| 1 |
1
n-형 반도체층;상기 n-형 반도체층에 적층되는 활성층;상기 활성층상에 적층되는 p-형 반도체층을 포함하는 발광다이오드에서,상기 적층된 n-형 반도체층, 활성층 및 p-형 반도체층은 돌출 영역 및 미돌출 영역을 포함하는 요철부를 구비하고,상기 돌출 영역의 측면 및 미돌출 영역을 둘러싸는 형광물질 절연층을 포함하는 발광다이오드
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 요철부는 나노구조의 마스크에 의해 식각 형성됨으로써 상기 요철부에 의해 나노구조패턴을 갖는 발광다이오드
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 n-형 반도체층은 n-GaN을 포함하고, 상기 p-형 반도체층은 p-GaN을 포함하는 발광다이오드
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 활성층은 Muliti-quantum well 층인 발광다이오드
|
| 5 |
5
제2항에 있어서,상기 나노구조패턴이 상기 적층된 n-형 반도체층, 활성층 및 p-형 반도체층전반에 걸쳐 형성되는 발광다이오드
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 돌출 영역은 n-형 반도체층, 활성층 및 p-형 반도체층을 포함하는 발광다이오드
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 돌출 영역은 p-형 반도체층을 포함하는 발광다이오드
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 돌출 영역 및 미돌출 영역은 In, Sn, Ni, Co, Au, Ag, Al, Si, Ge, Zn 중 적어도 하나를 포함하는 금속재료의 마스크를 사용하여 식각방법으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 형광물질 절연층이 적어도 황록색 형광물질을 포함하는 발광다이오드
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 형광물질 절연층이 산화물 또는 질화물 형광물질로 된 발광다이오드
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 형광물질 절연층이 진공증착에 의하여 형성된 발광다이오드
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 돌출부분의 상면과 상기 형광체 절연층의 상부에 In, Sn, Zn, Sb, Pb, Ti 중 적어도 한 원소를 포함하는 투명전도산화물층을 포함하는 투명전극층을 더 구비한 발광다이오드
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,상기 돌출부분의 상면과 상기 투명전도산화물층 사이에 오믹특성을 향상시키는 오믹컨텍트향상층을 더 포함한 발광다이오드
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 오믹컨텍트향상층이 Cu가 첨가된 In산화물, Pd, Au, Ni, Pt, Ag 중의 하나인 발광다이오드
|
| 15 |
15
기판상에 n-형 반도체층을 증착시키는 단계,상기 n-형 반도체층상에 활성층을 증착시키는 단계,상기 활성층 상에 p-형 반도체층을 증착시키는 단계,상기 n-형 반도체층, 활성층 및 p-형 반도체층으로 이루어지는 다수의 기둥모양의 나노구조패턴을 형성시키는 단계, 및상기 나노구조패턴 사이에 형광물질 절연층을 형성시키는 단계를 포함하는 발광다이오드의 제조방법
|
| 16 |
16
제15항에 있어서,상기 나노구조패턴을 나노구조의 마스크를 사용하여 식각방법으로 형성시키는 발광다이오드의 제조방법
|
| 17 |
17
제16항에 있어서,상기 나노구조의 마스크를 In, Sn, Ni, Co, Au, Ag, Al, Si, Ge, Zn 중 적어도 하나를 포함하는 금속재료를 사용하여 제작하는 발광다이오드의 제조방법
|
| 18 |
18
제15항에 있어서,상기 형광물질 절연층을 진공 증착시켜서 형성시키는 발광다이오드
|
