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수직구조 발광다이오드 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200110
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 최적화된 칩 구조 및 전극 구조를 갖는 질화물 반도체 발광소자로 이루어진 수직구조 발광다이오드 및 이의 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드는 도전성 기판, 상기 도전성 기판 상에 순차적으로 형성된 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 구비하는 발광구조물, 부분적으로 상기 제1 반도체층 및 활성층을 관통하여 이온주입으로 형성된 제3 반도체층, 상기 제3 반도체층 주위로, 상기 제1 반도체층 및 활성층을 관통하여 이온주입으로 형성된 제1 절연체, 상기 제1 반도체층에 형성되며 상기 발광구조물의 외부로 노출된 전기 연결부를 구비하는 제1 전극층, 상기 제3 반도체층에 형성되며 상기 발광구조물의 외부로 노출된 전기 연결부를 구비하는 제2 전극층, 상기 제1 전극층을 상기 도전성 기판, 제3 반도체층 및 제2 전극층과 전기적으로 분리시키기 위한 제2 절연체, 그리고 상기 활성층에서 방출된 빛의 경로 상에 형성된 요철 구조를 포함한다. 이와 같은 구성에 의하면 제3 반도체층의 단차가 발생하지 않고 제2 전극층이 평평하고 쉽게 형성될 수 있다.
Int. CL H01L 33/36 (2010.01)
CPC H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01)
출원번호/일자 1020100058964 (2010.06.22)
출원인 순천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1525913-0000 (2015.05.29)
공개번호/일자 10-2011-0138839 (2011.12.28) 문서열기
공고번호/일자 (20150610) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.03.31)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽준섭 대한민국 전라남도 순천시 중앙로 ***,
2 박민주 대한민국 전라남도 순천시 중앙로 ***,
3 오승규 대한민국 전라남도 순천시 중앙로 ***,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 안준형 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0399387-26
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5083728-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021788-47
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0299375-15
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2014-0305351-17
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0891088-83
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2015-0120425-93
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.02.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0120424-47
9 등록결정서
Decision to grant
2015.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0341113-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
지지 기판;상기 지지 기판 상에 순차적으로 형성된 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 구비하는 발광구조물;상기 제1 반도체층 및 활성층에 이온주입하여 상기 제1 반도체층 및 활성층을 관통하도록 형성되고, 서로 이격된 복수의 제3 반도체층;상기 제3 반도체층 주위로, 상기 제1 반도체층 및 활성층에 이온주입하여 상기 제1 반도체층 및 활성층을 관통하도록 형성되어, 상기 제3 반도체층과 상기 제1 반도체층 사이, 및 상기 제3 반도체층과 상기 활성층 사이를 절연시키는 제1 절연체; 상기 제1 반도체층에 컨택되며, 상기 발광구조물의 외부로 노출된 전기 연결부를 구비하는 제1 전극층;상기 제3 반도체층에 컨택되며, 상기 발광구조물의 외부로 노출된 전기 연결부를 구비하는 제2 전극층; 상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층 사이에 제공되어 서로 절연시키는 제2 절연체; 및상기 지지 기판과 상기 제2 전극층 사이에 제공되는 솔더/ 확산방지(Solder/Diffusion Barier)층;을 포함하는 수직구조 발광다이오드
2 2
제1항에 있어서,상기 제3 반도체층과 상기 제2 전극층 사이에 오믹컨택층을 더 포함하는 수직구조 발광다이오드
3 3
제1항에 있어서,상기 발광구조물은 상기 지지 기판 상면 중 일부 위에만 형성되고,적어도 상기 지지 기판 상면 중 상기 발광구조물이 형성되지 않은 영역 위에는 상기 발광구조물을 이루는반도체 물질과 식각 특성이 상이한 식각저지층이 형성된 것을 특징으로 하는 수직구조 발광다이오드
4 4
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