니켈(Ni)과 금(Au)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 N-페이스 p형 GaN의 표면 처리 방법
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제4항에 있어서,
상기 금속층에서 니켈(Ni)은 10~200 Å의 두께로 형성되고, 금(Au)은 10~800Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 N-페이스 p형 GaN의 표면 처리 방법
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발광 다이오드의 제조 방법에 있어서,
사파이어 기판 위에 p형 GaN층, 활성층), n형 GaN층 순차적으로 형성하고, 도전성 접착제를 이용하여 실리콘 기판을 접합하는 단계,
상기 사파이어 기판 제거하여, N-페이스의 p형 GaN(N-face p-GaN)층의 표면을 노출시키는 단계,
상기 N-페이스의 p형 GaN층의 표면에 대해, 황화암모늄 용액으로 유황화 표면 처리를 실행하여, 유황 보호막(sulfur passivation layer)을 형성하는 단계,
상기 유황 보호막의 상면에 금속 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제6항에 있어서,
상기 황화암모늄 용액은 90 vol% tert-부탄올 [tert-butanol (t-C4H9OH)]과 10 vol% 황화암모늄[Ammonium sulfide ((NH4)2S)]을 함유하는 알코올계 황 용액(alcohol-based sulfur solution)인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제6항에 있어서,
상기 유황화 표면 처리는 상기 황화암모늄 용액에 5분 내지 60분간 담가 둠으로써 실행되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제6항에 있어서,
상기 금속 전극은 니켈(Ni)과 금(Au)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조 방법
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10
제9항에 있어서,
상기 금속 전극에서 니켈(Ni)은 10~200 Å의 두께로 형성되고, 금(Au)은 10~800Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 발광 다이오드에 제조 방법을 사용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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