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활성 영역과 비활성 영역을 포함하는 발광다이오드 제작방법에 있어서, 기판의 전체면 상에 n-GaN층, 활성층, 및 p-GaN층이 적층된 반도체 적층구조를 형성하는 단계; 상기 비활성 영역에 대응하는 상기 반도체 적층구조에 적어도 부분적으로 반응성 이온을 주입하여 상기 p-GaN층 및 상기 활성층을 관통하여 상기 n-GaN층에 연결되는 n형 GaN 부분을 형성하는 단계; 상기 n형 GaN 부분과 상기 활성 영역 사이의 상기 반도체 적층구조에 부분적으로 반응성 이온을 주입하여 상기 p-GaN층, 상기 활성층 및 상기 n-GaN층의 상단 일부를 관통하며, 상기 n형 GaN 부분으로부터 상기 활성 영역의 p-GaN층 및 상기 활성층을 전기적으로 분리하는 절연 부분을 형성하는 단계; 상기 활성 영역에 대응하는 상기 반도체 적층구조에 부분적으로 반응성 이온을 주입하여 상기 p-GaN층, 상기 활성층 및 상기 n-GaN층의 상단 일부를 관통하며, 서로 이격된 복수의 절연성 나노 구조물을 형성하는 단계; 및 상기 활성 영역과 상기 n형 GaN 부분 상에 각각 p형 전극과 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 절연 부분을 형성하는 단계, 및 상기 복수의 절연성 나노 구조물을 형성하는 단계는 Si, Te, Zn, Mg, Ca, Ar, Be, O, Au, Ti, C, He 중 적어도 하나의 반응성 이온을 이온주입하여 수행되며, 상기 절연 나노 구조물은 상기 p-GaN층, 상기 활성층 및 상기 n-GaN층의 굴절율보다 높은 굴절율을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제작방법
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