| 1 |
1
기판;상기 기판 상에 형성되는 제1 내지 제2 질화갈륨계 반도체층의 적층구조로 이루어진 활성영역;상기 활성영역 상에 형성되는 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극;상기 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 상에 형성되는 제1 층간 절연체층(Inter metal dielectric layer);상기 게이트, 소스, 드레인 전극 각각과 연결되고 제1 층간 절연체층 내부에 형성되는 제1 층간 배선부(interconnector); 및상기 제1 층간 배선부 상에 형성되는 콘택 패드;를 포함하고, 상기 제1 층간 절연체층은 절연성과 탄성을 동시에 갖는 유기절연체층을 포함하는 이종접합 전계효과 트랜지스터
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 제1 반도체층은 알루미늄을 포함하는 질화갈륨계 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 반도체층은 질화갈륨계 반도체층으로 형성되는 이종접합 전계효과 트랜지스터
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극 각각은 연결부 및 상기 연결부로부터 연장되는 복수의 가지부를 가지고,상기 소스 전극 및 드레인 전극 각각의 복수의 가지부들은 서로 삽입되어 맞물리도록 배열되는 이종접합 전계효과 트랜지스터
|
| 4 |
4
제 3 항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 소스 전극의 복수의 가지부와 드레인 전극의 복수의 가지부들 사이 공간을 따라 형성되는 이종접합 전계효과 트랜지스터
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 콘택 패드 상에 형성되는 제2 층간 절연체층, 본딩 패드 및 상기 콘택 패드와 본딩 패드를 연결하는 제2 층간 배선부를 더 포함하는 이종접합 전계효과 트랜지스터
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 제1 층간 절연체층은 무기절연체층을 더 포함하여, 상기 무기절연체층과 유기절연체층의 적층구조로 형성되고, 상기 무기절연체층의 두께는 상기 유기절연체층의 두께보다 얇은 이종접합 전계효과 트랜지스터
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서,상기 무기절연체층은 실리카(SiO2), 이산화티타늄(TiO2), 산화알루미늄 (Al2O3), 산화탄탈륨(Ta2O5) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 전계효과 트랜지스터
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서,상기 유기절연체층은 폴리이미드(Polyimide), 폴리카보네이트(Poly carbonate), 폴리아미드(Polyamide), 폴리에틸렌테트라프탈레이트 (Polyehtylenetetraphthalate), PVP(Poly-4- vinylphenol), PES(Polyethersulfone) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 전계효과 트랜지스터
|
| 10 |
10
제 3 항에 있어서,상기 제1 층간 배선부는 상기 소스 전극 또는 드레인 전극 각각의 상기 연결부 및 가지부에 연결되도록 형성되는 이종접합 전계효과 트랜지스터
|
| 11 |
11
제 1 항에 있어서,상기 콘택 패드는 상기 활성영역을 이루는 면적 내부의 상부에 위치하는 이종접합 전계효과 트랜지스터
|
| 12 |
12
기판 상에 형성되는 제1 내지 제2 질화갈륨계 반도체층의 적층구조로 이루어진 활성영역을 형성하는 단계;상기 활성영역 상에 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 상에 제1 층간 절연체층을 형성하는 단계;상기 게이트, 소스, 드레인 전극 각각과 대응되는 위치의 제1 층간 절연체층 내부에 제1 비아 홀(via hole)을 형성하는 단계;상기 제1 비아 홀에 금속물질을 채워서 제1 층간 배선부를 형성하는 단계; 및상기 제1 층간 배선부 상에 콘택 패드를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제1 층간 절연체층은 절연성과 탄성을 동시에 갖는 유기절연체층을 포함하는 이종접합 전계효과 트랜지스터 제조방법
|
| 13 |
13
제 12 항에 있어서,상기 제1 반도체층은 알루미늄을 포함하는 질화갈륨계 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 반도체층은 질화갈륨계 반도체층으로 형성되는 이종접합 전계효과 트랜지스터 제조방법
|
| 14 |
14
제 12 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극 각각은 연결부 및 상기 연결부로부터 연장되는 복수의 가지부를 가지고,상기 소스 전극 및 드레인 전극 각각의 복수의 가지부들은 서로 삽입되어 맞물리도록 배열되는 이종접합 전계효과 트랜지스터 제조방법
|
| 15 |
15
제 14 항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 소스 전극의 복수의 가지부와 드레인 전극의 복수의 가지부들 사이 공간을 따라 형성되는 이종접합 전계효과 트랜지스터 제조방법
|
| 16 |
16
제 12 항에 있어서,상기 콘택 패드 상에 제2 층간 절연체층을 형성하는 단계; 상기 제2 층간 절연체층 내부에 제2 층간 배선부를 형성하는 단계; 및상에 제2 층간 배선부 상에 본딩 패드를 형성하는 단계;를 더 포함하는 이종접합 전계효과 트랜지스터 제조방법
|
| 17 |
17
삭제
|
| 18 |
18
제 12 항에 있어서,상기 제1 층간 절연체층은 무기절연체층을 더 포함하여, 상기 무기절연체층과 유기절연체층의 적층구조로 형성되고, 상기 무기절연체층의 두께는 상기 유기절연체층의 두께보다 얇은 층으로 형성되는 이종접합 전계효과 트랜지스터 제조방법
|
| 19 |
19
제 14 항에 있어서,상기 제1 층간 배선부는 상기 소스 전극 또는 드레인 전극 각각의 상기 연결부 및 가지부에 연결되도록 형성되는 이종접합 전계효과 트랜지스터 제조방법
|
