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제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 제1, 2 도전형 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물; 및상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되며, 적어도 하나의 홀이 형성된 투광성 전극층;을 포함하고,상기 제1 도전형 반도체층은,상기 투광성 전극층과 접촉된 제1 영역; 및상기 홀에 의해 노출되며, 요철이 형성된 제2 영역;을 포함하는 발광소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제2 영역의 면적은,상기 제1 도전형 반도체층의 면적 대비 0
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제 1 항에 있어서, 상기 제2 영역의 면적은,상기 제1 영역의 면적 대비 0
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제 1 항에 있어서, 상기 홀의 평면 형상은,다각형, 반원형 또는 원형 형상인 발광소자
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제 1 항에 있어서, 상기 홀의 상부폭은,상기 홀의 하부폭과 동일하거나,또는 상기 홀의 하부폭보다 큰 발광소자
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제 1 항에 있어서, 상기 홀의 내측면은, 80도 내지 90도의 경사각을 갖는 발광소자
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제 1 항에 있어서, 상기 홀은,제1 홀; 및상기 제1 홀의 크기 및 길이 중 적어도 하나가 다른 제2 홀;을 포함하는 발광소자
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제 1 항에 있어서, 상기 요철은,제1 요철; 및상기 제1 요철의 높이 및 크기 중 적어도 하나가 다른 제2 요철;을 포함하는 발광소자
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9
제 8 항에 있어서, 상기 제1, 2 요철은,서로 다른 단면 형상을 갖는 발광소자
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제 1 항에 있어서, 상기 투광성 전극층은,ITO 또는 ZnO 인 발광소자
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제 1 항에 있어서,상기 발광구조물을 지지하는 성장기판;상기 투광성 전극층 상에 형성된 제1 전극; 및상기 제2 도전형 반도체층의 메사식각된 일부부에 형성된 제2 전극;을 포함하는 발광소자
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제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1, 2 도전형 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계;상기 제1 도전형 반도체층 상에 투광성 전극층을 증착하는 단계;상기 투광성 전극층 상에 포토레지스트(Photo Resist) 패턴을 형성하는 단계; 및상기 홀 패턴에 의해 노출된 상기 투광성 전극층에 홀을 형성하고, 상기 홀에 의해 노출된 상기 제1 도전형 반도체층의 제2 영역에 요철을 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법
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제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항의 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지
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