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발광다이오드 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200111
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광 추출 효율의 한계를 극복할 수 있는 발광다이오드 및 이의 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 구조는 n형 반도체층, 상기 n형 반도체층에 적층되는 활성층, 상기 활성층 상에 적층되는 p형 반도체층, 상기 p형 반도체층과 활성층의 일부 영역을 제거하여 노출된 n형 반도체층에 형성되는 제1 전극층, 상기 p형 반도체층에 형성되는 투명 전극층, 그리고 상기 투명전극층에 형성되는 제2 전극층을 포함하고, 상기 제2 전극층 하부의 p형 반도체층의 적어도 일부 영역에 이온주입으로 형성된 절연체가 구비된다. 이와 같은 구성에 의하면, 외부 손상의 염려 없이 광 추출 효율을 증대 시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/14 (2014.01)
CPC H01L 33/145(2013.01)
출원번호/일자 1020100059189 (2010.06.22)
출원인 순천대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0138980 (2011.12.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.03.31)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽준섭 대한민국 전라남도 순천시 중앙로 ***,
2 김용덕 대한민국 전라남도 순천시 중앙로 ***,
3 박민주 대한민국 전라남도 순천시 중앙로 ***,
4 오승규 대한민국 전라남도 순천시 중앙로 ***,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 안준형 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0400915-60
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5083728-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021788-47
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0299375-15
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2014-0305350-61
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2015-0004961-19
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0359350-41
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0652212-53
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.07.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0652211-18
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0818982-75
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번호 청구항
1 1
n형 반도체층;상기 n형 반도체층에 적층되는 활성층;상기 활성층 상에 적층되는 p형 반도체층;상기 p형 반도체층과 활성층의 일부 영역을 제거하여 노출된 n형 반도체층에 형성되는 제1 전극층;상기 p형 반도체층에 형성되는 투명 전극층; 및상기 투명전극층에 형성되는 제2 전극층;을 포함하고, 상기 제2 전극층 하부의 p형 반도체층의 적어도 일부 영역에 이온주입으로 형성된 절연체가 구비된 것을 특징으로 하는 발광다이오드
2 2
n형 반도체층;상기 n형 반도체층에 적층되는 활성층;상기 활성층 상에 적층되는 p형 반도체층;상기 p형 반도체층과 활성층의 일부 영역을 제거하여 노출된 n형 반도체층에 형성되는 제1 전극층;상기 p형 반도체층에 형성되는 투명 전극층; 및상기 투명전극층에 형성되는 제2 전극층;을 포함하고 상기 제2 전극층 하부의 p형 반도체층의 적어도 일부 영역에 이온주입으로 형성된 절연체가 구비되고, 상기 p형 반도체층과 활성층의 일부 영역을 제거하여 노출된 측면에 이온주입으로 형성된 절연체가 더 구비된 것을 특징으로 하는 발광다이오드
3 3
n형 반도체층;상기 n형 반도체층에 적층되는 활성층;상기 활성층 상에 적층되는 p형 반도체층;상기 p형 반도체층과 활성층의 일부 영역을 관통하여 이온주입으로 형성된 제2 n형 반도체층;상기 제2 n형 반도체층 주위로 상기 p형 반도체층과 활성층의 일부 영역을 관통하여 이온주입으로 형성된 제1 절연체; 상기 p-형 반도체층에 형성되는 투명 전극층; 및상기 투명전극층에 형성되는 제2 전극층;을 포함하고 상기 제2 전극층 하부의 p형 반도체층의 적어도 일부 영역에 이온주입으로 형성된 제2 절연체가 구비된 것을 특징으로 하는 발광다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.