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발광 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200135
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 다이오드 및 그 제조 방법으로서, 기판; 상기 기판 상에 형성된 제1 도전형의 반도체층; 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 형성된 발광층; 상기 발광층 상에 형성된 제2 도전형의 반도체층; 상기 제2 도전형의 반도체층의 상부면과 하부면 사이에 형성된 전류 억체층; 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 형성된 투명 전극층; 및 상기 투명 전극층의 적어도 일부 상에 형성된 패드 전극을 포함하는 발광 다이오드와 그 제조 방법이 제공된다.
Int. CL H01L 33/36 (2014.01)
CPC H01L 33/145(2013.01) H01L 33/145(2013.01) H01L 33/145(2013.01) H01L 33/145(2013.01) H01L 33/145(2013.01)
출원번호/일자 1020110116011 (2011.11.08)
출원인 순천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1267437-0000 (2013.05.20)
공개번호/일자 10-2013-0050774 (2013.05.16) 문서열기
공고번호/일자 (20130531) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.08)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽준섭 대한민국 전라남도 순천시 중앙로 *
2 김용덕 대한민국 전라남도 순천시 중앙로 *
3 박민주 대한민국 전라남도 순천시 중앙로 *
4 손광정 대한민국 전라남도 순천시 중앙로 *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 안준형 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 전라남도 순천시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0881502-55
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0022826-18
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.06.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.07.16 수리 (Accepted) 9-1-2012-0055915-99
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.11.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0669548-18
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.11.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0971997-09
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0971782-90
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0971981-79
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.04.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0227299-23
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0334017-17
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.04.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0334016-61
12 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2013.05.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0322290-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5083728-15
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021788-47
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번호 청구항
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기판 상에 제1 도전형 반도체층, 발광층, 제2 도전형 반도체층을 차례로 형성하는 단계;상기 제2 도전형 반도체층 상에 투명 전극층을 형성하는 단계; 상기 투명 전극층의 일부 상에 개구부를 포함하는 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 마스크 패턴의 개구부를 통하여 이온 주입하여 상기 제2 도전형 반도체의 상부면과 하부면 사이에 전류 억제층을 형성하는 단계; 및상기 제1 마스크 패턴의 개구부를 통하여 도전성 물질을 증착하여 패드 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
15 15
제 14항에 있어서, 상기 제1 마스크 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
16 16
제 14항에 있어서, 상기 패드 전극은 리프트 오프 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
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제 14항에 있어서, 상기 제1 도전형은 n형이고, 상기 제2 도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
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제 14항에 있어서, 상기 반도체층과 상기 발광층은 질화갈륨계 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
19 19
제 14항에 있어서, 상기 발광층은 다중 양자 우물(Multiple Quantum Well)인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
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제 14항에 있어서, 상기 투명 전극층은 ITO, ZnO, ITO, ZnO, IGZO, SnO2, AZO, CIO, IZO 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
21 21
제 14항에 있어서, 상기 패드 전극은 금속으로 형성된 p-패드 전극인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
22 22
제 14항에 있어서, 상기 전류 억제층은 절연성인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
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제 14항 내지 제 22항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전류 억제층과 상기 패드 전극은 자기 정렬(Self-Align)되어 패턴 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
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제 23항에 있어서, 상기 전류 억제층은 Si, Te, Zn, Mg, Ca, Ar, Be, O, Au, Ti, C, H, He, Si, Al, In, B, N, Se, S, P 중 선택된 적어도 하나의 반응성 이온, 또는 기체 분자들을 플라즈마를 이용하여 이온 주입하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
25 25
제 23항에 있어서, 상기 전류 억제층의 폭은 상기 패드 전극의 폭과 동일하거나 큰 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
26 26
제 23항에 있어서, 상기 전류 억제층은 상기 패드 전극의 형상에 대응되도록 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
27 27
제 14항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체층의 일부를 노출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
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제 27항에 있어서, 상기 패드 전극과 분리되고, 상기 제1 도전형 반도체층의 노출된 상부면 상에 제1 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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3 교육과학기술부 순천대학교 산학협력단 한-중 과학기술협력센터사업 나노막대-양자점 에너지 전이 여기를 이용한 고효율 백색 LED조명 연구