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발광다이오드 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200137
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 n-형 반도체층, 상기 n-형 반도체층에 적층되는 활성층, 상기 활성층 상에 적층되는 p-형 반도체층을 포함하는 발광다이오드로, 상기 적층된 n-형 반도체층, 활성층 및 p-형 반도체층은 돌출 영역 및 미돌출 영역을 포함하는 요철부를 구비하고 있고, 돌출 영역의 측면 및 미돌출 영역을 둘러싸는 절연층을 포함하는 발광다이오드를 개시한다.
Int. CL H01L 33/20 (2014.01) H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01)
출원번호/일자 1020090133829 (2009.12.30)
출원인 순천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1148758-0000 (2012.05.11)
공개번호/일자 10-2011-0077300 (2011.07.07) 문서열기
공고번호/일자 (20120521) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 보정승인간주
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.30)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽준섭 대한민국 전라남도 순천시 중앙로 ***,
2 박민주 대한민국 전라남도 순천시 중앙로 ***,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 전라남도 순천시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0815515-19
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.03.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0202351-20
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0252238-66
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0527743-37
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0527742-92
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0081136-86
7 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2012.03.14 수리 (Accepted) 7-1-2012-0012303-57
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.03.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0256275-26
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0256274-81
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2012.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0261429-25
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5083728-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021788-47
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번호 청구항
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사파이어 기판 상에 n-형 반도체층을 성장시키는 단계;상기 n-형 반도체층에 활성층을 성장시키는 단계;상기 활성층 상에 p-형 반도체층을 성장시키는 단계;상기 적층된 n-형 반도체층, 활성층 및 p-형 반도체층에 요철부를 형성시키는 단계;상기 n-형 반도체층, 활성층 및 p-형 반도체층을 포함하는 돌출 영역의 측면 및 미돌출 영역에 절연층을 형성하는 단계; 및상기 절연층이 형성된 서로 다른 상기 돌출 영역들의 사이 공간 및 상기 p-형 반도체층 상부에 투명 전극이 형성되는 단계;를 포함하며,상기 절연층의 형성은 이온주입 또는 플라즈마 도핑에 의해 형성되는 발광다이오드의 제조방법
9 9
제8항에 있어서,상기 요철부를 형성하는 단계는 나노구조마스크에 의한 식각에 의해 이루어지며, 상기 식각에 의해 적층된 n-형 반도체층, 활성층 및 p-형 반도체층에 나노 구조 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
10 10
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11 11
제8항에 있어서,상기 이온주입 또는 플라즈마 도핑은 Si, Te, Zn, Mg, Ca, Ar, Be, O, Au, Ti, C, H 및 He 으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 이온을 이용하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
12 12
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.