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발광 다이오드 제조방법
- 기술번호 : KST2015200296
- 담당센터 : 광주기술혁신센터
- 전화번호 : 062-360-4654
| 요약 | 본 발명은 발광 다이오드 제조 방법으로서, 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 발광층, 제2 도전형 반도체층을 차례로 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 반도체층의 상부면 일부를 노출하는 단계; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 투명 전극층을 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 반도체층의 노출면과 상기 투명 전극층 상에 개구부를 포함하는 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 마스크 패턴의 개구부를 통하여 이온 주입하여 상기 제2 도전형 반도체층에 전류 억제층을 형성하는 단계; 상기 제1 마스크 패턴의 개구부를 통하여 도전성 물질을 증착하여 패드 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 반도체층의 노출면 상에 개구부를 포함하는 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제2 마스크 패턴의 개구부를 통하여 도전성 물질을 증착하여 제1 전극을 형성하는 단계를 포함한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 33/36 (2014.01) |
| CPC | H01L 33/145(2013.01) H01L 33/145(2013.01) H01L 33/145(2013.01) H01L 33/145(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020110116013 (2011.11.08) |
| 출원인 | 순천대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1219290-0000 (2013.01.02) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20130121) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2011.11.08) |
| 심사청구항수 | 34 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 순천대학교 산학협력단 | 대한민국 | 전라남도 순천시 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 곽준섭 | 대한민국 | 전라남도 순천시 중앙로 * |
| 2 | 김용덕 | 대한민국 | 전라남도 순천시 중앙로 * |
| 3 | 박민주 | 대한민국 | 전라남도 순천시 중앙로 * |
| 4 | 손광정 | 대한민국 | 전라남도 순천시 중앙로 * |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 안준형 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 순천대학교 산학협력단 | 전라남도 순천시 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.11.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0881523-14 |
| 2 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2012.01.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0022826-18 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.07.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.08.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0063793-47 |
| 5 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.11.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0669549-53 |
| 6 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2013.01.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0050386-55 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5083728-15 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.18 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5021788-47 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 발광층, 제2 도전형 반도체층을 차례로 형성하는 단계;상기 제1 도전형 반도체층의 상부면 일부를 노출하는 단계;상기 제2 도전형 반도체층 상에 투명 전극층을 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 반도체층의 노출면과 상기 투명 전극층 상에 개구부를 포함하는 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 마스크 패턴의 개구부를 통하여 이온 주입하여 상기 제2 도전형 반도체층에 전류 억제층을 형성하는 단계; 상기 제1 마스크 패턴의 개구부를 통하여 도전성 물질을 증착하여 패드 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 반도체층의 노출면 상에 개구부를 포함하는 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제2 마스크 패턴의 개구부를 통하여 도전성 물질을 증착하여 제1 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서, 상기 제1 마스크 패턴은 상기 제1 도전형 반도체층의 노출면 상에는 개구부가 형성되지 않고, 상기 투명 전극층 상에는 개구부가 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 3 |
3 제 1항에 있어서, 상기 제1 마스크 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 4 |
4 제 1항에 있어서, 상기 패드 전극은 리프트 오프 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 5 |
5 제 1항에 있어서, 상기 제1 도전형은 n형이고, 상기 제2 도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 6 |
6 제 1항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체층, 발광층, 및 제2 도전형 반도체층은 질화갈륨계 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 7 |
7 제 1항에 있어서, 상기 투명 전극층은 ITO, ZnO, ITO, ZnO, IGZO, SnO2, AZO, CIO, IZO 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 8 |
8 제 1항에 있어서, 상기 패드 전극은 금속으로 형성된 p-패드 전극인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 9 |
9 제 1항에 있어서, 상기 전류 억제층은 절연성인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 10 |
10 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전류 억제층과 상기 패드 전극은 자기 정렬(Self-Align)되어 패턴 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 11 |
11 제 10항에 있어서, 상기 전류 억제층은 Si, Te, Zn, Mg, Ca, Ar, Be, O, Au, Ti, C, H, He, Si, Al, In, B, N, Se, S, P 중 선택된 적어도 하나의 반응성 이온, 또는 기체 분자들을 플라즈마를 이용하여 이온 주입하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 12 |
12 제 11항에 있어서, 상기 전류 억제층의 폭은 상기 패드 전극의 폭과 동일하거나 큰 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 13 |
13 제 11항에 있어서, 상기 전류 억제층은 상기 패드 전극의 형상에 대응되도록 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 14 |
14 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 발광층, 제2 도전형 반도체층을 차례로 형성하는 단계;상기 제1 도전형 반도체층의 상부면 일부를 노출하는 단계;상기 제2 도전형 반도체층 상에 투명 전극층을 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 반도체층의 노출면과 상기 투명 전극층 상에 개구부를 포함하는 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 마스크 패턴의 개구부를 통하여 이온 주입하여 상기 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층에 이온 주입층을 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 반도체층에 형성된 이온 주입층을 제거하는 단계; 및 상기 제1 마스크 패턴의 개구부를 통하여 도전성 물질을 증착하여 패드 전극과 제1 전극을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 15 |
15 제 14항에 있어서, 상기 이온 주입층은 Si, Te, Zn, Mg, Ca, Ar, Be, O, Au, Ti, C, H, He, Si, Al, In, B, N, Se, S, P 중 선택된 적어도 하나의 반응성 이온, 또는 기체 분자들을 플라즈마를 이용하여 이온 주입하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 16 |
16 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 발광층, 제2 도전형 반도체층을 차례로 형성하는 단계;상기 제1 도전형 반도체층의 상부면 일부를 노출하는 단계;상기 제2 도전형 반도체층 상에 투명 전극층을 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 반도체층의 노출면과 상기 투명 전극층 상에 개구부를 포함하는 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 마스크 패턴의 개구부를 통하여 이온 주입하여 상기 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층에 이온 주입층을 형성하는 단계; 및상기 제1 마스크 패턴의 개구부를 통하여 도전성 물질을 증착하여 패드 전극과 제1 전극을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 17 |
17 제 16항에 있어서, 상기 이온 주입층은 반응성 수소 이온(H) 또는 수소 기체 분자(H2)들을 포함하는 플라즈마를 이용하여 수소 이온을 주입하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 18 |
18 제 14항 또는 제16항에 있어서, 상기 제1 마스크 패턴은 상기 제1 도전형 반도체층의 노출면과 상기 투명 전극층 상에 개구부가 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 19 |
19 제 14항 또는 제16항에 있어서, 상기 제2 도전형 반도체층에 형성된 이온 주입층은 전류 억제층인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 20 |
20 제 14항 또는 제16항에 있어서, 상기 제1 마스크 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 21 |
21 제 14항 또는 제16항에 있어서, 상기 패드 전극은 리프트 오프 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 22 |
22 제 14항 또는 제16항에 있어서, 상기 제1 도전형은 n형이고, 상기 제2 도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 23 |
23 제 14항 또는 제16항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체층, 발광층, 및 제2 도전형 반도체층은 질화갈륨계 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 24 |
24 제 14항 또는 제16항에 있어서, 상기 투명 전극층은 ITO, ZnO, ITO, ZnO, IGZO, SnO2, AZO, CIO, IZO 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 25 |
25 제 14항 또는 제16항에 있어서, 상기 패드 전극은 금속으로 형성된 p-패드 전극인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 26 |
26 제 19항에 있어서, 상기 전류 억제층은 절연성인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 27 |
27 제 14항 또는 제16항에 있어서, 상기 제2 도전형 반도체층에 형성된 이온 주입층과 상기 패드 전극은 자기 정렬(Self-Align)되어 패턴 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 28 |
28 제 27항에 있어서, 상기 제2 도전형 반도체층에 형성된 이온 주입층의 폭은 상기 패드 전극의 폭과 동일하거나 큰 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 29 |
29 제 27항에 있어서, 상기 제2 도전형 반도체층에 형성된 이온 주입층은 상기 패드 전극의 형상에 대응되도록 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법 |
| 30 |
30 제 1항, 제14항 또는 제16항 중의 어느 한 항의 발광 다이오드 제조 방법에 의해서 제조된 발광 다이오드 |
| 31 |
31 기판; 상기 기판 상에 형성되고, 일부가 노출된 제1 도전형 반도체층;상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 발광층;상기 발광층 상에 형성된 제2 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형의 반도체층에 형성된 수소(H) 이온 주입층; 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 형성된 투명 전극층; 상기 투명 전극층의 적어도 일부 상에 형성된 패드 전극; 및상기 제1 도전형 반도체층의 노출면에 형성된 제1 전극을 포함하는 발광 다이오드 |
| 32 |
32 제 31항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체층, 발광층, 및 제2 도전형 반도체층은 질화갈륨계 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 |
| 33 |
33 제 31항에 있어서, 상기 제2 도전형 반도체층에 형성된 수소(H) 이온 주입층은 전류 억제층인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 |
| 34 |
34 제 33항에 있어서, 상기 전류 억제층과 상기 패드 전극은 자기 정렬(Self-Align)되어 패턴 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 지식경제부 | 순천대학교 | 지역혁신센터(RIC)사업 | 차세대 전략산업용 희유자원 실용화 센터 사업 |
| 2 | 지식경제부 | 포항공과대학 | 전자정보디바이스 산업원천기술개발사업(LED/광) | 180lm/W급 고효율 나노기반 LED개발 |
| 3 | 교육과학기술부 | 순천대학교 산학협력단 | 한-중 과학기술협력센터사업 | 나노막대-양자점 에너지 전이 여기를 이용한 고효율 백색 LED조명 연구 |
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
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| 특허 등록번호 | 10-1219290-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20111108 출원 번호 : 1020110116013 공고 연월일 : 20130121 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20121106 청구범위의 항수 : 34 유별 : H01L 33/36 발명의 명칭 : 발광 다이오드 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20200103 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 순천대학교 산학협력단 전라남도 순천시... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 685,500 원 | 2013년 01월 02일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 788,000 원 | 2015년 12월 29일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 551,600 원 | 2017년 01월 03일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 551,600 원 | 2017년 12월 20일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 696,000 원 | 2018년 12월 28일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.11.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0881523-14 |
| 2 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2012.01.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0022826-18 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.07.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 | 2012.08.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0063793-47 |
| 5 | 등록결정서 | 2012.11.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0669549-53 |
| 6 | [출원서등 보정]보정서 | 2013.01.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0050386-55 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5083728-15 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.18 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5021788-47 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345150642 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0080313 |
| 연구과제명 | 고출력 수직구조 InGaN LED의 고신뢰성 전극 및 공정 개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 순천대학교 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200905~201202 |
| 기여율 | 0.2 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1345200892 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2011-0017325 |
| 연구과제명 | 나노막대-양자점 에너지 전이 여기를 이용한 고효율 백색 LED 조명 연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 미래창조과학부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 201103~201402 |
| 기여율 | 0.2 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1345212203 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R31-2012-000-10022-0 |
| 연구과제명 | 세계 최고 수준의 IT융합-인쇄 전자 교육 및 연구 프로그램육성 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 200812~201308 |
| 기여율 | 0.2 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415115431 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10035598 |
| 연구과제명 | 180lm/W급 고효율 나노기반 LED 개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 포항공과대학교산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 201003~201502 |
| 기여율 | 0.2 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415119309 |
|---|---|
| 세부과제번호 | B0010622 |
| 연구과제명 | 차세대 전략산업용 희유자원 실용화 지역혁신센터 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 지식경제부 |
| 연구주관기관명 | 순천대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200807~201806 |
| 기여율 | 0.2 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
| 과제고유번호 | 1345150642 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0080313 |
| 연구과제명 | 고출력 수직구조 InGaN LED의 고신뢰성 전극 및 공정 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 순천대학교 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200905~201202 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415115431 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10035598 |
| 연구과제명 | 180lm/W급 고효율 나노기반 LED 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 포항공과대학교산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 201003~201502 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
| [1020120108792] | LED 조명 장치 및 조명 방법 | 새창보기 |
|---|---|---|
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