맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

나노구조 형광체가 구비된 발광다이오드 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200114
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광다이오드의 전면에 나노구조의 박막 형광체가 증착된 발광다이오드가 개시된다. 본 발명에 따른 발광다이오드는 n-형 반도체층, p-형 반도체층, 상기 n-형 반도체층과 상기 p-형 반도체층 사이에 형성된 활성층 그리고 상기 n-형 반도체층, 활성층, p-형 반도체층이 결합된 층 위에 나노(nano)구조의 박막형태를 가지는 나노구조 형광체를 포함한다. 이와 같은 구성에 의하면, 균일한 색분포를 나타내면서도 광변환 효율이 좋은 발광다이오드를 얻을 수 있다.
Int. CL H01L 33/50 (2014.01)
CPC H01L 33/502(2013.01) H01L 33/502(2013.01) H01L 33/502(2013.01) H01L 33/502(2013.01)
출원번호/일자 1020100062891 (2010.06.30)
출원인 순천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1148673-0000 (2012.05.11)
공개번호/일자 10-2012-0002149 (2012.01.05) 문서열기
공고번호/일자 (20120521) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.30)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 곽준섭 대한민국 전라남도 순천시 중앙로 ***,
2 박민주 대한민국 전라남도 순천시 중앙로 ***,

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 전라남도 순천시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0424311-55
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.06.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0061087-40
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0534855-53
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0918077-08
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0918078-43
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0158974-03
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5083728-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021788-47
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n-형 반도체층;상기 n-형 반도체층 상부에 적층된 p-형 반도체층;상기 n-형 반도체층과 상기 p-형 반도체층 사이에 형성된 활성층; 및상기 n-형 반도체층, 활성층, p-형 반도체층이 결합된 층 위에 증착되는 나노(nano)구조의 박막형태를 가지는 나노구조 형광체;를 포함하고,상기 n-형 반도체층에 절연층과 임플란트를 형성하고, 상기 임플란트 상단에 n 전극이 형성되며, 상기 p-형 반도체층 상부에 p 전극이 형성되고,상기 나노구조 형광체의 형상은 용수철, 일정 기울기를 갖는 사선, 지그재그, 기립된 선, 사각 또는 육각 중 적어도 어느 하나의 형상이 복수개 구비되어 이루어지고, 상기 나노구조 형광체는 산화물 형광체, 황화물 형광체, 또는 질화물 형광체 중 적어도 어느 하나를 포함하며,상기 나노구조 형광체는 상기 n-형 반도체층, 활성층, p-형 반도체층에 수직 및 수평의 증착각도가 변화하면서 증착되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
2 2
제1항에 있어서,상기 n-형 반도체층은 n-GaN을 포함하고, 상기 p-형 반도체층은 p-GaN을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
3 3
제1항에 있어서,상기 활성층은 MQW(Multi Quantum Well)층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.