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제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;상기 제1 도전형 반도체층의 적어도 일부 상에 형성되는 제1 전극; 및상기 제1 전극의 측면 하부에 형성되는 전류 확산층을 포함하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 전류 확산층은 규소(Si), 텔루륨(Te), 아연(Zn_, 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 아르곤(Ar), 베릴륨(Be), 산소(O), 금(Au), 타이타늄(Ti), 탄소(C), 수소(H), 헬륨(He), 알루미늄(Al), 인듐(In), 붕소(B), 질소(N), 셀레늄(Se), 황(S), 및 인(P) 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질을 상기 제1 전극의 측면 하부로 주입하여 형성되는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 전류 확산층은 상기 제1 전극의 측면 하부로 소정의 이온 또는 기체 분자를 주입하는 이온 주입(Ion Implantation) 공정으로 형성되는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 발광 구조물은 상기 제1 전극의 양 측면으로 생성되고, 상기 전류 확산층은 상기 제1 전극의 양 측면 하부에 형성되는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성되는 제2 전극을 더 포함하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 제2 도전형 반도체층의 표면에는 요철 구조가 구비된 발광소자
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제1항에 있어서,상기 제2 도전형 반도체층 상에 위치하는 오믹층을 더 포함하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 발광 구조물의 측면을 식각하여 노출된 상기 제1 도전형 반도체층의 적어도 일부 상에 형성되는 발광 소자
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제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계;상기 제1 도전형 반도체층의 적어도 일부 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 제1 전극의 측면 하부에 전류 확산층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제1 전극의 측면 하부에 전류 확산층을 형성하는 단계는, 규소(Si), 텔루륨(Te), 아연(Zn_, 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 아르곤(Ar), 베릴륨(Be), 산소(O), 금(Au), 타이타늄(Ti), 탄소(C), 수소(H), 헬륨(He), 알루미늄(Al), 인듐(In), 붕소(B), 질소(N), 셀레늄(Se), 황(S), 및 인(P) 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질을 상기 제1 전극의 측면 하부로 주입하여 상기 전류 확산층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제1 전극의 측면 하부에 전류 확산층을 형성하는 단계는,상기 제1 전극의 측면 하부로 소정의 이온 또는 기체 분자를 주입하는 이온 주입(Ion Implantation) 공정으로 상기 전류 확산층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 발광 구조물은 상기 제1 전극의 양 측면으로 생성되고, 상기 전류 확산층은 상기 제1 전극의 양 측면 하부에 형성되는 발광 소자의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제2 도전형 반도체층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제2 도전형 반도체층의 표면에 요철 구조를 형성하는 단계를 더 포함하는 발광소자의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제2 도전형 반도체층 상에 오믹층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층의 적어도 일부 상에 제1 전극을 형성하는 단계는,상기 발광 구조물의 측면을 식각한 후, 노출된 제1 도전형 반도체층의 적어도 일부 상에 상기 제1 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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