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측면 발광 다이오드 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015200290
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 측면 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 서로 대향하는 제1 면 내지 제2 면을 갖는 기판; 상기 기판의 제1 면 상에 위치하는 제1 반사층; n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층을 포함하고, 상기 기판의 제2 면 상에 위치하는 반도체 적층 구조물; 및 상기 반도체 적층 구조물 상에 위치하는 제2 반사층을 포함하는 측면 발광 다이오드를 제조함으로써 고효율의 측면 광추출 효율이 가능한 측면 발광 다이오드 및 이를 포함하는 백라이트 유닛, 면광원를 제공하는 것이 가능하다.
Int. CL H01L 33/10 (2010.01) H01L 33/22 (2010.01) H01L 33/20 (2010.01)
CPC H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01)
출원번호/일자 1020130146017 (2013.11.28)
출원인 순천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1539994-0000 (2015.07.22)
공개번호/일자 10-2015-0062194 (2015.06.08) 문서열기
공고번호/일자 (20150730) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.28)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽준섭 대한민국 전남 순천시 중앙로 ***, 인쇄

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 안준형 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-1087805-74
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-1171121-57
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021788-47
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0062234-48
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0035082-00
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0162516-12
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.02.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0162514-21
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0424884-13
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-0661842-18
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2015.07.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0661840-16
12 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2015.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0472436-42
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
서로 대향하는 제1 면 내지 제2 면을 갖는 기판;상기 기판의 제1 면 상에 위치하는 제1 반사층;n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층을 포함하고, 상기 기판의 제2 면 상에 위치하는 반도체 적층 구조물; 상기 반도체 적층 구조물 상에 위치하는 제2 반사층; 및 상기 기판의 제1 면 내측으로 돌출되어 상기 활성층으로부터 입사하는 광을 측면 방향으로 반사하는 반사형 돌출부를 포함하며, 상기 제 1 반사층 및 반사형 돌출부는 동일한 물질로서 이루어지고, 일체로서 형성되며, 상기 기판의 내부에 형성된 광추출 구조를 더 포함하는 측면 발광 다이오드
2 2
제1 항에 있어서,상기 기판의 제2 면 측에 마련된 광추출 구조를 더 포함하는 측면 발광 다이오드
3 3
제2 항에 있어서,상기 기판의 제2 면 측에 마련된 광추출 구조는 상기 기판을 패터닝하여 형성한 돌출부 또는 오목부인 측면 발광 다이오드
4 4
제2 항에 있어서,상기 기판의 제2 면 측에 마련된 광추출 구조는 상기 기판 상에 산화물층을 형성하고, 상기 산화물층을 패터닝하여 형성한 돌출부인 측면 발광 다이오드
5 5
제2 항에 있어서,상기 기판의 제2 면 측에 마련된 광추출 구조는 상기 반도체 적층 구조물의 일부를 패터닝하여 형성한 오목부인 측면 발광 다이오드
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제1 항에 있어서, 상기 제1 반사층 또는 제2 반사층은 금속 반사층 또는 분산 브레그 반사층(DBR층)인 측면 발광 다이오드
9 9
제1 항 내지 제5 항, 및 제8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 적층 구조물의 측면 중 적어도 일부는 상기 기판에 수직인 방향에 대하여 경사진 측면 발광 다이오드
10 10
제1 항 내지 제5 항, 및 제8 항 중 어느 한 항의 측면 발광 다이오드를 포함하는 백라이트 유닛
11 11
제1 항 내지 제5 항, 및 제8 항 중 어느 한 항의 측면 발광 다이오드를 포함하는 면조명 장치
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
삭제
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
성장기판 상에 n형 발도체층, 활성층, p형 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조물을 형성하는 단계; 상기 반도체 적층 구조물 상에 제2 반사층을 형성하는 단계;상기 제2 반사층 상에 지지기판을 형성하는 단계;상기 성장기판을 상기 반도체 적층 구조로부터 분리하는 단계; 및 제1 면 상에 제1 반사층이 형성된 투명기판의 제2 면을 반도체 적층 구조물의 노출면에 접합하는 단계를 포함하는 측면 발광 다이오드 제조 방법
18 18
제17 항에 있어서, 상기 투명기판의 제1 면을 패터닝하여 오목부를 형성하는 단계; 및 상기 오목부가 형성된 제1 면 상에 상기 제1 반사층을 형성하면서 상기 오목부를 채워 상기 기판의 하부면 내측으로 삽입되는 삽입체인 광추출 구조를 형성하는 단계를 더 포함하는 측면 발광 다이오드 제조 방법
19 19
제17 항에 있어서, 상기 투명기판의 제2 면을 패터닝하여 오목부를 형성하는 단계를 더 포함하는 측면 발광 다이오드 제조 방법
20 20
제17 항에 있어서, 상기 투명기판의 내부에 광추출 구조를 형성하는 단계를 더 포함하는 측면 발광 다이오드 제조 방법
21 21
제17 항에 있어서, 상기 반도체 적층 구조물을 형성하기 전에, 상기 성장기판 상에 산화물층을 형성하는 단계; 및 상기 산화물층을 패터닝하여 돌출부인 광추출 구조를 형성하는 단계를 더 포함하는 측면 발광 다이오드 제조 방법
22 22
제17 항에 있어서, 상기 성장기판을 상기 반도체 적층 구조물로부터 분리한 후에, 상기 반도체 적층 구조물의 노출면을 패터닝하여 오목부를 형성하는 단계를 더 포함하는 측면 발광 다이오드 제조 방법
23 23
제17 항 내지 제22 항 중에서 어느 한 항에 있어서, 상기 지지기판을 제2 반사층으로부터 분리하는 단계를 더 포함하는 측면 발광 다이오드 제조 방법
24 24
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1 KR101613246 KR 대한민국 FAMILY
2 WO2015080416 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 순천대학교 지역혁신센터(RIC)사업 차세대 전략산업용 희유자원 실용화 센터 사업
2 지식경제부 포항공과대학교 산업원천기술개발사업 180 lm/W 급 고효율 나노기반 LED 개발